2025年，韓國各產業部門的境遇喜憂參半。受美國加征關稅和俄烏戰爭的影響，汽車和石化行業舉步維艱；而半導體、造船和國防等行業則因全球需求增長而蓬勃發展。我們將探討2026年影響全球經濟的關鍵因素，並預測各行業將受到的影響。[編者注]去年支撐韓國出口增長的是“半導體”行業。隨著人工智慧（AI）在全球範圍內的普及，以三星電子和SK海力士為首的儲存晶片需求激增，並進入繁榮期。半導體出口增長超過30%，抵消了石化和鋼鐵等傳統製造業的下滑。今年的前景更為光明。據韓國進出口銀行海外經濟研究所預測，韓國今年半導體出口額預計將同比增長11%，達到1880億美元（約合254兆韓元），連續第二年創下歷史新高。世界半導體貿易統計（WSTS）預測，2026年全球半導體市場規模將比上年增長超過25%，達到約9750億美元。其中，儲存器市場預計將實現30%左右的增長，超過整體增速。在DRAM市場，三星電子和SK海力士合計佔據約70%的全球市場份額；在NAND快閃記憶體市場，兩家公司的市場份額合計約為50%。三星電子和SK海力士合併後的營業利潤預計將超過200兆韓元市場將儲存器機構領域的強勁勢頭稱為“超級周期”。美國銀行（BofA）將2026年定義為“類似於20世紀90年代繁榮時期的超級周期”，並預測全球DRAM收入將同比增長51%，NAND收入將同比增長45%，而DRAM的平均售價（ASP）將上漲33%，NAND的平均售價將上漲26%。隨著半導體行業全面進入超級周期，券商紛紛上調對三星電子和SK海力士的盈利預期。Kiwoom證券將三星電子今年的合併營業利潤預期上調至107.612兆韓元，比券商此前三個月的普遍預期83.242兆韓元高出29%以上。iM證券則將SK海力士今年的營業利潤預期上調至93.843兆韓元。在最樂觀的情況下，兩家公司的合併營業利潤將超過200兆韓元。在記憶體晶片市場，結構性供應短缺（供應無法滿足需求）正在加劇，導致價格大幅上漲。隨著人工智慧訓練和推理所必需的高頻寬記憶體（HBM）需求激增，整個記憶體市場的供應限制也隨之加劇，甚至連普通商品的價格也受到影響。市場研究公司TrendForce預測，第一季度通用DRAM合約價格將比上一季度上漲超過50%，NAND快閃記憶體價格也將繼續大幅上漲，主要集中在伺服器DRAM和企業級固態硬碟（SSD）領域。分析師表示，隨著人工智慧伺服器投資的增加和庫存的消耗，記憶體市場已進入典型的“賣方市場”。此外，在經歷了2018年過度擴張的後果之後，韓國國記憶體儲器企業一直保持著以盈利為導向的“有序擴張”策略。韓國進出口銀行高級研究員李美惠表示：“半導體企業保持著保守的投資策略，短期內難以擴大產能。由於產能優先用於HBM和高容量DDR5，因此為PC和移動裝置供應通用儲存器的能力有限。”她補充道：“除三星電子外，大多數DRAM製造商都因裝置安裝空間不足而受到擴張限制，因此即使到今年年底，儲存器短缺問題也難以得到解決。”HBM市場競爭日趨激烈……市場規模正在快速擴張在HBM市場，SK海力士與三星電子之間的競爭預計將進一步加劇。SK海力士目前處於領先地位，正積極推進其從HBM3E（第五代HBM）到下一代HBM4（第六代HBM）的產品路線圖，並迅速提高高附加值產品的佔比。現代汽車證券表示：“隨著DRAM價格的飆升，SK海力士有望成為全球DRAM製造商中盈利能力最強的公司。”三星電子已全面進入追趕階段。該公司自去年下半年起擴大了HBM3E的供應，今年則集中精力研發HBM4和HBM4E（第七代HBM），力圖憑藉下一代產品扭轉頹勢。在包括SK海力士和美國美光在內的三大全球儲存器製造商中，三星的產能最大，這也被視為其優勢之一，因為在未來儲存器價格上漲周期中，三星能夠獲得更大的營運槓桿。市場研究公司Omdia預測，隨著人工智慧加速器的普及，HBM市場將繼續保持高速增長，下一代HBM4的市場份額將從今年開始真正擴張。該公司還指出，HBM需求來源日益多元化是市場擴張的關鍵驅動因素。隨著大型科技公司推進專用積體電路（ASIC）戰略以減少對輝達圖形處理器（GPU）的依賴，Google的張量處理單元（TPU）、OpenAI的自主研發人工智慧晶片、亞馬遜的Trainium 3以及微軟的Maia 200等產品相繼問世。Kiwoom Securities 高級研究員 Park Yuak 表示：“三星電子已將 ASIC 作為其主要客戶，預計到 2026 年，其 HBM 出貨量將比上一年增長三倍以上。”他補充道：“第一季度，應用於主要 ASIC 晶片的 HBM 銷量將會增加；第二季度，用於輝達‘Rubin’晶片的 HBM4 出貨量將正式開始。”系統半導體和代工廠進入復甦階段……美國關稅是最大的變數有一種觀點認為，系統半導體和代工機構市場已經觸底反彈。市場研究公司Gartner預測，受人工智慧半導體市場增長的推動，今年全球系統半導體市場預計將比上年增長約10%。