01前沿導讀據美國戰略與國際研究中心研究員格雷戈裡·C·艾倫表示，中國科技公司已聘請ASML員工開發國產的光刻機裝置，但整體進度仍然處於落後狀態。隨後艾倫補充表示，在美國禁令生效之前，中國企業與ASML緊急簽訂了採購協議，囤積了ASML部分老款光刻機，以便繼續製造那些不太先進的晶片。02取得成功美國經濟歷史學家、外交政策研究院主任克里斯·米勒在個人作品《Chip War》中指出，先進的光刻機裝置是人類迄今為止創造過的最複雜的工業機器，其供應鏈企業遍佈全球，包括了歐洲、美國、亞洲在內的5100家企業。涉及學科複雜，包括材料學、物理學、化學、機械製造、設計光學等各類科學技術。ASML的成功依託於全球資源體系的支援，並且服務於全球範圍內的客戶群體。美國的對華限制讓ASML中國區業務出現不穩定因素，先封鎖了中國企業在2018年採購的EUV光刻機，隨後又接連封鎖了浸潤式光刻機的出口，這極大刺激了中國本土裝置企業，讓中國自主技術裝置迎來了大規模的集中發展。ASML前CEO與現任CEO紛紛在接受採訪時指出，已經知曉中國企業在開發先進的國產光刻機裝置這件事，這完全合情合理。中國是一個14億人口的大國，作為一個世界上最大的經濟體，中國企業絕對不會接受在關鍵技術上面被別人卡脖子的困境，美國試圖阻止中國發展科技，那麼中國就會更加努力地取得成功。在先進晶片和EUV光刻機受到封鎖之後，中國企業積極採取備選技術方案，通過可採購到的ASML浸潤式光刻機以及自對準多重圖案化技術製造國產7nm晶片。該技術需要光刻機一次曝光，然後經過兩次沉積-刻蝕工藝的交替實現電晶體半間距的縮短，以此來達到等效7nm工藝的特性。這種技術雖然可以製造7nm晶片，但是其能效、性能、良品率、成本均無法與先進的EUV技術相比。在積極解決先進晶片卡脖子的困境時，中國企業還在持續推進國產化裝置的技術進度。2024年中國工信部公佈了兩台光刻機裝置，一台KrF一台ArF。最先進的ArF裝置已經具備了65nm解析度，可以實現65nm—40nm的晶片製造。雖然只是兩台幹式光刻機裝置，但對於中國之前90nm的裝置來說技術進步明顯。03裝置出口ASML中國區總裁沈波此前在中國進博會上對媒體表示，從1988年ASML將第一台裝置運送到中國至今，中國大陸地區包括光刻機以及測量台在內的裝置數量達到了1400台左右。這些ASML的裝置，一部分被拿去生產等效工藝為7nm的先進晶片，另一部分被用於製造28nm、14nm工藝的成熟晶片，這些成熟工藝的晶片被廣泛應用於汽車、工業控制、物聯網、消費電子等領域，佔全球總市場需求的60%以上。大規模囤貨確保了在未來可能完全斷供的情況下，中國龐大的製造業基礎不至於因缺少裝置而停擺，為經濟安全構築了關鍵防線。據ASML財報顯示，2023年至2025年，中國市場為其貢獻的總銷售佔比極高，某些季度一度達到了40%以上的規模佔比。依靠ASML裝置形成的製造產業鏈，是整個全球晶片製造業的技術標準，同時也是中國國產光刻膠、鏡頭、工作台等裝置材料相對比的範本。研發團隊可以將國產部件接入現有產線進行測試，對比其與進口原件的性能差距，從而獲得最直接的反饋資料進行迭代最佳化。ASML的裝置能達到現在這麼穩定的水平，也是經過了長時間的技術偵錯與大量的資料資訊當做參考。依照ASML的標準進行國產技術的最佳化，這要比閉門造車效率高得多。如今來自於美國的外部壓力，已經迫使中國半導體產業從單點突破轉向系統發展。在刻蝕、沉積、清洗、檢測等多個裝置領域，北方華創、中微公司等本土廠商已加速進入主流產線，芯上微裝等本土光刻機企業也正在有條不紊的推動技術進步。中國企業依靠內需市場以及前幾年所囤積的進口裝置，正在成熟製程領域形成規模優勢和成本優勢。這不僅能滿足內需，還可能以更具競爭力的價格參與全球市場，從而在半導體產業的基本盤中佔據主導地位，削弱傳統巨頭的利潤基礎，為向高端進軍積累資本和市場話語權。 (逍遙漠)

01 前沿導讀在上海舉辦的SEMICON China 2026展會當中，日本光學巨頭尼康攜旗下工業鏡頭產品以及光刻機裝置參展。尼康在展台當中表示，未來將會加大對中國市場的投入，為中國市場提供更高優先順序的裝置資源。尼康所說的提供裝置資源，涵蓋了對中國市場銷售二手的i線裝置和DUV光刻機、對特定的光刻機裝置提供技術升級服務、為不同客戶提供裝置的安裝和移機等特色服務。並且尼康在展台當中，還特別強調以上這些針對中國市場的特色服務，將是尼康光刻機業務重返巔峰的關鍵策略。02 業務低迷據尼康年度財報表示，尼康在過去半年內只銷售了9台光刻機裝置，並且這9台裝置都是成熟製程的產品。包括光刻機在內的尼康精密裝置業務，其全年營業利潤僅為15.44億日元，同比暴跌89.8%。而同為光刻機裝置企業的荷蘭ASML，在2025年總共銷售了535台光刻機裝置，其中高價值的EUV光刻機銷量48台，DUV光刻機銷量279台，計量與檢查系統銷量208台，而且ASML的毛利率達到了52.8%。不管是銷量還是盈利能力，ASML都是全球光刻機產業的龍頭。尼康在上世紀八十年代左右，憑藉著日本通產省政府推動的VLSI（超大規模積體電路）計畫，與佳能一起成為了日本光刻機產業的兩大核心企業。尼康負責攻克步進式光刻機裝置，佳能負責攻克投影式光刻機裝置。當時全球光刻機的霸主是美國GCA，其市場佔有率常年保持在50%以上。尼康的首款光刻機NSR-1010G，就是參照美國GCA的光刻機進行仿製的產品。從外觀到內部的晶圓台設計，從內部設計到技術指標，幾乎一模一樣。美國GCA對此不以為然，GCA認為尼康就算複製他們家的光刻機，也只能是複製外觀，複製不了裡面的核心技術。早期的尼康光刻機，幾乎都依賴於日本本土企業的支援，例如日本NEC、東芝等晶片製造商。隨後尼康開始基於1010G光刻機進行自主設計，並且從1010G開始，尼康在銷售光刻機的同時，還附贈給客戶5名工程師的服務包，開始在客戶服務上面下功夫。尼康的客戶服務是打敗美國GCA的核心因素，在滿足於內需市場之後，尼康開始在國際範圍內搶奪GCA的客戶，甚至還在美國建設分公司，以便尼康可以更好的服務美國客戶。