歐洲資本市場迎來歷史性時刻。光刻機巨頭ASML本周三收盤市值達到6680億美元（約合6740億美元），正式超越丹麥製藥公司諾和諾德在2024年6月創下的6500億美元紀錄，成為歐洲有史以來市值最高的上市公司。這一里程碑的背後，是華爾街兩大投行近乎同步上調目標價——摩根大通將ASML目標價從1515歐元上調至1900歐元，摩根士丹利從1400歐元上調至1660歐元，雙雙維持“超配”評級。 摩根大通分析師桑迪普·德什潘德指出，ASML無需新建廠房即可交付超過110台低數值孔徑EUV光刻系統，遠高於市場此前普遍認為的約90台上限，也超過公司自身的近期產出指引。摩根士丹利則認為其近期出貨信心增強，源自ASML在4月年度股東大會上透露的埃因霍溫Brainport產業園擴建計畫（將於2026年第三季度動工）。 EUV光刻機是台積電、三星、英特爾生產先進邏輯晶片不可或缺的核心裝置。每一片用於訓練和運行AI模型的先進製程矽晶圓，都要經過ASML掃描器的加工。因此，更多裝置出貨直接轉化為下游晶圓廠的新增產能。 值得注意的是，ASML的市值仍低於多家美國晶片公司突破的兆美元門檻，其今年約50% 的股價漲幅也落後於整體半導體類股在AI熱潮下的更猛烈漲勢。但ASML已超越SAP成為歐洲最大上市公司，目前市值超過歐洲第二、三名（匯豐控股與羅氏）之和。

半導體材料是晶片製造的關鍵，包括晶片基底製備，電路光刻，刻蝕沉積全流程。半導體材料整體國產化率約20%，未來空間巨大。 1、半導體材料：晶片製造之基 按環節分為：前道晶圓製造材料，後道封裝材料。 晶圓製造材料有：矽片、電子特氣、光刻膠、濕電子化學品、拋光材料、靶材、光掩膜版等。

5月，蘭德公司發佈《如何預測中國光刻技術的飛躍》（How to Forecast China’s Lithography Leap）研究報告，核心目的是對比德爾菲專家預測法與蘭德眾包預測平台兩種方式，評估美國出口管制背景下，中國實現高端光刻裝置本土化量產的可能性。研究設定兩大核心預測問題：一是2026年前中國能否量產每小時產能140片以上的商業級深紫外（DUV）光刻機；二是2030年前中國能否量產每小時產能90片以上的商業級極紫外（EUV）光刻機。報告梳理了兩種方法的預測結果與關鍵影響因素，分析方法差異並提出研究及政策建議，為半導體領域地緣競爭決策提供參考。 一、研究背景光刻技術是半導體製造的核心環節，直接決定晶片性能，已成為中美科技競爭的關鍵領域。2022~2025年，美國聯合荷蘭、日本出台多輪出口管制措施，逐步限制對華出口DUV、EUV光刻機及相關技術、材料與軟體，遏制中國高端半導體製造能力發展。報告指出，中國以上海微電子裝備公司為核心推進光刻技術本土化，已研發DUV原型機，但尚未實現量產；EUV技術則完全依賴外部供應，暫無自研裝置。本次研究聚焦中國在管制下的技術突破潛力，同時探究兩種預測方法在複雜科技議題中的應用價值。 二、德爾菲專家預測研究選取6名半導體和中國科技政策領域的專家，採用德爾菲法開展預測，經三輪匿名研討與反饋修正後形成結論：中國2026年量產目標DUV光刻機的機率僅25%，2030年量產目標EUV光刻機的機率僅10%。專家認為，時間不足是中國突破的首要阻礙，其次是技術壁壘，DUV光刻機需復刻完整供應鏈，而EUV光刻機更是ASML公司耗時20餘年才攻克的複雜技術。同時，美國出口管制切斷關鍵零部件與核心技術獲取管道，進一步加劇研發量產難度。專家提及的有利因素僅包括中國政策強力支援、資金投入充足及部分海外人才回流，但這些因素不足以抵消核心阻礙。 三、眾包平台預測蘭德旗下“蘭德預測倡議”平台開展為期五周的眾包預測，80名跨領域非專業參與者得出結果：中國2026年量產目標DUV光刻機機率為37%，2030年量產目標EUV光刻機機率達45%。眾包參與者認為，中國的國家戰略投入、大規模資金支援、持續人才吸引是技術突破的關鍵支撐。此外，中國在其他高科技領域的追趕經驗、對海外智慧財產權的獲取能力，也為光刻技術攻關提供助力。參與者同樣承認技術難度高、供應鏈受限等現實因素，但認為在長期政策驅動下，中國具備逐步突破的可能性。