韓國在系統半導體市場的份額仍然維持在2%左右，但三星電子將在今年上半年發佈的Galaxy S26手機中搭載其Exynos應用處理器，以期重振競爭力。在晶圓代工（半導體代工）機構領域，三星也在努力從關鍵客戶那裡爭取訂單，以期實現復甦。截至去年第二季度，三星晶圓代工的全球市場份額為7.3%，遠落後於台積電。但業內人士表示，隨著3奈米工藝良率的趨於穩定，以人工智慧加速器和網路晶片為中心的新訂單正在逐步增加。尤其值得一提的是，計畫於今年投產的三星電子泰勒晶圓廠，正逐漸成為台積電之外的另一種選擇。投資銀行德意志銀行在最近的一份報告中表示：“隨著台積電先進工藝產能接近飽和，主要的無晶圓廠（晶片設計專家）公司正在尋求替代生產方案，以分散供應鏈風險。”報告還補充道：“在美國設有生產基地的代工廠中，三星電子被視為一個切實可行的替代方案。”今年半導體行業最大的外部變數被認為是美國的關稅政策。美國正在將半導體重新歸類為戰略產業，並暗示可能徵收高額關稅以擴大國內產能。業內普遍認為，對於已承諾在美國投資的國內企業而言，其相對影響可能有限。由於人工智慧伺服器記憶體的替代品有限，也有分析指出，成本負擔很可能會轉嫁給客戶。關稅因素預計對中長期投資策略和生產基地重塑的影響將大於對短期收益的影響。 (半導體行業觀察)

韓國 SK 海力士日前宣佈，將投資 19 兆韓元（約合 129 億美元）在韓國清州市建設一座先進晶片封裝工廠，項目計畫於今年 4 月動工、明年底完工。這一決定，是 AI 浪潮下儲存產業結構性變化的直接體現。以 HBM 為代表的高端儲存，本質上是一種高度依賴 3D 堆疊與先進封裝工藝的產品。無論是 TSV、微凸點，還是與 GPU、加速器的近距離互連，封裝環節已從“成本中心”轉變為決定性能、良率與交付節奏的關鍵變數。這也正是 SK 海力士此次選擇直接投資建設先進封裝廠、而非僅擴充前道製程的核心原因。在半導體產業版圖中，封裝曾長期被視為技術含量較低的後端環節，但隨著 AI 晶片、HBM、Chiplet 等技術路線的加速成熟，這一認知正在被徹底打破。尤其是在先進製程放緩、單位製程紅利遞減的背景下，封裝正經歷一場前所未有的價值重估。根據機構資料，全球先進晶片封裝市場規模預計將從 2025 年的 503.8 億美元增長至 2032 年的 798.5 億美元，復合年增長率達 6.8%。這一趨勢背後，是 AI 大模型訓練、高性能計算、自動駕駛以及雲與邊緣計算對高頻寬、低功耗、高整合度封裝方案的持續拉動。站在 2026 年初這個時間節點，不只是儲存廠商，越來越多頭部封裝與測試企業也已啟動新一輪先進封裝產能佈局。可以預見，在未來幾年內，“拼先進封裝產能、拼落地速度”將逐漸成為行業常態，並深刻影響 AI 晶片與高端儲存的競爭格局。台積電：加速擴張在先進封裝這條賽道上，台積電無疑是No.1。作為全球半導體製造的絕對龍頭，台積電不僅在晶圓代工領域佔據超過60%的市場份額，更憑藉深厚的技術積澱、強大的產能掌控力以及與客戶的深度繫結，在先進封裝領域建立起難以踰越的競爭壁壘，尤其是CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate），從2023年AI浪潮爆發以來，始終是封裝產業的焦點。目前台積電的目前已在代表2.5D封裝的CoWoS上形成三大技術分支：CoWoS-S採用矽中介層（Silicon Interposer）技術，適用於中小型晶片封裝；CoWoS-R則採用再分佈層（RDL, Redistribution Layer）技術，提供更大的設計靈活性；CoWoS-L是台積電針對超大型AI晶片開發的產品。而在3D封裝領域，台積電推出了SoIC（System on Integrated Chips，系統整合單晶片）這一技術基於CoWoS與多晶圓堆疊（WoW, Wafer-on-Wafer）技術開發，相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，可達每平方毫米數千個互連點，傳輸速度更快，功耗更低。除了以上兩種封裝外，台積電還悄悄佈局了CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate），其本質上是將CoWoS面板化，整合了CoWoS和扇出型面板級封裝（FOPLP, Fan-Out Panel Level Packaging）的優勢。首條試點產線定於2026年在VisEra廠區啟動，目標2026年中試產，2028年底全面達產。值得關注的是，有爆料稱台積電還計畫將SoIC與CoWoS進行技術融合，打造適配2奈米需求的混合封裝方案。這種“2.5D+3D”的組合拳，既能利用CoWoS的大面積封裝優勢，又能發揮SoIC的高密度互連能力，既能進一步提升晶片性能，又能最佳化成本結構、提升生產效率，具備廣闊的市場應用前景。