從1980年代開始，光刻機的市場霸主從美國GCA逐步過渡到了日本尼康，隨後便迎來了尼康與ASML的競爭。當時光刻機技術陷入瓶頸，193nm的波長無法繼續縮短。尼康投入巨額資金走硬體升級的路線，打算通過素質更高的雷射和鏡頭元件將193nm波長縮短至157nm。而ASML選擇採用台積電研發處長林本堅的浸潤式技術，在鏡頭與掩範本之間加入一層超純水當做介質，光源打入水中形成折射，將193nm的波長縮短至134nm。此前林本堅拿著該技術找尋尼康進行商業化合作，但尼康對此技術並不認同，而且尼康已經在傳統路線上投入大量資源，於是便否決了與林本堅的合作。當ASML推出首款量產的浸潤式光刻機之後，尼康就已經被宣告落後了。儘管尼康在後來也推出了浸潤式光刻機，但是在效率、性能、耐用性上面，要比ASML的裝置差很多，並沒有太多國際客戶接納尼康的浸潤式裝置，幾乎都是日本本土企業採購使用。從此開始，尼康的光刻機業務開始走下坡路。03 重返巔峰此次尼康針對中國市場進行的重點投入，可以算是為中國企業提供了全流程服務。從封裝光刻機到前端曝光光刻機，再到光刻機配套的對準站裝置，尼康全部拿出來為中國客戶提供技術服務。並且尼康較為先進的浸潤式光刻機NSR-S625E，以及尼康最新款的乾式DUV光刻機NSR-S333F也被拿出來投入到中國市場上服務中國客戶。據尼康株式會社發佈的官方資料顯示，尼康基於旗艦浸潤式光刻機NSR-S636E技術平台降級推出 了最新的乾式DUV光刻機NSR-S333F。該裝置在上一代NSR-S322F的基礎上升級製造效率和疊加精度，並且還擁有尼康最先進的技術平台，適用於邏輯晶片、儲存晶片、圖像感測器等產品的製造。2025年10月份接受客戶訂單，2026年下半年進行首批交付。參考資料：Introducing the NSR-S333F ArF Scanner - Now Open for Orders Starting in October | News | Nikon About Ushttps://www.nikon.com/company/news/2025/0925_01.html現在全球擁有光刻機製造能力的國家企業屈指可數，日本的尼康和佳能、荷蘭的ASML、中國的上海微電子及其分支企業。荷蘭ASML受美國出口管制的影響，已經無法將EUV光刻機和較為先進的浸潤式DUV光刻機出口給中國企業。雖然美國敦促日本禁止將光刻機出售給中國企業，但是日本光刻機已經不包含美國技術體系，所以美國無法通過最小比例原則來強制性封鎖日本光刻機的對華出口，這就給了日本光刻機企業一個機會。ASML無法與中國企業建立更廣泛的合作，所以尼康就打算通過中國市場來填補ASML留下的市場缺口，從而振興尼康光刻機業務的經濟效益。尼康最新發佈的乾式DUV光刻機NSR-S333F，在光源波長、鏡頭解析度上面與中國工信部在2024年公佈的國產乾式光刻機不相上下。但是尼康的裝置基於先進的浸潤式平台降級打造，其套刻精度為≤ 4nm。在套殼精度上面，尼康的裝置要強於中國乾式DUV光刻機的≤ 8nm。從技術指標上面來看，尼康的光刻機要比我們的國產裝置更具商業化優勢。但是尼康的產品就算再好、技術水平再先進、價格再實惠，其本質上也是外國的技術裝置。這對於當下追求晶片產業鏈自主可控的各大中國企業來說，日本尼康的裝置可以考慮購買，但絕不能是因為購買尼康的產品而忽略國產裝置的發展。 (逍遙漠)

近日，日本光學巨頭尼康（Nikon）發佈了其歷史上最為慘烈的虧損預警——預計2025財年將出現850億日元的巨額虧損，創下公司自1917年創立以來的百年最差紀錄。其核心的光刻機業務遭遇全線潰敗，讓昔日光刻霸主正陷入空前生存危機。援引多處報導顯示：過去半年，尼康光刻機僅出貨9台，且全部為技術含量較低的成熟製程老款裝置，技術代際明顯滯後。這意味著，這家曾經與英特爾、AMD深度繫結、制定行業標準的王者，在先進製程領域已徹底失去競爭力。尼康不僅未能承接住這一波AI算力爆發的紅利，反而因訂單大幅萎縮和庫存積壓，陷入了前所未有的財務泥潭。與之形成刺眼對比的是，2025年荷蘭ASML狂賣327台，僅高端EUV光刻機就出貨48台，佔據全球高端市場絕對主導地位。一個時代的轉折點曾與ASML、佳能並稱“光刻機三巨頭”的尼康，2001年時還佔據全球光刻機市場約40% 份額，全球幾乎每兩台光刻機中就有一台產自尼康。這家當時被晶片巨頭們競相追捧的對象，如今市佔率已跌至個位數，市場競爭力幾近歸零。從巔峰到谷底，尼康的墜落並非一夜之間。它的命運轉折，恰好映照出全球光刻機市場三十來年的風雲變幻，也向業界拋出一個殘酷的問題：當行業老大一騎絕塵，曾經的王者該如何自處？當技術路線被對手鎖死，後來者還有沒有翻盤的機會？從巔峰到谷底，尼康的潰敗之路尼康光刻機的“黃金時代”要理解尼康的隕落，得先回到它的光輝歲月。尼康的光刻機業務起步於上世紀70年代，依託其在相機鏡頭領域的核心技術優勢，快速切入半導體光刻裝置市場。彼時，全球半導體產業正處於快速崛起的初期，晶片製程從微米級向奈米級逐步邁進，光刻裝置作為晶片製造中最核心、最複雜的裝置，成為各大企業爭奪的焦點。憑藉精準的市場判斷和領先的光學技術，尼康迅速在光刻機市場站穩腳跟，並在上世紀80年代迎來爆發。當時，尼康推出的193nm波長乾式光刻機，憑藉超高的解析度和穩定性，成為全球晶片廠商的首選裝置，一舉主導了193nm乾式光刻時代的市場。據行業資料顯示，在1990年代中期，尼康的光刻機全球市場份額一度突破50%，與佳能平分秋色，兩者合計佔據全球光刻機市場90%以上的份額，形成了“日企雙雄”壟斷的格局。這一時期的尼康，最核心的競爭力在於與全球頂尖晶片企業的深度繫結。當時，英特爾、AMD等美國晶片巨頭，正全力推進CPU製程的升級，而尼康的光刻機，憑藉穩定的性能的領先的技術，成為這些企業的核心供應商。尼康為英特爾量身定製的光刻裝置，完美匹配其CPU的生產需求，幫助英特爾在與AMD的競爭中佔據優勢。