引子 2026年第一季度，一家很多歐美讀者叫不出全名的中國企業，在全球NAND快閃記憶體市場的份額榜上，和Sandisk、美光並列第三。 它就是長江記憶體YMTC。 如果放在三年前，這個位置幾乎是不可想像的。彼時YMTC還在被列入實體清單、被限制購買光刻機的陰影裡掙扎求生。而現在，它已經悄悄擠進了全球記憶體江湖的第一梯隊。 這不是一條突發新聞，而是一條被大多數人忽略的長期趨勢的最新切片。今天我們把這張切片攤開來看清楚。

SK海力士正在恢復其位於中國大連的第二座NAND快閃記憶體工廠建設，預計將使其在中國的本地生產能力擴大約50%。 大連Fab 2（第二工廠）的建設始於四年前，但由於記憶體器市場低迷而長期暫停。SK海力士計畫最早於今年年底開始安裝半導體生產裝置，並在明年上半年實現該工廠全面投產。 據報導，SK海力士旗下NAND子公司Solidigm已於今年上半年恢復對大連Fab 2的投資，並重新啟動建設。生產裝置預計最快將於11月開始進場，該工廠計畫在明年上半年建立量產體系並開始生產NAND快閃記憶體。 據報導，新生產線設計月產能約為5萬片晶圓。加上目前大連Fab 1每月約10萬片晶圓的產能，SK海力士在中國的NAND本地產能將提高約50%。

①三星、SK海力士、美光2027年DRAM、HBM產能已售罄，NAND產能仍有談判空間；行業人士預計2027年將進入記憶體短缺最嚴峻時期；②AI推動內存需求激增致價格飆升，成本轉嫁消費者，微軟、任天堂已上調遊戲主機售價，iPhone 18 Pro預計售價超1399美元。 隨著全球晶片短缺加劇，全球「內存三巨頭」已售罄其2027年的全部產能。行業人士警告，明年可能將會進入記憶體短缺「最嚴峻時期」。 明年產能已分配完畢 綜合多家媒體報導，三星、SK海力士和美光目前已完成2027年全年產能分配談判，DRAM和HBM的產能均已提前售罄。至於NAND晶片，由於供給的廠家較多，買方可能仍有機會可努力爭取2027年NAND產能的分配和談判空間。

SK海力士將投資約54.3兆韓元（約382.82億美元），在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠，以擴大HBM、下一代DRAM及NAND產能。公司採取「基礎設施先行、設備按需投入」策略，預計2028年底至2029年陸續投產，並表示將根據客戶需求增加產能，以靈活應對AI時代持續增長的記憶體市場需求。 AI浪潮下，記憶體晶片龍頭正進一步加碼產能佈局。SK海力士宣佈，將投資約54.3兆韓元（約382.82億美元），在韓國龍仁和清州新建兩座晶圓廠，擴大DRAM和NAND生產基地，並根據客戶需求逐步增加產能，以滿足人工智慧帶動的HBM及先進記憶體需求增長。 8月7日，據韓聯社報導，公司董事會已批准向龍仁第二座晶圓廠（Y2）投資35.2兆韓元、向清州M17工廠投資19.1兆韓元。SK海力士表示，在AI時代，能夠在客戶需要時及時提供所需產能，本身就是核心競爭力。 按照規劃，兩座工廠均將在2031年前完成投資，首個潔淨室預計最早於2028年底至2029年陸續投產。這意味著SK海力士正提前鎖定未來數年的先進記憶體產能，以鞏固其在HBM及下一代DRAM市場的領先優勢。

三星電子的晶圓代工（半導體代工製造）正在加強其5奈米（奈米，1/1,000,000,000米）工藝的生產。這被解讀為，由於目前需求旺盛的4奈米工藝的利用率已達到極限，三星正將5奈米工藝作為一種替代方案。 據半導體行業5日消息，三星晶圓代工的4nm工藝預計要到明年才能滿負荷運轉。 一位半導體行業人士表示：“隨著三星電子HBM4（高頻寬記憶體器）訂單激增，4奈米生產線的利用率也大幅提高。記憶體器部門已成為該代工廠最大的客戶。” 此外，據說輝達推理 LPU（語言處理單元）“GROK-3”的產量也超出了預期，影響了 4nm 工藝的滿負荷產能。

8月5日消息，據韓國媒體《朝鮮日報》報導，三星電子晶圓代工業務預計將在2026年下半年達成100%的產能利用率。雖然目前其產能利用率預計在70%至80%左右，但從接單餘額與正在進行的合約進展來看，三星內外普遍認為年底達成100%產能利用率已成定局。 由於半導體代工具有裝置投資龐大、固定成本高昂的特性，晶圓廠若閒置會面臨虧損如滾雪球般擴大的風險。相反地，一旦產能利用率回到正常軌道，營收成長便能直接轉化為獲利。而三星晶圓代工部門自2024年以來因產能利用率跌破50%而經歷長期低迷，若能在一年多後重返全面運轉，將成為翻轉該部門赤字結構的重要轉折點。 此次三星晶圓代工產能利用率回升的主要原因，在於高頻寬記憶體（HBM）所需的邏輯基礎晶片（Base Die）以及美國科技大廠對先進製程產品需求的擴大。 隨著第六代HBM（HBM4）匯入4nm製程的邏輯基礎晶片，HBM的巨大需求直接轉化為晶圓代工的產能動力。此外，主要雲端服務供應商（CSP）以及人工智慧（AI）、高性能運算（HPC）客戶對2nm製程的需求也在擴大，與博通（Broadcom）等大廠的計畫討論亦在持續進行中。

迎來拐點！受HBM與AI需求雙輪驅動，三星晶圓代工下半年產能利用率有望衝刺100%，最快三季度扭虧。但要真正拿下高通等巨頭量產大單，跨越2奈米70%的良率「生死線」仍是決勝關鍵。 三星電子晶圓代工業務正迎來關鍵轉折點。在HBM基礎晶片與美國大型科技客戶需求拉動下，該事業部產能利用率有望於今年下半年觸及100%，困擾其逾一年的慢性虧損結構或就此迎來拐點。 韓媒《朝鮮日報》報導稱，三星晶圓代工目前產能利用率估計在70%至80%區間，結合現有訂單積壓與合同推進情況，年內實現滿產"幾乎已成定局"。三星電子在二季度業績說明會上表示，各製程節點利用率均較上年同期改善，8奈米以下先進製程更已"達到最高水平"，並預計今年2奈米項目訂單量將較上年翻番以上。公司同時表示，雖難以給出扭虧的確切時間節點，但"在不久的將來是可以實現的"。 市場分析人士預計，晶圓代工與系統LSI等非記憶體業務最早將於三季度、最遲四季度實現扭虧為盈。若產能利用率正常化疊加晶圓價格上漲效應，盈利改善速度或超出市場預期。