在技術不斷改進升級的同時，台積電還在全力推進先進封裝產能擴充。根據供應鏈消息和多家機構預測，台積電產能規劃呈現出極為激進的增長曲線：2023 年底月產能約 1.5-2 萬片 12 英吋晶圓當量，市場供不應求；2024 年底提升至 4.5-5 萬片，增長 150% 以上；2025 年底目標 7-9 萬片，法人預估可達 9 萬片；到 2026 年底規劃達到 11.5-13 萬片，部分機構預測甚至高達 12.7 萬片。這意味著從2023年到2026年，僅用三年時間，台積電CoWoS產能就將增長6-8倍，年複合增長率超過60%。台積電還透露了細節：過去建一座CoWoS廠需要3-5年，現在已壓縮到1.5-2年，甚至三個季度內就要完成。而在產能佈局方面，目前台積電在台灣有多座先進封測廠，我們著重看一下近年來興建的幾座：竹南AP6廠是台積電的先進封裝旗艦基地。2023年6月正式啟用的這座工廠，是台積電首座實現3D Fabric整合前段至後段製程以及測試的全自動化工廠。目前竹南AP6廠已成為台灣最大的CoWoS封裝基地，承載著輝達、AMD等核心客戶的關鍵訂單。嘉義AP7廠主要負責下一代封裝技術。最初規劃建設2座CoWoS先進封裝廠，現已擴大至8座廠房的宏大規模。其中P1為蘋果專屬的WMCM（晶圓級多晶片模組）產線，P2、P3以SoIC為主，而CoPoS（Chip-on-Polymer-on-Substrate）暫定在P4或P5。整個廠區預計2028年開始量產，屆時將成為台積電先進封裝產能的又一重鎮。南科AP8廠則由舊廠改造而來。2023年8月，台積電斥資171.4億新台幣（約合37億人民幣）購買群創光電位於南科的4廠舊廠房，經過大規模改造後，於2025年下半年投產。供應鏈人士透露，該廠房未來的封裝產能將是竹南先進封裝廠的9倍，不僅承載CoWoS產線，未來扇出型封裝（InFO）以及3D IC等產線都可能進駐。除了台灣本土外，台積電近期還在在美國進行了佈局，其規劃在在亞利桑那州建設兩座專注於SoIC和CoPoS技術的先進封裝晶圓廠AP1和AP2，AP1聚焦3D堆疊技術（SoIC），AP2側重CoPoS技術，計畫2026年下半年開工，2028年底完工，雖然具體金額未公開，但業內估計兩座廠的總投資將超過50億美元。在產能和技術瘋狂擴張的同時，台積電也在進行組織架構的重大調整。在組織架構層面，台積電計畫任命首位先進封裝“總廠廠長”，實現旗下所有先進封裝廠區的統籌管理，這一舉措彰顯了其整合資源、聚焦核心業務的戰略意圖。現任台積電SoIC事業處處長陳正賢，憑藉深厚的行業資歷與卓越的管理業績，成為該職位的核心候選人。陳正賢曾歷任後端技術與服務副處長、竹南廠廠長等關鍵職務，在其主導下，SoIC事業處實現了技術突破與產能爬坡的雙重進展。如果出任該職位，陳正賢將全面整合台積電內部先進封裝資源，最佳化生產流程與資源配置，提升整體營運效率。其監管範圍將覆蓋InFO、CoWoS、WMCM、SoIC及CoPoS等全系列先進封裝產線，推動多技術路線的協同發展，助力台積電實現先進封裝業務的規模化、高品質增長。對於台積電而言，它的領先不僅是技術優勢，更是技術、產能和客戶生態的結構性霸權，多種技術的佈局，配合快速擴產，以及組織架構的深度整合，台積電成功將先進封裝從後端工序升級為前端戰略業務，其主導地位短期內幾乎不可撼動。日月光：借勢而起在先進封裝快速發展的同時，日月光作為全球最大的專業封測代工廠，同樣受益頗多，2025 年先進封裝相關業務在其封裝、測試及材料（ATM）業務佔比超過六成，先進封裝不再只是高端增量，而是成為了這家代工廠的發展主力。在 CoWoS 體繫上，日月光深度承接台積電產能外溢，重點切入 CoWoS 後段（oS）封裝與測試環節，客戶涵蓋輝達、AMD、博通及 AWS 等 AI 與伺服器晶片大廠。與此同時，日月光還通過 FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）建構自主 2.5D 封裝平台。該技術可顯著縮短電氣路徑、提升頻寬密度，被定位為 CoWoS 的成本與產能替代方案，預計 2026 年下半年進入量產，主要面向 AI 與資料中心晶片客戶。值得注意的，還有日月光對 FOPLP（扇出型面板級封裝） 的持續押注。其已在該技術上深耕超過十年，面板尺寸從早期的 300×300mm 推進至 600×600mm，並於高雄廠區投資約 2 億美元建設量產線，計畫 2025 年完成試產、2026 年進入客戶認證與商業化階段。而在產能擴張上，日月光的擴產也並非集中於單一廠區，而是以高雄為中心，形成多廠協同、梯次展開的佈局格局。其中最具標誌性的項目是 K28 新廠。該廠於 2024 年 10 月動土，規劃於 2026 年完工，技術定位直指 CoWoS 等先進封裝，核心目標是承接 GPU 與 AI 晶片持續放量帶來的高速需求。