據悉，從英特爾、AMD、IBM到德州儀器，全球晶片巨頭為了求得一台尼康光刻機，不惜成立對接團隊常駐尼康矽谷分部，只為爭取優先供貨權。坊間甚至流傳，有半導體老闆親赴尼康工廠蹲點，預付全款只為求一個偵錯名額。這種深度繫結，也讓尼康獲得了穩定的訂單和豐厚的利潤，進一步鞏固了其行業地位。除了繫結美國巨頭，尼康在日本本土也擁有強大的客戶基礎。索尼、東芝、日立等日本半導體企業，均是尼康的核心客戶，這種“本土協同”的優勢，讓尼康在全球市場中如虎添翼。在巔峰時期，尼康的光刻機不僅是技術的標竿，更是行業標準的制定者，其推出的光刻技術規範，被全球多數晶片廠商採納。在尼康的鐵騎之下，美國光刻機鼻祖GCA被迫宣告破產；彼時的ASML，也還只是一個在歐洲市場掙扎、市場份額不足10%的小廠商，根本無法與尼康相提並論。在當時，尼康可謂風光無限，其輝煌程度甚至超過如今的ASML。光刻業務成為集團的核心盈利支柱，帶動相機、望遠鏡等其他業務共同發展，尼康也一度成為日本製造業的驕傲，被視為技術立國的典範。沒有人會想到，這樣一個站在行業頂端的王者，會在短短二三十年後，陷入如此艱難的境地。三重失誤，一步步錯失時代浪潮轉折發生在2002年。那一年，時任台積電資深處長的林本堅，敲開了尼康的大門。針對當時193nm乾式光刻機遭遇瓶頸、下一代157nm光源研發進展緩慢的局面，林本堅提出了一個顛覆性設想：在鏡頭與晶圓之間注入一層水。利用水的折射率，可以將193nm光源的等效波長縮短至134nm，從而繞過157nm路線的諸多難題。這就是後來改變半導體歷史的浸沒式光刻技術路線。這本來是一條成本更低、效果更好的捷徑，卻遭到尼康幾乎所有高管的反對。從會長到技術帶頭人，甚至沒有人有耐心細聽林本堅的解釋。尼康的代表當場質問：“如果水污染了鏡頭，你們台積電賠得起嗎？如果氣泡導致批次報廢，這個責任誰擔？”更深層的原因在於路徑依賴。當時尼康已經在157nm乾式光刻機上投入了超過數億美元。轉攻浸沒式路線，意味著此前投入全部打水漂。據華商韜略報導：尼康不僅拒絕了林本堅，甚至試圖利用自己的行業威望來封殺這個構想。據林本堅後來回憶，尼康高層曾給台積電研發副總蔣尚義打電話稱：“請管好你們的林本堅，不要讓他到處推銷這種破壞行業共識的構想，這會讓大家分心並浪費資源。”在尼康碰壁後，林本堅飛往荷蘭。彼時的ASML尚在夾縫中求生，急需破局機會。ASML的技術靈魂馬丁·范登布林克（Martin van den Brink）力排眾議，將ASML所有資源押注在這個瘋狂的想法上。2004年，ASML與台積電合作推出世界上第一台浸潤式光刻機ArFi，憑藉更高的精度和更低的成本橫掃全球市場。2007年，ASML市佔率突破60%，首次形成碾壓態勢；2010年後，ASML市佔率突破70%，尼康、佳能被徹底拉開差距。尼康引以為傲的頂級鏡頭，在新的技術路線面前瞬間失色。尼康和佳能被迫放棄157nm路線轉而跟進浸沒式，但早已為時過晚。在浸沒式ArF光刻領域，ASML憑藉其成熟的TWINSCAN雙工件台技術已牢牢掌握九成以上的市場份額。這是一場教科書級的技術誤判。尼康並非沒有技術能力，而是被自己的成功經驗禁錮，對體系之外的新技術有一種天然的排斥。然而，浸沒式的失利只是開始，尼康真正的“滑鐵盧”還在後面。面對浸沒式光刻機戰役的慘敗，尼康將希望寄託於下一代技術：EUV（極紫外光刻）。這種波長更短（13.5nm）、能夠在晶片上雕刻更微小電路的技術，被其視為重返巔峰的關鍵一役。時任尼康光刻機技術負責人的馬立稔和，立下雄心壯志：全自研、全日本產。他試圖在封閉的牆內，復刻那個精密製造征服世界的時代。同時，已失去晶片霸主地位的日本政府也傾力支援，將其視為國運之戰。以經濟產業省為主導，日本建構了一個龐大的“產官學”聯合體，投入數百億日元資金，聯合尼康、佳能、東京電子、信越化學等產業鏈企業，共同攻關。這是一次典型的日本式衝鋒：資源集中，目標單一。但此時，世界已經變了。就在尼康傾力EUV項目的2012年，ASML接到了來自英特爾、三星、台積電的首次大規模戰略投資。三大客戶共同出資，幫助ASML加速研發EUV，同時建起了自己的EUV聯盟。這個聯盟不僅捆綁了全球最頂尖的晶片製造商，還集結了德國蔡司（鏡頭）、美國Cymer（光源）等全球最強的產業鏈企業。這種"垂直合作"模式讓ASML能夠集中資源於系統整合與核心技術突破，而非面面俱到。這也是尼康失敗的深層原因之一。長期以來，日本企業篤信全自研的生產模式，核心零部件（透鏡、光源、精密機械）均選擇高度自研。這種“垂直整合”在技術迭代慢的時代能保證極致品質，但當EUV這種需要全球高度協作的行業，研發費用動輒百億美金、涉及10萬個零部件的“人類工業巔峰”到來時，尼康發現，它早已無力支付這張入場券。而ASML“利益捆綁、風險共擔”的選擇了使其走向了完全不同的道路。更要命的是，曾經在晶片上吃過日本大虧的美國，以國家安全為由，將尼康、佳能等日系廠商排除在EUV技術聯盟之外，切斷了它們獲取美國頂尖技術的通道。至此，尼康的“全自研”，變成了“閉門造車”。截止2018年，尼康在EUV項目上的投資據估算超過千億日元，堪稱公司歷史上最大單筆技術押注。但這筆投入換來的，僅是一台無法商用的原型機。當ASML的EUV光刻機早已在台積電產線上瘋狂迭代時，尼康的原型機依舊在實驗室吃灰。當2018年台積電宣佈7nm製程量產時，ASML憑藉EUV壟斷了全球90%的高端光刻機訂單，形成沒有替代品的技術霸權。最終，尼康公司不得不宣佈：終止EUV光刻機的商業化開發。除了技術路線的連環誤判，尼康在市場策略上也犯下致命錯誤。它過度押注單一巨頭英特爾。2024年，英特爾因巨額虧損大幅削減資本開支，直接導致尼康訂單暴跌。同時，尼康未能及時拓展台積電、三星等核心晶片廠商，訂單缺口無從填補。外部政策環境更是雪上加霜。過去五年，中國曾是尼康最大的"救命稻草"。隨著大陸晶圓廠擴產，尼康精密裝置對華銷量佔比一度超過40%。然而，在美國對中國實施半導體裝置出口管制時，尼康選擇了緊跟美國步伐，放棄合作機會，導致尼康裝置交付延誤、成本飆升，中國客戶紛紛轉向國產替代，進一步擠壓其生存空間。