#電子
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從電子碰撞到電漿體化學：揭秘刻蝕、沉積電漿體工藝背後的建模邏輯！

🔷電場如何驅動電子，電子又如何改變分子與化學反應？ 🔷從碰撞截面、EEDF到流體模型，拆解電漿體模擬底層原理 在半導體製造、電漿體刻蝕、薄膜沉積以及電漿體催化等技術背後，都繞不開一個核心問題：我們究竟該如何把肉眼不可見的電子運動、分子碰撞和化學反應“算出來”？ 這次小編帶大家一起學習這份課程，從電子碰撞、E/N、EEDF、振動激發與電漿體化學出發，一路深入到 BOLSIG+、ZDPlasKin、0D/1D/2D流體模型以及多時間尺度建模。
從電子碰撞到電漿體化學：揭秘刻蝕、沉積電漿體工藝背後的建模邏輯！
科技#電漿體模擬#電子碰撞截面#EEDF
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三星HBM4報價漲至3倍：一顆晶片多賺近1000美元，四大記憶體誰最受益？

三星把2027年HBM4報價推至每Gb 4美元中後段。若成交，每100萬顆36GB HBM4可增加約8.6億至9.8億美元收入，但四大記憶體受益並不平均。 一顆36GB的HBM4，三星想把報價從約432美元推到1296—1411美元。 每顆多出的收入，最高接近980美元。每賣100萬顆，理論收入就多8.64億至9.79億美元。 這不是已經成交的價格。韓國《每日經濟新聞》報導的是三星向主要客戶提出的2027年報價：每Gb 4美元中後段，當前HBM3E約為每Gb 1.5美元。若客戶接受，影響將擴散至海力士、美光和閃迪的利潤與估值。
科技#HBM4#報價漲價#儲存產業
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HBM4價格或將暴漲三倍！

據業界消息，三星電子目前正在與主要客戶就明年HBM4年度供應價格進行談判，並提出每Gb約4美元中後段的報價。 考慮到目前主流的HBM3E價格約為每Gb 1.5美元，這意味著HBM4的報價水平將達到目前HBM3E的3倍以上。 與普通DRAM不同，HBM的供應以年度長期合約為主。通常情況下，主要客戶與供應商會提前協商下一年度的供應數量和價格。 客戶會提前鎖定所需的HBM供應量，而HBM廠商則根據客戶訂單制定生產計畫。
HBM4價格或將暴漲三倍！
科技#三星電子#HBM4#定價談判
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《鄭朝方家族土地爭議延燒 吳子嘉點名鄭家找竹聯幫恐嚇吹哨者》 民進黨新竹縣長參選人鄭朝方家族「神去村」土地爭議持續延燒。綜合媒體報導，鄭家遭爆曾與英業達創辦人葉國一方面接觸，討論將竹東五指山「神去村」約18萬坪遊憩用地，變更為殯葬用地及營建土資場；資深媒體人、《美麗島電子報》董事長吳子嘉1日更在網路節目《董事長開講》中拋出震撼指控，直接點名鄭朝方哥哥鄭朝瀚，涉嫌透過竹聯幫人士，對掌握關鍵內情的吹哨者施加恐嚇與壓力，並公開表示：「這件事我講的，我負責。」 相關媒體報導指出，「神去村」土地變更構想可追溯至2023年初，當時有人研議將原有遊憩用地變更為殯葬用地及營建土資場。知情人士並估算，若相關土地成功變更，潛在開發利益可能超過250億元。新竹縣政府則強調，土地開發及使用變更均須依照法定程序審查，目前相關局處並無「神去村」相關案件紀錄或執行事項。 吳子嘉在節目中引述相關爆料指出，2023年3月至4月間，鄭家人士與葉國一方面曾與時任新竹縣長楊文科餐敘，席間談及「神去村」土地相關構想，但楊文科並未接受相關提議。媒體報導則指出，鄭朝方競選團隊已否認相關說法，表示「神去村與鄭家毫無關係」，並稱鄭朝方雖曾於2023年4月17日出席楊文科公館餐宴，但席間未曾聽聞任何與神去村有關的討論。
鄭朝方家族土地爭議延燒 吳子嘉點名鄭家找竹聯幫恐嚇吹哨者
其他#鄭朝方#新竹縣長候選人#竹聯幫
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三星、美光同時預警：DRAM不夠用了

HBM的繁榮，正在製造另一場DRAM短缺。 三星預警：明年DRAM供應進一步吃緊 明年高頻寬儲存器（HBM）佔全球DRAM晶圓產能的比重將逼近30%，較目前約20%大幅提升。在產能擠壓效應下，傳統DRAM（記憶體）供應恐將進一步吃緊。 機構分析預計，國際大廠持續擴大HBM產能佔比，資源全力向AI傾斜，進而擠壓DDR4、DDR3及利基型儲存器等傳統DRAM產能，導致市場供應更加緊張。這對南亞科技、華邦電子等主攻傳統DRAM的台系儲存器廠商構成利好，不僅接單量能大增，產品報價也獲得有力支撐。
三星、美光同時預警：DRAM不夠用了
科技#DRAM#三星電子#美光科技
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