而與 K28 對應的是 K18 廠房的補位角色。日月光於 2024 年自宏璟建設購入高雄楠梓 K18 廠房，並在下半年追加超過新台幣 50 億元的再投資，用於匯入晶圓凸塊（Bumping）與覆晶封裝（Flip Chip）等製程。在此基礎上，日月光進一步啟動 K18B 新廠 工程，追加約新台幣 40 億元投資，持續加碼高雄產能。此外，日月光還通過收購穩懋位於南部科學園區高雄園區的廠房，收購重整塑美貝科技廠區，借助產業聚集與政策資源，進一步擴充半導體先進封裝產能。在高雄之外，日月光還在加速建設矽品中科廠與虎尾廠的新 CoW（Chip on Wafer），虎尾廠預計 2025 年進入量產階段。這些產線主要對應 CoWoS 前段製程，與日月光既有的後段封裝產線形成協同，提升整體交付能力與靈活度。除了台灣本土外，日月光也在海外加速佈局。其中最成熟、也最關鍵的是馬來西亞檳城。自 1991 年起，日月光便在當地深耕封測業務，覆蓋消費電子、通訊、工業與車用半導體等多個領域。2025 年 2 月，日月光第四、第五廠正式啟用，總投資約 3 億美元，主要服務車用半導體與生成式 AI 晶片需求。與此同時，日月光還通過租賃約 20 英畝土地，追加投資擴充檳城的先進封裝產能，進一步鞏固海外封測產能。在上述佈局推動下，日月光對 CoWoS 相關產能給出了清晰的放量節奏：到 2024 年底，月產能約為 3.2–3.5 萬片 12 英吋晶圓當量；至 2025 年底，規劃提升至 7.2–7.5 萬片，年產能實現翻倍增長。疊加 FOCoS 與 FOPLP 產線的逐步投產，2026 年日月光在先進封裝領域的總體供給能力，將出現一次結構性的躍升。在先進封裝的浪潮中，日月光已從單純的產能承接者，進化為具備自主技術話語權的關鍵參與者。一方面深度繫結台積電，通過承接 CoWoS 外溢需求穩固 AI 巨頭供應鏈地位；另一方面，通過押注 FOCoS 與 FOPLP 等差異化技術，在未來，日月光可能會與台積電形成既互補又競爭的“雙寡頭”格局，共同主導全球先進封裝的未來走向。安靠：持續提速在先進封測賽道中，美國的安靠（Amkor）憑藉穩固的市場地位與精準的戰略佈局，成為僅次於日月光的全球第二大封測企業，其圍繞先進封裝的擴張步伐同樣在持續提速。首先在技術路線上，安靠並未侷限於單一方案，而是針對性佈局多元技術以覆蓋不同場景需求，其中與英特爾的EMIB技術合作成為重要突破。2025年4月，雙方簽署EMIB技術合作協議，安靠韓國仁川松島K5工廠被選定為合作落地基地，搭建尖端EMIB封裝工藝產線，這也是英特爾首次將自有AI封裝工藝對外外包。EMIB技術捨棄大面積昂貴中介層，通過內嵌矽橋實現晶片互連，相較台積電CoWoS具備良率更高、成本更優的優勢，適配Google、Meta等雲端企業自研ASIC晶片需求。此次合作不僅是產能互補，更聚焦技術協同升級。安靠將依託松島工廠先進裝置與成熟封裝基礎設施，承接英特爾自有晶片及外部訂單封裝業務，為英特爾下一代EMIB-T技術量產鋪路。EMIB-T融合矽通孔（TSV）技術，可提升晶片速度與性能，支援HBM4/4e等新技術，是英特爾佈局AI半導體領域的核心戰略之一。雙方合作既擴大了EMIB技術的商業化應用，也強化了安靠在2.5D封裝賽道的多元技術支撐能力。在與英特爾的合作之外，安靠也在美國本土產能上持續加碼。2025年8月28日，安靠宣佈對亞利桑那州皮奧里亞市先進封測設施項目進行重大調整，選址不變但佔地面積從56英畝擴至104英畝，規模近乎翻倍，彰顯對先進封裝需求的加碼佈局。業界認為，此次調整貼合美國半導體供應鏈結構變化，前端晶圓廠投資熱潮下，後端封裝環節長期滯後，安靠該項目成為美國最具雄心的外包封裝項目，標誌著本土產業政策從前端製造延伸至後端封測。項目總投資由此前17億美元增至20億美元（約142.5億元人民幣），預計2028年初投產，將創造超2000個就業崗位，雖較原2027年底投產計畫推遲，但產能與定位更清晰，聚焦高性能先進封裝平台。新工廠將重點支撐台積電CoWoS與InFO技術，適配輝達資料中心GPU及蘋果自研晶片需求。雙方已簽署諒解備忘錄，台積電將菲尼克斯晶圓廠部分封裝業務轉移至安靠，規避跨洋運輸周轉耗時，首次在美國形成晶圓製造+封裝的本地閉環。蘋果已鎖定為該廠首家且最大客戶，為美國先進封裝能力背書。在海外佈局上，安靠精準卡位歐洲市場，於2023年2月與格芯達成深度戰略合作，共建大規模封裝項目。雙方約定將格芯德國德累斯頓工廠的12英吋晶圓級封裝產線整體轉移至安靠葡萄牙波爾圖工廠，該產線月產能可達2萬片12英吋晶圓當量，項目於2024年啟動裝置偵錯，2025年進入小批次試產階段，預計2026年實現滿產，滿產後可滿足歐洲地區40%的汽車電子晶圓級封裝需求。