《日經亞洲》曾對此指出，中國已成全球第三個擁有完整光刻機製造能力的國家，尼康再想憑高價舊款分羹，早已錯失良機。2025年9月，尼康關閉了營運58年的橫濱工廠，標誌著其光刻機業務進一步收縮。而70歲的馬立稔和即將卸任。從技術帶頭人一路走到權力巔峰，這位尼康老將曾試圖以一己之力挽回昔日榮光，但終究力有不逮。ASML：從“守成”到“進攻”在尼康一步步走向潰敗的同時，ASML則從一個行業追隨者，已成長為全球光刻機市場的絕對霸主。在高端光刻機領域。ASML的壟斷地位無人能及。尤其是EUV光刻市場，ASML更是一家獨大，掌控著7nm及以下先進製程晶片製造的“咽喉”，無論是台積電、三星，還是英特爾，都依賴ASML的EUV光刻機。據統計，ASML在EUV光刻機市場的份額達到100%，在高端DUV光刻機市場的份額也達到90%以上，形成了堅實的技術壁壘和市場護城河。這構成了它的“現金牛”和壟斷根基。但ASML並未止步於此。隨著摩爾定律逼近物理極限，單純依靠電晶體微縮來提升晶片性能的成本越來越高，難度越來越大。產業界將目光投向了另一個方向：先進封裝。隨著晶片製程不斷逼近物理極限，先進封裝技術成為提升晶片性能的重要路徑。這正是輝達的H100/B200等AI晶片所依賴的核心技術——台積電CoWoS、InFO等封裝技術的重要性由此凸顯。ASML敏銳地意識到：僅控制“前道製造”，或許已不足以主導未來。如果能夠在先進封裝裝置領域佔據優勢，就能夠從“前道製造”延伸至“後道封裝”，實現對整個晶片製造流程的掌控，進一步擴大自己的市場份額，鞏固行業霸權。於是，ASML轉向“進攻”，開始向先進封裝裝置領域進行佈局和探索。正可謂，當對手還在泥潭時，贏家已經開始重新定義新戰場。2025年10月，ASML邁出實質性步伐，推出首款先進封裝光刻機 TWINSCAN XT:260，正式進軍先進封裝市場。這款裝置採用365nm i線光源，實現400nm解析度圖案化，主要應用於RDL、TSV等關鍵工序。其套刻精度達±1.2nm，較前代提升52%，生產效率達每小時270片晶圓，較前代提升4倍。TWINSCAN XT:260的推出，標誌著ASML正式進入先進封裝裝置市場，而其憑藉光刻裝置領域積累的技術優勢和品牌影響力，迅速獲得了市場的認可。據業內消息，台積電、三星等核心客戶已經紛紛下單，訂購ASML的先進封裝光刻機，用於其Chiplet技術的研發和量產。但這或許只是開始。近日，據業內人士消息透露，ASML已著手研發混合鍵合機台，並攜手EUV光刻機磁懸浮系統元件供應商Prodrive、VDL-ETG等合作夥伴聯合推進。混合鍵合是下一代3D整合的核心技術，能夠實現銅對銅的直接鍵合，省去凸塊，大幅提升互聯密度。能看到，ASML正試圖將光刻機的技術壁壘——精密對準、高精度運動控制——複製到後道裝置，搶奪原本屬於Besi、應用材料等裝置廠商的蛋糕。ASML首席技術官Marco Pieters此前曾公開表示，公司會持續研判半導體行業的長期發展趨勢，重點關注封裝、鍵合等領域所需的裝置基座研發，為佈局相關業務做好技術儲備。ASML的出擊釋放出一個明確訊號：裝置巨頭之間的戰爭，已從單一工序演變為對整個晶片製造流程的鏈式競爭。誰能提供從前道到後道的系統級解決方案，誰就能在下一輪產業洗牌中掌握更大話語權。佳能：偏安一隅，在夾縫中尋找“奇點”在尼康潰敗、ASML稱霸的格局下，佳能選擇了第三條路。作為三巨頭之一，佳能同樣錯失了EUV時代。但它沒有像尼康那樣在高端市場硬碰硬，佳能很清楚，在波長競賽上它已無法追上ASML，而是務實轉身，聚焦差異化生存。一方面，佳能深耕成熟製程光刻機市場。依託在光學領域的積累，佳能提供高性價比的產品，穩守i-line、KrF等成熟製程市場這一基本盤，使其在二、三線晶圓廠中擁有極高的忠誠度。雖然技術層級低於ASML的EUV和ArFi裝置，但佳能穩守利基市場，在功率器件、感測器、顯示驅動、先進封裝等成熟製程領域活得滋潤。另一方面，佳能正在進行一場新的探索：奈米壓印（NIL）。這項技術的原理與光學光刻完全不同，NIL不使用複雜的光學系統將圖案投影到晶圓上，而是像蓋章一樣，直接將帶有電路圖案的範本壓印在晶圓的光刻膠上，再用紫外線固化。理論上，奈米壓印優勢顯著：解析度可媲美甚至超越EUV，成本僅為EUV系統的十分之一，單片製程成本約為EUV的四分之一；能耗更是降低九成以上——EUV整機功率可達1兆瓦，而NIL僅需約100千瓦。佳能於2014年收購了奈米壓印公司Molecular Imprints Inc.，推出自有技術品牌J-FIL。2023年10月，佳能正式推出FPA-1200NZ2C奈米壓印光刻系統，宣稱可用於生產5nm晶片，未來甚至有望下探至2nm。SK海力士已從佳能引進奈米壓印裝置，計畫用於3D NAND快閃記憶體量產。這是對EUV體系的徹底繞過，如果奈米壓印能在對缺陷率包容度較高的儲存晶片領域率先大規模量產，佳能或將能直接改寫遊戲規則。然而，奈米壓印的商用之路依然佈滿荊棘，範本壽命與缺陷控制是該技術面臨的兩大核心難題。由於範本直接接觸晶圓，其上的奈米級結構極其脆弱。目前量產測試顯示，範本壽命僅能支撐壓印約50片晶圓，遠不及光學掩模的10萬片級壽命。佳能聲稱新設計可延長十倍，但業界實測仍不理想。更致命的是缺陷複製問題：範本上任何微小缺陷都會被覆制到所有晶圓上，造成嚴重的重複缺陷。而要檢測範本缺陷，所需裝置產能相當於全球掩模檢測裝置一整年的供應量，經濟效益明顯不符。此外，NIL的套刻精度與產能仍落後ASML的EUV系統。由於佳能採用單晶圓台架構，無法同時執行測量與壓印，最高產能僅約每小時25片晶圓。正如業界形容：“NIL就像一隻設計完美的精密鐘錶，性能與成本都遠勝競品，但關鍵齒輪卻是玻璃制的——看似完美，卻撐不過實際運轉。”佳能顯然意識到這一點，仍在持續投入研發。2026年1月，佳能宣佈在世界上首次開發並實際應用了一種名為IAP（噴墨自適應平坦化） 的突破性晶圓平坦化技術，利用奈米壓印技術積累，可將300mm晶圓表面的地形起伏控制在5nm以內，計畫2027年商用。