2023 年 10 月，佳能發佈了一台很不像光刻機的光刻機。它沒有 EUV 那套錫滴、雷射、真空腔和蔡司反射鏡，也不靠鏡頭把電路圖案縮小投到晶圓上。它的辦法更直接，把刻好電路圖案的石英模具壓到晶圓表面的樹脂上，再用紫外光固化，揭開模具，圖案就留在了晶圓上。 像蓋章。 這台機器叫 FPA-1200NZ2C，佳能把它歸入奈米壓印光刻。嚴格說，它沒有擺脫所有光，因為樹脂固化還要用紫外光；它擺脫的是傳統投影曝光裡的光源、透鏡和縮小成像。EUV 要先造出 13.5 奈米極紫外光，再用一組反射鏡把圖案轉移過去。奈米壓印繞開了這條路，模具上是什麼尺寸，晶圓上就儘量複製什麼尺寸，中間少了一套昂貴的光學系統。 佳能官方說，FPA-1200NZ2C 可以形成最小 14 奈米線寬圖案，相當於現有 5 奈米節點邏輯晶片製造所需水平。如果繼續改進掩模，未來有望做到 10 奈米線寬，對應 2 奈米節點。DNP 也說，在佳能、Kioxia 和 DNP 的合作開發中，奈米壓印可把曝光環節功耗降到傳統方法約十分之一。對於一台 EUV 機器動輒上億美元、整套工藝耗電驚人的行業來說，這個路線當然有吸引力。

晶片製造的核心機器：光刻機 晶片領域的每一次突破最終都會遇到同樣的瓶頸：如何將其列印出來？晶片製造涉及數百種工具和數千個步驟，但其中光刻技術佔據了核心地位。極紫外光EUV光刻機是人類建造過最複雜、最昂貴的製造工具。雖然它的工作描述很簡單——將電晶體特徵列印到矽片上，但它實際上決定了晶片能有多小、多緻密以及多強大。 晶片製造的限制因素：光 光刻機的原理是讓光線穿過掩範本，照射在塗有光敏化學物質的矽片上。光照到的地方化學性質發生變化，未照到的地方則被去除，通過層層堆疊，晶片便顯現出來。雖然概念簡單，但在奈米尺度上實現卻極難。隨著電晶體縮小，光成為了限制因素。

在晶片行業摸爬滾打了大半個世紀，摩爾定律一直是所有人心裡那根準繩。它的邏輯很簡單：每18到24個月，把電晶體尺寸縮小一半，同樣大小的晶片上塞進兩倍的電晶體，性能翻番，成本還能往下走。這麼多年，大家都照著這條鐵律往前走，拚命把電晶體往小了刻。 但幹著幹著，大夥兒慢慢發現，這條路越走越窄了。當電晶體尺寸逼近原子等級，量子隧穿效應開始搗亂，繼續縮小已經不是咬咬牙就能搞定的事兒了。更要命的是，先進製程太燒錢了，造一座3奈米等級的晶圓廠，動輒數百億美元的投入，一顆2奈米晶片的設計預算已經突破10億美元，單位電晶體的成本不但沒降，反而開始反向上漲了。 其實，說白了就是，摩爾定律那套老玩法，撞上了物理和經濟的兩面牆。 這種背景下，2026年5月25日，華為半導體業務部總裁在上海召開的國際電路系統研討會（ISCAS 2026）上，拋出了一個全新的思路——韜定律。消息一出，整個半導體圈子都震了一下。

都知道，荷蘭ASML公司曾以4億美元/台的天價，賣出了全球第一台且是目前最先進的High-NA EUV光刻機。但這台光刻機交付已經有段時間了，卻遲遲沒能開始工作。 就在最近，ASML的CEO克里斯托夫·福凱終於官宣了好消息，用這台光刻機生產的首批晶片，幾個月後就能交付落地了，這批晶片主要涵蓋了儲存器和邏輯晶片兩大品類。 這個消息一出，就引起了業內熱議，它標誌著目前最先進的光刻技術，徹底告別測試階段，進入商業化落地的關鍵期，絕對算得上是晶片行業的大事件！ 可能有人對High-NA EUV沒概念，簡單說就是現有EUV光刻機的“加強版”。咱們都知道，現在的EUV已經是工業界的“精密天花板”了，而這台High-NA版本，直接把光刻精度拉到了新高度。它能把晶片電路的特徵尺寸縮小66%，說白了就是在同樣大小的矽片上，能塞下更多更小的電晶體，晶片性能自然也能跟著飆升。

荷蘭光刻機巨頭艾斯摩爾首席執行長克里斯托夫·富凱，最近談及美國不斷升級的對華晶片限制時，打了個意味深長的比方。 “如果我把你放到沙漠裡，告訴你以後再也沒有食物來源了——你需要多久才能自己開墾出一塊菜園？”他說，“這是存亡問題。” 當地時間5月20日，富凱在比利時安特衛普參加科技活動間隙接受英國路透社採訪時，作出了上述表態。他這番話，在某種程度上反映出當下美西方半導體產業內部的複雜情緒，即擔心美國進一步收緊限制措施，擾亂市場的同時，還會倒逼中國加速自研替代裝置。 近幾年，美國不斷推動盟友收緊對華半導體出口，而艾斯摩爾始終站在風暴中心。從極紫外（EUV）光刻機被美國禁止對華銷售，到如今連部分深紫外（DUV）光刻機也面臨新的限制壓力。