此外，安靠延續在亞洲市場的產能深耕優勢，目前在韓國、台灣、馬來西亞等地設有8座核心工廠，合計佔全球總產能的65%。值得關注的是其在台灣的桃園工廠，主要聚焦先進封裝，月產能1.8萬片，專門配套台積電台灣廠區的晶圓代工訂單，受益於台積電CoWoS產能擴張，該工廠2025年第三季度銷售額同比暴漲75%。可以看到，安靠的擴張始終緊扣行業趨勢與政策導向，在美國大力推動本土半導體產業鏈建設、歐洲加速汽車電子供應鏈自主化的背景下，其產能佈局既契合區域政策需求，又精準捕捉汽車電子、AI算力晶片等核心增長點。大陸廠商：積極佈局在全球先進封裝產業競爭白熱化的當下，中國大陸廠商同樣不甘示弱，正以更積極的姿態投入技術研發與產能建設，通過持續擴產、佈局海外與強化產業鏈協同，逐步在高端封測領域站穩腳跟。甬矽電子作為專注於中高端先進封裝的廠商，甬矽電子已建構起了高密度細間距凸點倒裝（FC）、系統級封裝（SiP）、晶圓級封裝（Bumping 及 WLP）等五大核心產品體系。而在近期，為進一步完善海外戰略佈局，推動海外業務發展處理程序，甬矽電子宣佈啟動總投資不超過 21 億元的馬來西亞積體電路封裝測試生產基地項目。其表示，馬來西亞是全球半導體封測產業的重要聚集地，尤其是檳城州已形成成熟的半導體產業叢集，吸引了眾多國際晶片大廠佈局，產業協同優勢顯著。甬矽電子選擇在此建廠，正是看中當地完善的產業生態、優越的區位優勢與豐富的人才資源，能夠有效貼近海外客戶，提升響應效率，進一步擴大海外市場份額，提升全球營收佔比，鞏固行業地位。從業務佈局來看，該項目主要聚焦系統級封裝（SiP）產品，下游覆蓋AIoT、電源模組等熱門領域，精準契合當前半導體市場的需求熱點。依託在積體電路封裝測試領域的技術積累與研發能力，甬矽電子能夠為海外客戶提供高品質的封裝測試服務，滿足客戶對產品性能與可靠性的嚴苛要求，進一步深化與海外大客戶的戰略合作。長電科技長電科技作為全球第三、中國大陸第一的半導體封測企業，在先進封裝領域佈局深遠，已建構覆蓋 Chiplet、HBM、2.5D/3D 整合、Fan-Out 的全技術平台，技術實力穩居全球第一梯隊。而近期，長電科技在先進封裝的汽車電子賽道突破備受關注。2025年12月，其旗下車規級晶片封測工廠“長電科技汽車電子（上海）有限公司（JSAC）”如期通線，標誌著長電科技在車規級封測領域實現關鍵佈局，為切入新能源汽車與智能駕駛核心供應鏈奠定基礎。該工廠坐落於上海臨港新片區，佔地 210 畝，一期建設 5 萬平方米潔淨廠房，自 2023 年 8 月開工以來，歷經兩年完成施工與裝置偵錯。工廠配備業內領先的自動化產線，引入 AI 缺陷檢測與全流程追溯系統，嚴格遵循零缺陷標準，全面滿足 AEC-Q100/101/104 車規認證要求，可提供覆蓋封裝與測試的一站式服務。據瞭解，目前多家國內外頭部車載晶片客戶已在JSAC推進產品認證與量產匯入，覆蓋智能駕駛、電源管理等核心領域，充分驗證了長電科技在車規級封測領域的技術實力與市場認可度。通富微電同樣是國內頭部封裝廠，通富微電的先進封裝佈局以技術突破與大客戶繫結為核心，早年間便通過收購 AMD 蘇州、檳城工廠形成戰略協同，獨家承接 AMD 超過 80% 的 CPU/GPU 封測訂單，為先進封裝技術迭代提供了穩定的應用場景。值得關注的是，通富微電在先進封裝領域的擴張動作尤為積極，近期發佈公告，擬向特定對象發行 A 股股票募集資金總額不超過 44 億元，精準投向四大核心領域，以破解產能瓶頸、最佳化產品結構。其中，汽車等新興應用領域封測產能提升項目擬投入 10.55 億元，總投資約 11 億元，建成後年新增產能 5.04 億塊，將進一步強化公司在車載封測領域的佈局，契合全球車規級半導體市場 11.51% 的年增長率需求；儲存晶片封測產能提升項目擬投入 8 億元，年新增產能 84.96 萬片，將承接 AI、新能源汽車驅動下的儲存晶片需求增長，把握儲存市場 12.34% 的年均複合增長機遇；晶圓級封測產能提升項目擬投入 6.95 億元，新增晶圓級封測產能 31.20 萬片及高可靠車載品封測產能 15.73 億塊，適配高端晶片對高性能、小型化的需求；高性能計算及通訊領域封測產能提升項目擬投入 6.2 億元，年新增產能 4.8 億塊，聚焦倒裝封裝與 SiP 技術，匹配 AI 算力與通訊晶片的封測需求。憑藉與 AMD 等國際大客戶的深度繫結，以及在本土市場的持續拓展，通富微電正加速向高端封測市場衝刺。從單極到多元在全球先進封裝格局中，儘管各大廠商都在加速擴產，但台積電的主導地位短期內仍難以撼動。憑藉 CoWoS、SoIC 等領先技術以及持續迭代能力，台積電在 AI 晶片封裝領域幾乎形成技術壟斷；其從先進製程到封裝的一體化服務模式，進一步強化了客戶粘性，尤其是與輝達等巨頭深度繫結後，其他廠商在短時間內難以替代。不過，其他專業封測廠正通過差異化路徑尋求突破。它們在產能配置上更靈活，能夠滿足不同客戶的定製化需求，在部分應用場景中也具備更強的成本競爭力；同時，這些廠商積極佈局 FOPLP 等下一代技術，試圖在未來封裝路線中搶佔先機。封裝廠商的集體擴張，本質上是對 AI 時代算力需求的一次行業級押注，在這場馬拉松式的競爭中，只有那些能夠在技術創新、成本控制與客戶服務之間找到最佳平衡點的企業，才能真正笑到最後。展望 2026-2027 年，當新增產能陸續釋放、供需關係重新平衡、技術路線逐漸清晰，我們將看到這場擴張浪潮的真正贏家。而對於整個半導體產業而言，先進封裝從 “配角” 到 “主角” 的轉變，已經成為不可逆轉的趨勢。 (半導體行業觀察)