這可以視為奈米壓印技術的衍生應用，繞開核心難題，先在細分領域尋找突破口。佳能的路徑給行業一個啟示：當主流技術路線已被巨頭壟斷，後來者未必需要正面硬剛。在夾縫中尋找技術奇點，圍繞長尾客戶建構差異化競爭力，同樣可以贏得生存空間。復盤與啟示：光刻機戰場的規則變了復盤全球光刻機三巨頭的發展路徑，不難發現，如今的光刻機市場，已經形成了“ASML稱王，佳能偏安，尼康掉隊”的格局。三家企業的命運沉浮，折射出全球光刻機行業的深刻變革，釋放出諸多值得深思的訊號，也為行業內的其他企業，提供了寶貴的啟示。企業基因的博弈尼康和佳能的困境，在很大程度上反映了日本製造業在面臨顛覆式技術變革時的共性問題——路徑依賴與完美主義。日本企業在技術研發上，往往追求極致的完美，一旦投入資源研發某一種技術路線，就很難輕易放棄，這種“路徑依賴”，讓其在面對新的技術浪潮時，難以快速調整戰略，最終錯失機遇。尤其是在顛覆性技術面前，過往的成功經驗往往是最大的包袱。尼康在浸沒式技術面前的遲疑，本質上是對自身“垂直整合”模式的自信——核心部件全部自研，才能保證絕對品質。但當光刻機的複雜程度呈指數級上升時，這種封閉體系反而成為創新阻礙。沒有任何一家公司能夠獨自掌握所有尖端技術。ASML的成功，恰恰得益於其開放與協作。ASML敏銳地捕捉到技術變革的趨勢，快速調整技術路線，與全球頂尖供應商展開深度合作，建構了龐大的產業鏈生態。這種開放的協作模式，讓ASML能夠集中精力專注於核心技術的整合與最佳化，同時借助全球資源，快速提升產品性能，降低研發成本，最終實現了行業壟斷。這種開放協作建立的生態系統優勢，或許比單打獨鬥更難被覆制。這背後，是企業基因的差異。日本企業的“垂直整合”基因，強調自給自足、精益求精，在技術相對穩定的時代，能夠發揮優勢；但在技術快速迭代、複雜度不斷提升的今天，這種基因反而成為創新的阻礙。ASML的開放協作基因，強調資源整合、靈活應變，更適應新時代的行業發展趨勢。此外，ASML的成功，還得益於其持續創新的基因。在壟斷高端光刻機市場後，ASML並沒有固步自封，而是敏銳地捕捉到先進封裝技術的機遇，加速跨界佈局，從單一的光刻裝置供應商，向全流程半導體裝置供應商轉型，持續擴寬自己的護城河。不過，佳能在錯失機遇後，相比尼康展現出更強的戰略靈活性。它沒有固守傳統光刻技術，而是聚焦差異化選擇，探索新路徑，發展長尾客戶，在夾縫中獲得了自己的生存空間。這種"知進退"的智慧，值得其他非頭部廠商借鑑。競爭維度升維：從“單機”到“生態”光刻機的戰爭暫時可能已經結束，但半導體裝置的戰爭才剛剛開始。ASML向先進封裝的擴張，標誌著裝置巨頭之間的競爭維度已經升級。當光刻機市場的勝負已定，ASML開始利用其在精密對準、高精度運動控制領域的技術壁壘，向後道裝置延伸，試圖建構從“前道製造”到“後道封裝”的全流程解決方案。據Yole Group預測，全球先進封裝市場規模將從2024年的380-460億美元增長至2030年的790-800億美元，年複合增長率達9.4%-9.5%。這一增量市場，將成為裝置巨頭們爭奪的新戰場。這也意味著，未來的半導體裝置市場，競爭將不再是單點突破，而是系統級的技術整合能力，將從單一環節開始向全流程佈局轉型。誰能提供更完整的解決方案，幫助客戶降低系統複雜度、縮短上市周期，誰就能在下一輪競爭中佔據主動。另外還值得注意的是，地緣政治因素也將深刻影響未來半導體裝置市場的格局。近年來，全球半導體產業的地緣政治博弈日益激烈，出口管制、技術封鎖等措施，不僅影響了企業的發展，也改變了行業的供應鏈格局。未來，企業在制定戰略時，也要充分考慮地緣政治因素，建構多元化的供應鏈，降低經營風險。寫在最後尼康的倒下，更像一個警鐘，提醒所有科技企業：在這個由資本和技術雙重驅動的殘酷行業裡，沒有永遠的王者，只有時代的適應者。尼康並非沒有技術，也並非沒有資金。它輸在對新趨勢的誤判，輸在封閉體系的慣性，輸在未能及時調整客戶結構的遲緩。當技術路線轉向時，昔日的資產可能瞬間變成負債。ASML的今天，源於二十年前那次擁抱浸沒式技術的果敢，源於建構全球開放生態的戰略遠見。但歷史已經證明，霸權往往是衰落的前奏。當ASML從光刻機霸主向“全產業鏈整合者”擴張時，它也在面臨新的風險：技術複雜度的進一步攀升、地緣政治的不確定性、以及潛在顛覆性技術的威脅。據中商產業研究院預測，2026年全球光刻機市場規模預計將達392億美元。在這個規模巨大且快速膨脹的賽道上，遊戲規則已然改寫，技術範式的轉換、商業模式的創新、生態系統的博弈，隨時可能顛覆既有格局。唯一確定的是，半導體產業的競爭永遠不會停歇。唯有保持開放、擁抱變革，以及對時代變遷始終保持敬畏的企業，才能在下一次技術浪潮中存活下來。尼康的潰敗，是一曲舊時代的輓歌；而ASML的擴張與佳能的探索，則是新戰局的序章。光刻機的故事遠未結束，它只是翻到了更複雜、更殘酷的一頁。 (半導體行業觀察)

最近晶片圈徹底炸了鍋，荷蘭突然官宣了光刻機出口的新規定，沒有任何預兆，一時間整個行業都亂了套。最直觀的影響就是，全球有450億顆晶片訂單直接停滯，沒法生產、沒法交付，不管是國內的工廠，還是國外的合作商，全都慌了神，只能被動等著，一點轍都沒有。可能有人會問，不就是一台光刻機嗎？至於鬧這麼大動靜？其實大家不知道，光刻機就是晶片製造的“核心命脈”，沒有它，再厲害的晶片設計也只是紙上談兵，根本造不出來。而全球高端光刻機市場，基本被荷蘭ASML一家壟斷，尤其是EUV和DUV兩種光刻機，前者造高端手機晶片，後者造咱們日常用的成熟製程晶片，都是剛需中的剛需。早在2023年，荷蘭就卡過咱們一次，但當時只卡最頂尖的EUV光刻機，咱們普通人平時接觸不到，對日常影響不大。可誰也沒想到，這管控力度越來越大，荷蘭直接裝都不裝了，新規狠到超出所有人預期——28nm、45nm這些成熟製程的DUV光刻機，只要是出口到中國，直接暫停發貨，連申請許可的機會都沒有，更狠的是，當天宣佈當天執行，連一天緩衝期都不給。這一下可把所有人都整懵了，國內的晶圓廠懵了，連荷蘭自己的ASML估計都沒反應過來。