每每提到韓國晶片，大家首先想到的就是他們在包括DRAM和NAND在內的儲存產品方面的號召力。誠然，憑藉SK海力士和三星在過去多年的投入，他們在這兩個賽道已經積累了足夠多的優勢。特別是進入了人工智慧時代，他們憑藉HBM的領先優勢在市場上遙遙領先。根據市場調研機構集邦諮詢的資料，統計第一季度的DRAM份額，SK海力士以36%的市場份額位居收尾，三星電子則以33.7%的市佔屈居第二。換而言之，這兩家韓國巨頭聯手拿下了近70%的DRAM份額。NAND方面，三星電子（31.9%）和SK 海力士（16.6%）也攏共拿下近半的市佔。正是得益於這些晶片的強勢，2024年，韓國半導體出口額將達到創紀錄的1420億美元，佔出口總額的五分之一。然而，這些強勢的資料並沒讓他們寬心。他們正在努力向更多賽道擴張，AI就是他們瞄準的第一個方向。韓國豪賭AI晶片因為人工智慧的大火，AI晶片的火熱，並不需要贅言。如上所述，雖然能夠憑藉儲存技術在這個市場分一杯羹，但這並沒有滿足韓國的野心。於是，韓國政府在本月初公佈了大力發展人工智慧、半導體、生物技術、國防、機器人和綠色交通的計畫，以在全球戰略技術競賽中佔據優勢。韓國政府表示，根據該計畫，未來五年將籌集150兆韓元（1080億美元）的巨額投資基金，該計畫將為韓國經濟創造高達125兆韓元的附加值。據透露，這個共同基金的規模後來被確認為最初設定的100兆韓元的1.5倍。韓國政府補充說，涉及人工智慧高速公路和資料中心、顯示面板、國防裝置和半導體晶片等大型基礎設施的企業都可能從該基金中受益。但有一說一，其實在這個公告發佈之前，韓國依然在AI晶片方面取得了不錯的成績，最起碼相較於日本來說是如此。例如，韓國AI晶片公司Rebellions 就憑藉其節能的 AI 電腦晶片而聞名，其應用範圍廣泛，從高頻交易到支援 OpenAI 的 ChatGPT 等大型語言模型工具。自 2020 年創立公司以來，Park 通過五輪融資籌集了 2.25 億美元，用於支援其 Atom 晶片系列，該系列已成為韓國資料中心的首選晶片。Rebellions 的下一代低功耗晶片，專為耗電的 AI 超大規模計算平台而設計，即將面世。與此同時，SK電信旗下的AI晶片初創公司Sapeon Korea正憑藉其X330晶片在韓國國內市場與Rebellions展開激烈競爭。但到了去年12月，Sapeon宣佈以每股Rebellion股票的價格發行2.4股，打造出韓國首個AI晶片獨角獸公司，估值1.3兆韓元，相當於當時的10億美元（相當於今天的9億美元）。合併後的公司保留了Rebellion的管理團隊和名稱，是韓國最大的AI晶片供應商。除了這家公司以外，韓國另一家無晶圓廠半導體公司FuriosaAI也很有名氣。據介紹。這家初創公司由前三星電子和美國晶片巨頭 AMD 工程師 Paik June 於 2017 年創立，專注於為資料中心伺服器開發 AI 推理晶片。該公司於 2021 年推出了首款 AI 晶片 Warboy，隨後於去年 8 月推出了下一代 AI 晶片 RNGD。今年 8 月，FuriosaAI 在矽谷發佈 RNGD 時宣稱，與 Nvidia 先進的 AI 晶片 H100 相比，它的每瓦性能提高了三倍。該公司解釋說：“RNGD 將成為大規模部署 Meta 的 Llama 2 和 Llama 3 等先進生成式 AI 模型的理想選擇。”該公司還計畫今年在台灣半導體製造公司量產下一代AI晶片。初次以外，韓國還有其他人工智慧晶片初創公司，包括 HyerAccel、Alsemy 和 Mobilint等。其中，Mobilint是韓國首家開發智能半導體邊緣型神經處理單元 (LPU) 的公司，該單元於 2016 年通過圖像識別針對深度學習進行了最佳化。這家初創公司的晶片用於閉路電視、無人機和自動駕駛汽車；HyperAccel成立於 2023 年 1 月，開發延遲處理單元 (LPU)，這是一款專門用於基於 Transformer 的大型語言模型 (LLM) 的人工智慧晶片；Alsemy是一家基於人工智慧的半導體器件建模軟體（EDA）的開發商。雖然沒有資料顯示韓國有多少AI晶片公司，但毫無疑問，他們在無晶圓廠這個賽道，已經突破了以前的限制。韓國還有卷SiC除了AI晶片，SiC在近來也成為了韓國廠商的新方向。因為電動汽車的爆火，SiC在過去幾年在美國、歐洲、日本和中國迅速火爆。尤其是在中國市場，因為擁有全球最大的電動汽車市場，中國SiC正在以驚人的速度快速成長，場上多了，就難免陷入所謂的“內卷”激烈競爭。過去幾個月，全球SiC先驅Wolfspeed的破產傳言，加上羅姆、東芝和瑞薩在SiC上的轉向，也讓大家對這個曾寄予厚望的材料的擔心，但韓國似乎並不畏懼。韓國政府日前透露，決定在未來5年內將人工智慧(AI)時代的關鍵材料SiC（碳化矽）功率半導體的技術自給率從目前的10%提高到20%。據韓國政府介紹，他們計畫通過核心技術開發、專業培訓、示範基礎設施建設和資金支援以實現這個碳化矽功率半導體的發展目標。韓國當局強調，到2028年，政府將投入總計902億韓元，用於開發用於電動汽車和綠色能源的碳化矽晶片材料、商用器件和模組的核心技術。為了培養人才，八所大學將專注於培養化合物功率半導體專業的碩士和博士研究生。此外，到2028年，政府還將投資200億韓元，以區域中心為中心建設碳化矽示範基礎設施，並利用國家發展基金為碳化矽功率半導體企業提供資金。雖然過去很少提及，但其實韓國政府在碳化矽方面也有積累的。兩年前，美國廠商安森美就曾斥資1.4兆韓元在其富川工廠建造了S5生產線。此前，該公司在該工廠的其他生產線均已從三星收購。安森美首席執行官Hassane El-Khoury當時表示，富川工廠的SiC總產量將佔安森美SiC總產量的35%至40%。雖然據報導，安森美半導體 (Onsemi) 已有效停止對其位於韓國的碳化矽 (SiC) 電源管理 IC 工廠的投資，這是由於韓國汽車製造商的電動汽車 (EV) 銷售放緩以及對經濟型電動汽車中使用的 Si IGBT 晶片的需求增加。但這顯然已經成為韓國SiC的另一股實力來源。此外，韓國還有SK Siltron CSS 這樣的碳化矽晶圓製造商。在2023年，SK Siltron CSS與領先的碳化矽功率半導體製造商德國英飛凌科技股份公司簽訂了長期供應合同。截至2023年底，SK Siltron控制著全球碳化矽晶圓市場6%的份額。這也將成為韓國晶片的另一個底氣。2022年末，SK集團收購了Yes Powertechnix（現為SK Powertech），後者是當時唯一一家能夠設計和生產SiC電源管理IC的韓國公司。通過利用與其他子公司（SK Siltron、SK Hynix等）的協同效應，SK集團將有機會與Wolfspeed、意法半導體、羅姆半導體、英飛凌和安森美等領先的SiC整合器件製造商（IDM）展開競爭。相關統計資料顯示，韓國的在SiC方面專利申請活動，也自 2010 年代以來激增，並在 2021 年達到頂峰，其中 SKC、LG Chem 和 Hyundai Mobis 做出了巨大貢獻（如下圖）。2022 年，在電動汽車快速增長的背景下，韓國智慧財產權參與者披露的發明數量出現下滑，電動汽車是推動 SiC 功率器件市場發展的主要應用。這一年似乎標誌著大多數韓國工業參與者對 SiC 活動的重組，SKC 剝離了一家 SiC 基板公司 (Senic)，LG Innotek 出售了關鍵的 SiC 專利（LX Semicon、S-tech），SK Inc. 收購了 Yes Powertechnix (YPT)。與此同時，幾家材料公司大幅減少了其智慧財產權活動（浦項制鐵、LG 集團和 SK 集團）。此外，主要智慧財產權參與者（LG 集團、SK 集團）將智慧財產權活動擴展到 SiC 器件並向下擴展到 SiC 供應鏈（例如 SiC 封裝）的最初跡象並未得到 2021 年之後這些領域的新專利申請的證實。一年後，現代汽車開始遵循同樣的趨勢，新發明數量穩步減少。然而，自2022年以來，韓國SiC專利領域的智慧財產權活動一直保持強勁。這種活力源於SiC襯底（10+件）、SiC器件（5件）和SiC電路（20+件）領域湧現出眾多新晉智慧財產權持有者。因此，在2022年至2024年期間，發明公開數量保持平穩。值得一提的，韓國巨頭三星也有SiC的佈局，關鍵在於他們是否會直接投入這個賽道。這也將是韓國SiC的實力來源。寫在最後其實韓國過去多年為了擺脫儲存領先帶來的風險，做了很多嘗試，例如大力發展三星和SK海力士的晶圓代工業務就是其中一個方式，但三星似乎過去多年的發展，並沒有符合他們的預期。除此以外，韓國還在裝置和材料方面大力發展，這方面似乎取得了不錯的成績。不過，可以明見的是，在無晶圓廠方面，韓國進步明顯。除了自己投入以外，和海外的晶片廠商攜手，也是韓國發展本土晶片產業的方式之一。業界估計，韓國目前約有160家無晶圓廠公司。即使算上汽車和電子等非設計專業公司，設計晶片的普遍共識也不足200家。作為對比，中國擁有超過3000家無晶圓廠公司。作為半導體強國，美國的無晶圓廠公司數量少於中國，但擁有像輝達、高通和博通這樣的大型無晶圓廠公司。歐洲和日本正在加大對半導體的投資，無晶圓廠公司的數量也在逐步增加。但對大力發展晶片的韓國來說，他們還需要面對一個問題，就是產品賣向那裡？畢竟他們當地可是消耗不了那麼多晶片。在地緣政治四起的當下，這會是全球晶片廠商面對的一個難題。 (半導體行業觀察)