新規宣佈前一天，還有國內晶圓廠和ASML對接發貨，合同簽了、預付款付了，結果第二天就被通知“貨發不了，合作也黃了”，換誰誰不慌？荷蘭為何突然來這麼一出？說穿了就2個原因。一是被美國逼的，二是自己太飄了。美國這些年一直怕咱們晶片產業崛起，天天給荷蘭吹耳邊風，甚至拿貿易制裁威脅，逼著荷蘭擴大管控範圍，想把咱們的晶片產業卡死在搖籃裡。而荷蘭自己呢，覺得全球就它能造頂尖光刻機，咱們離不開它，只要一卡DUV，咱們的工廠就會停工，到時候只能求著它，既能賺大錢，還能賣美國一個人情，算盤打得噼啪響。可它千算萬算，沒算到自己搬起石頭砸自己的腳。450億顆晶片停滯，可不是鬧著玩的。一輛家用車就需要幾十上百顆成熟製程晶片，控發動機、導航、空調，少一顆都造不出來，新規一出，不少汽車廠直接停工，提車周期從1個月漲到3個月以上，熱門車型直接斷供。家裡的智能家電也受影響，訂好的冰箱、洗衣機遲遲不發貨，商家光違約金就賠了上千萬。工業、醫療領域更慘，生產線停工、醫療裝置供應不足，整個產業鏈全停擺了。國內晶圓廠首當其衝，斥巨資買的裝置要麼卡在港口，要麼沒法獲得技術支援，手裡握著訂單卻造不出晶片，只能眼睜睜違約，不少中小型廠家都快撐不下去了。而ASML也沒好到那去，中國是它第三大市場，佔全球營收20%，新規一出，對華訂單斷崖式下跌，今年1月還裁員1700人，連技術骨幹都沒保住。這時候歐洲媒體先炸了，《德國商報》吐槽，半導體產業本來就是全球分工，沒有那個國家能獨吞，荷蘭這麼幹，遲早害了自己。《金融時報》也說，卡中國的結果，是歐洲自己受損。而他們說的“一切都結束了”，其實是西方靠技術壟斷卡脖子的時代，徹底結束了。很多人擔心，咱們的晶片產業是不是徹底沒希望了？恰恰相反，荷蘭的禁令，反而把國產晶片“逼”出了一條生路。以前不少企業還想著走捷徑，能買ASML裝置就不搞研發，可現在才明白，靠別人永遠靠不住。如今國內企業卯足勁搞研發，28nm晶片大規模量產，14nm晶片穩定供貨，國產DUV光刻機也完成測試，送到晶圓廠驗證，效果遠超預期，光刻膠、蝕刻機等關鍵材料也實現突破，徹底擺脫進口依賴。其實道理很簡單，科技領域從來不是零和博弈，半導體產業高度全球化，合作才能共贏。荷蘭想靠壟斷卡脖子，最終只會被市場淘汰。歐媒說的沒錯，西方技術壟斷的時代結束了，而咱們的國產晶片，在封鎖中逆勢崛起，未來只會越來越強，再也不用怕被別人“卡脖子”。 (W侃科技)

2026年開春，一則重磅消息在日本產業界，炸響了驚雷。作為日本驕傲的百年光學巨頭尼康，2025財年預虧850億日元，創下公司歷史上最大虧損紀錄。這個數字，再次擊碎了日本產業的顏面。喪鐘尼康解釋，導致自身虧損的核心原因是：3D印表機業務拖累。但更多人卻將目光投向一個刺眼的數字：尼康光刻機業務，過去半年僅賣了9台，而且賣的幾乎全是成熟製程裝置。而地球另一端，荷蘭ASML也交出了半年答卷：僅高端EUV光刻機就狂賣20多台，總出貨量更高達160台。9對160，這不是差距，這是輓歌、喪鐘。在東京，尼康總部大樓的會議室裡，空氣凝固得讓人窒息。會長馬立稔和一臉憔悴，作為公司內部最懂光刻機技術的高管，他曾親眼見證了尼康昔日的輝煌。也正因為如此，眼前這般慘淡，才最為誅心。時鐘撥回到1980年代，那是尼康的沸騰年代。彼時的尼康，代表了日本精密製造的巔峰水平，它在專業相機與半導體光刻機兩大核心領域同時登頂全球。尤其光刻機，是半導體工業的心臟。而尼康的光刻機，又是業界的佼佼者。曾有媒體形容尼康光刻機的精度，堪比在富士山頂，精準命中東京街頭的一枚縫衣針。 甚至有人斷言：沒有尼康，就沒有現代半導體工業。那是尼康呼風喚雨的時代。從英特爾、IBM到德州儀器……全球晶片巨頭為了求得一台尼康光刻機，不惜放下身段。他們成立對接團隊，常駐尼康矽谷分部，只為爭取優先供貨權。坊間更流傳，有半導體老闆親赴尼康工廠蹲點，預付全款只為求一個偵錯名額。那時的尼康，壟斷了全球光刻機市場的半壁江山，地位正如今天的ASML，是不可撼動的霸主。在它的鐵騎之下，美國光刻機鼻祖GCA被迫宣佈破產，而今天的巨頭ASML，彼時不過是夾縫求生的小玩家，完全沒有話語權。當年還是一名普通工程師的馬立稔和，見證了尼康的登峰造極。當時的他，應該不會想到自己會在30年後成為尼康的統帥，更想不到自己作為統帥的尼康會走到今天這步田地。傲慢尼康是如何一步步輸掉的?答案藏在幾個關鍵人物的命運博弈中。其中的最大轉折點發生在2002年。那一年，時任台積電資深處長的林本堅，敲開了尼康的大門。針對當時193nm乾式光刻機遭遇瓶頸、下一代光源研發停滯的局面，天才科學家林本堅提出顛覆性設想：在鏡頭與晶圓之間注入水，借助水的高折射率，一舉突破當時被視為天塹的光源極限。也就是後來著名的浸沒式光刻機路線。這本來是一條成本更低、效果更好的捷徑，卻遭到尼康幾乎所有高管的反對。從會長吉田莊一郎到光刻機技術帶頭人馬立稔和，甚至沒有人有耐心細聽林本堅的解釋。在他們看來，尼康光學鏡頭是全球第一的精密儀器，把如此精密、價值不菲的透鏡泡在水裡，簡直是對光學工程的褻瀆。尼康的代表當場質問林本堅：“如果水污染了鏡頭，你們台積電賠得起嗎?如果氣泡導致批次報廢，這個責任誰擔?”更重要的是，當時尼康已經在157nm乾式光刻機上，投入七億多美金。轉而搞浸沒式路線，之前的巨額投入將全部打水漂。這也是吉田莊一郎們最不能接受的。所以，尼康不僅拒絕了林本堅，甚至還試圖利用自己在行業內的威望來封殺這個構想。據林本堅後來回憶，尼康高層曾在他拜訪之後，給時任台積電研發副總蔣尚義打過投訴電話，大意是：“請管好你們的林本堅，不要讓他到處推銷這種破壞行業共識(157nm路徑)的構想，這會讓大家分心並浪費資源。”但林本堅並沒有放棄自己的想法，在尼康碰壁之後，他飛往了荷蘭。在那裡，他見到了ASML的技術靈魂馬丁·范登布林克，一個有著典型歐洲人冒險基因的工程師。彼時的ASML尚在夾縫中求生，急需一個破局的機會，林本堅的想法令范登布林克欣喜若狂。此後，范登布林克力排眾議，將ASML所有的資源押注在這個瘋狂的想法上。