中國相關部門近日宣佈對原產於美國和韓國的部分進口半導體產品啟動反傾銷調查。這是中國為維護半導體市場公平競爭環境採取的重要舉措，預計將為國內成熟製程晶片企業帶來新的發展機遇。據瞭解，本次調查主要針對28奈米及以上成熟製程的晶片產品，包括邏輯晶片、模擬晶片和功率器件等。這些產品廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費電子等領域，是中國製造業轉型升級的關鍵元器件。"這是維護市場公平競爭的正當行為，"中國半導體行業協會專家表示。近年來，部分海外企業以低於正常價值的價格向中國市場傾銷晶片產品，對國內半導體產業造成實質性損害。2023年資料顯示，進口晶片在中國市場的平均售價比本土產品低15-20%。行業分析顯示，中國成熟製程晶片產業已具備相當競爭力。中芯國際、華虹半導體等企業的28奈米工藝良品率達到國際先進水平，士蘭微、華潤微等企業在功率半導體領域市場份額持續提升。2023年，中國成熟製程晶片自給率已達到40%，預計2025年將提升至50%。值得注意的是，此次調查正值全球半導體產業格局深度調整期。美國、歐盟等紛紛出台政策支援本土晶片產業，全球半導體貿易保護主義傾向有所抬頭。中國此次依法開展貿易救濟調查，有助於維護健康的產業發展環境。"調查將遵循世界貿易組織規則，秉持客觀、公正、透明的原則，"商務部發言人表示。整個調查過程預計將持續12-18個月，期間將充分聽取各利益相關方的意見。市場人士認為，此舉將倒逼國內企業加快技術創新和降本增效。同時，也有利於最佳化半導體產業結構，推動產業鏈上下游協同發展，提升中國半導體產業整體競爭力。業內人士指出，中國擁有全球最大的半導體市場和最完整的製造業體系，通過營造公平競爭環境，將更好地發揮市場在資源配置中的決定性作用，推動半導體產業高品質發展。 (晶片行業)

2月26日，美光宣佈已率先向生態系統合作夥伴及特定客戶出貨專為下一代CPU設計的 1γ(1-gamma) 第六代 (10納米級) DRAM節點DDR5記憶體樣品。 在半導體行業的激烈競爭中，美光率先量產第六代 DRAM 晶片的消息，一時間引發業界關注。這一突破性的進展，不僅展示了美光在技術研發上的強大實力，也為其在未來的市場競爭中贏得了先機。 一直以來，三星和SK海力士在DRAM市場中佔據著重要地位，而美光此次成功突圍，率先推出第六代DRAM晶片，或將打破原有的市場格局。 DRAM角逐：美光反超三星和SK海力士

韓國政府考慮建立由政府資助的晶片代工製造商，暫命名為韓國半導體製造公司（KSMC）。 儘管有全球第二大晶片代工製造廠商三星，韓國政府仍在考慮進一步加強其在半導體製造上的實力，比如建立一家類似於全球代工龍頭“台積電”的“韓積電”。 韓國國家工程院在一次研討會上提出，韓國政府應建立一家由政府資助的晶片代工製造商，暫定名為韓國半導體製造公司（KSMC）。據專家預測，到2045年，韓國政府在這家公司上投資的20兆韓元（139億美元）將帶回300兆韓元的回報。 而該公司將負責解決行業中的結構性問題，如在缺乏成熟工藝的情況下過度依賴三星10納米以下的先進節點。在這一方面，台灣地區專注於成熟和專業節點的公司，如相對較小的聯華電子和力積電，就能與先進製程領頭羊的台積電形成互補。

近半年，全球半導體行業的政策風向驟變，不僅源於科技競爭的加劇，更是因產業供應鏈被重新審視，逐漸轉向區域化、多元化。 川普在競選過程中對晶片法案的不滿以及其對半導體的頻繁表態，再度引發了全球對半導體產業安全和自主發展的深度關注。 日本、韓國、歐洲、東南亞、中國大陸以及台灣等紛紛調整政策，加速出台各項政策、補貼和投資計畫，以增強各自的半導體實力，這場技術競逐背後的政策變化反映出不同國家地區對於半導體戰略的再定義。 在各類新政策的衝擊之下，全球半導體市場會進一步去全球化嗎？

全球晶片傳來利多訊號。 9月13日，韓國科學技術資訊通訊部公佈的資料顯示，今年8月，韓國晶片出口金額較去年同期成長37.6%，達到119億美元，連續10個月實現兩位數增長；儲存晶片出口金額較去年同期上升71.7%。 作為全球經濟的“金絲雀”，韓國晶片出口資料的超預期增長反映出，全球半導體市場的需求仍較為強勁。分析師指出，儲存晶片市場被視為半導體產業“風向標”，在AI算力需求的刺激下，HBM（高頻寬記憶體）儲存器市場有望進一步實現高速成長。 晶片的利多