沒過多久，ASML就聯合台積電，攻克了浸沒式技術。結果眾所周知。2004年，ASML浸沒式光刻機問世，橫掃全球。尼康引以為傲的頂級鏡頭，在新的技術路線面前，頓失風騷，其高端光刻機市場的半壁江山，也一起消失。孤勇如果說浸沒式技術的失誤是重創，那麼EUV的豪賭，則是壓垮尼康的最後一根稻草。面對浸沒式光刻機的失利，尼康並沒有放棄，而是將目光瞄準了下一代技術：EUV(極紫外光)。這是一種波長更短，能夠在晶片上雕刻更小電路的光源。彼時的馬立稔和已經從一名普通工程師，成長為光刻機技術負責人，眼裡看到的仍是那個屬於尼康的巔峰年代。他不但在尼康內部啟動了EUV預研，擔任原型機的技術掌舵人，而且還立下雄心壯志：全自研、全日本產。馬立稔和試圖在封閉的牆內，復刻那個精密製造征服世界的時代，重現日本製造的奇蹟。已經失去晶片霸主地位，不忍再失光刻機的日本政府也給予了大量支援，甚至將其視為國運之戰。為了集中力量攻克EUV光刻機技術，日本政府以經濟產業省(METI)為主導，建構了一個龐大的“產官學”怪物，不但投入數百億日元資金，吸引東京大學、京都大學、築波大學等眾多院校的頂尖光學與材料專家參與，還聯合尼康、佳能、東京電子、信越化學等上下游產業鏈企業，一起攻關、研發。這是一次典型的日本式衝鋒：資源集中，目標單一。2012年，馬立稔和升任尼康常務執行董事、全面接管EUV項目後，這場戰役也進一步升級。他手握重兵，試圖用金錢和意志，以及日本上下的必勝決心，砸開EUV的大門。但此時，馬立稔和面對的，是一個早已變天的世界。當尼康還在為雄心勃勃的全自研沾沾自喜時，地球另一端的ASML正在編織一張巨大的網。就在馬立稔和全面接管EUV項目當年，ASML接到了英特爾、三星、台積電的首次大規模戰略投資，建起了自己的  EUV聯盟，不僅捆綁英特爾、三星、台積電三大客戶，還集結了全球最強的產業鏈企業參與，德國蔡司鏡頭、美國Cymer光源都是其成員。更要命的是，曾經在晶片上吃過日本大虧的美國，以國家安全為由，將佳能、尼康等日系廠商，排除在EUV技術聯盟外，進而也切斷了尼康獲取美國頂尖技術的通道。日本政府對此束手無策，馬立稔和的全自研、全日本產，因此變成了“閉門造車”。至2018年，尼康在EUV項目上的投資，據估算超千億日元，堪稱公司歷史上最大的單筆技術押注。但這筆投入，換來的只是一台無法商用的原型機。當ASML的EUV光刻機早已在台積電產線上瘋狂迭代時，尼康的原型機依舊在實驗室吃灰。最終，馬立稔和不得不宣佈：終止EUV光刻機的商業化開發。尾聲對尼康而言，這本來是一場可以避免的悲劇。當林本堅的大腦裡，迸發出浸沒式技術的念頭時，尼康是他最早接觸的光刻機廠商之一，也是首選的託付對象。但傲慢和對技術的盲目自信，讓馬立稔和以及尼康的高管們，對自己體系之外的新技術有一種天然的排斥。錯失浸沒式紅利之後，尼康原本有機會翻盤，卻又走上盲目迷信全自研、全精密光學的垂直整合模式，將自主創新變成了閉門造車。隨著EUV項目的終止，尼康正陷入前所未有的困局：在前方，ASML早已絕塵而去;而後方，中國光刻機勢力正以雷霆之勢，蠶食其賴以生存的中低端腹地。昔日霸主，如今只能在夾縫中艱難喘息，9對160正是這種困局的真實寫照。2025年9月，尼康關閉了營運58年的橫濱工廠，標誌著其光刻機業務進一步收縮。而70歲的馬立稔和也即將卸任。從技術帶頭人一路走至權力巔峰，這位尼康老將，曾試圖以一己之力，挽回昔日榮光，但終究力有不逮。馬立稔和的離去，標誌著日本光刻機時代的落幕。而當年那個被他嘲笑的方案，現如今成了尼康高山仰止般的存在。站在辦公室，看著玻璃窗裡映出的那張蒼老的臉，馬立稔和心裡可能在想：“當年要是給林本堅一張試驗台，那怕是試一試……”尼康的失敗，是日本產業加拉帕戈斯化的又一例證：在殘酷的科技產業，最危險的不是技術落後，而是傲慢、封閉，是拒絕向外看，陷入進化的孤島。 (前瞻經濟學人)

近日，俄羅斯將一套新型光刻系統納入國家工業資訊系統（GISP），進一步提升了其國內半導體製造能力。這套由澤列諾格勒奈米技術中心（ZNTC）研發的裝置，用於在積體電路製造過程中將設計圖案轉移到半導體晶圓上，現已被列入國家工業裝置名錄。名錄重點介紹了這套能夠實現350奈米解析度的對準和投影曝光裝置，這標誌著俄羅斯在建構自身微電子製造生態系統方面邁出了重要一步。該裝置於3月初被加入到GISP產品目錄中，表明該系統現已被正式認可為可供俄羅斯半導體行業部署的工業產品。該系統型號為RAVC.442174.002TU，是俄羅斯自主研發的光刻解決方案之一，專為生產超大規模積體電路（VLSI）而設計。光刻技術是半導體製造的核心光刻技術是半導體製造商將微觀電路圖案轉移到矽襯底上的核心工藝。該系統利用紫外光將光掩模上的圖案投射到沉積在襯底上的光敏材料上。經過曝光和後續處理步驟，該圖案最終轉化為電晶體、互連線和其他微電子元件的藍圖，這些元件共同構成積體電路。由於ZNTC設計的裝置專為投影曝光而設計，光掩模圖像並非直接貼附在晶圓上，而是通過光學方式投射到晶圓上。這種方法提高了精度，並實現了電路圖案在襯底表面的重複複製。此外，系統還會執行對準操作，以確保每一層電路相對於先前建構的層都精確定位。該儀器能夠將光掩模圖像投影轉移到半導體晶圓上，並在超大規模積體電路（VLSI）器件製造過程中，以0.35微米的設計精度將該圖案複製到晶圓上，正如產品目錄所述。這種精度表明，儘管該技術節點已不再處於當代半導體製造技術的前沿，但它仍然廣泛應用於工業電子、汽車系統、電源管理器件以及眾多嵌入式應用領域。俄羅斯研發和生產GISP產品目錄中將該裝置標註為產自俄羅斯。然而，這一標註僅基於製造商的聲明，並未對俄羅斯境內的生產本地化程度進行獨立核實。澤列諾格勒奈米技術中心是一家集研發和製造於一體的機構，是俄羅斯微電子生態系統中的關鍵組成部分。該中心位於澤列諾格勒，這座城市常被譽為俄羅斯的“矽谷”，中心致力於推進半導體技術、奈米技術器件和先進製造裝置的研發。據報導，該光刻系統將於2024年投入生產，這表明它是俄羅斯微電子製造裝置組合中相對較新的成員。由於獲取外國技術的限制日益增多，俄羅斯為減少對進口半導體裝置的依賴而採取的措施，符合該國的戰略目標。規格和技術能力該光刻裝置設計用於加工直徑達 200 毫米的半導體晶圓。這種晶圓尺寸被廣泛用作行業標準，尤其是在生產電力電子產品、微控製器、感測器和其他專用電路的工廠中。解析度在光刻裝置中至關重要，因為它決定了晶圓上可印刷的最小特徵尺寸。本例中，該系統的解析度為350奈米。這意味著它可以穩定地生成特徵尺寸約為三分之一微米的電路圖案。該裝置的工作波長約為365奈米，通常用於i線紫外光刻。儘管目前最先進的處理器是由採用更短波長（例如深紫外或極紫外）的現代半導體晶圓廠生產的，但365奈米波長範圍對於許多成熟的技術節點仍然適用。另一項關鍵指標——對準精度——確保半導體器件的每一層都與其先前圖案化的層完全對齊。據報導，ZNTC 的對準誤差約為 90 奈米。這種精度對於防止多層晶片製造過程中出現缺陷以及維持可靠的電氣連接至關重要。該儀器的工作曝光區域尺寸約為 22 毫米 x 22 毫米，能夠投射單個晶片圖案，然後通過稱為步進重複曝光的工藝在晶圓上重複這些圖案。發展合作ZNTC與白俄羅斯公司Planar合作開發了這套光刻系統。據信，該項目於2021年啟動，並在幾年後完成，是俄羅斯工業和貿易部資助的項目之一。此次合作體現了白俄羅斯和俄羅斯在微電子製造領域持續的技術合作。白俄羅斯在半導體生產裝置方面一直享有盛譽，這主要得益於其眾多源自蘇聯微電子工業的企業。該項目的目標是開發一種光刻工具，通過整合工程資源和製造經驗，使其能夠在國內使用，從而為俄羅斯晶片製造工廠提供支援。現代電子學中的應用雖然與目前用於尖端處理器的 3 奈米或 5 奈米技術相比，350 奈米工藝節點可能看起來已經過時，但它對於一系列工業應用仍然具有很高的相關性。在電力電子領域，半導體工藝通常優先考慮可靠性和耐久性而非極致小型化，用於調節和轉換各種裝置（包括工業機械和電動汽車）中的電能。此外，180奈米至500奈米的製程節點也被用於製造多種汽車微控製器、感測器和模擬元件。航空航天電子、電信基礎設施和工業控制系統通常採用類似的技術節點。這些領域追求的並非儘可能小的電晶體尺寸，而是長期可靠性、抗輻射能力和穩定的製造工藝。因此，能夠以 350 奈米尺度生產電路的國產光刻裝置可以幫助維持和擴大俄羅斯國內此類電子產品的生產。加強技術獨立性這套光刻裝置的研發和產品目錄編制是俄羅斯為提升半導體行業的技術自主性而採取的更全面舉措的一部分。過去十年間，俄羅斯從全球供應商處獲取精密半導體製造裝置的管道日益受限。光刻系統是半導體製造工廠中最複雜、最具戰略意義的裝置之一。包括ASML、尼康和佳能在內的全球領先企業生產的裝置，需要數十年的研究、精密的工程設計、專用光學元件以及極其複雜的供應鏈。即使是為成熟工藝節點研發裝置，對於那些在微電子領域追求技術自主的國家而言也是一項重大成就。國產裝置有助於維護現有生產線，並減少對進口裝置的依賴，因為這些進口裝置未來可能難以甚至無法獲得。整合到工業裝置目錄中俄羅斯國家工業資訊系統（GISP）是俄羅斯集中式平台，用於收錄可供該國製造業使用的工業產品、技術和裝置。該目錄包含ZNTC光刻裝置，使其能夠被潛在的工業客戶和政府採購項目所瞭解。國家進口替代戰略也受到這些目錄的影響。政府機構和國有企業經常使用GISP目錄為公共資助項目選擇裝置，從而為國產技術在全國工業基礎中的應用提供了途徑。因此，3月初將光刻系統納入產品目錄不僅是一個技術里程碑，也是邁向更廣泛工業部署的一步。下一發展階段儘管350奈米光刻系統是一個重要的里程碑，但研發工作已在向更先進的節點邁進。項目報告指出，下一階段的裝置研發旨在實現約130奈米的解析度。如果俄羅斯國產光刻裝置能夠達到這種解析度水平，其技術節點將更接近21世紀初全球半導體製造業廣泛採用的技術節點。儘管這些能力距離領先水平還有一段距離，但它們將極大地拓寬使用國產裝置可製造的電路種類。從技術角度來看，邁向精密光刻技術的道路依然充滿挑戰。技術的進步需要對精密對準技術、晶圓處理系統、隔振技術和光學器件進行改進。為了生成半導體器件所需的微觀圖案，所有這些元件都必須具備極高的精度。澤列諾格勒對俄羅斯微電子技術的貢獻澤列諾格勒是俄羅斯微電子產業的中心，也是澤列諾格勒奈米技術中心的所在地。這座城市在蘇聯時期就已建立，最初是作為半導體研發的專門中心，如今仍然聚集著眾多研究機構、製造工廠和設計中心。俄羅斯半導體生態系統的核心由晶片製造商、裝置開發商和研究實驗室組成，而這些機構都位於澤列諾格勒。該產業叢集內國產光刻裝置的研發，體現了該地區對俄羅斯科技發展戰略的重要意義。展望未來俄羅斯國家工業資訊系統列出了這座350奈米光刻裝置，這標誌著俄羅斯在發展自給自足的半導體產業方面又邁出了重要一步。儘管這項技術與用於高性能處理器和儲存電路的最先進製造工藝節點相比仍有差距，但它在各種工業和嵌入式電子產品的生產中發揮著至關重要的作用。俄羅斯的目標是通過自主研發和製造晶片裝置，確保能源、交通、國防和電信等關鍵行業晶片的持續生產。隨著技術發展向更先進的光刻技術邁進，ZNTC的裝置或可為未來國內生產的半導體製造裝置奠定基礎。即使在成熟節點上，國產光刻裝置的出現也凸顯了半導體技術的戰略意義以及全球為爭奪這一關鍵產業控制權而日益激烈的競爭。 (EDA365電子論壇)

2026年開春，日本產業界被一則消息炸懵了。百年光學巨頭尼康，預告2025財年預虧850億日元，創下歷史最大虧損。尼康對外解釋，虧損是3D印表機業務拖累。但明眼人都清楚，真正的癥結在光刻機業務。過去半年，尼康光刻機僅賣出9台，還全是成熟製程裝置。對比之下，荷蘭ASML的答卷格外刺眼。同期僅高端EUV光刻機就狂賣20多台，總出貨量高達160台。9對160，這不是差距，是無法踰越的鴻溝。會長馬立稔和一臉憔悴，他是公司最懂光刻機的高管。親眼見證過巔峰，再面對如今的慘淡，才最誅心。翻出舊資料，很難想像尼康曾有過那樣的輝煌。上世紀80年代，它是日本精密製造的代名詞。專業相機和半導體光刻機兩大領域，同時登頂全球。那時的尼康光刻機，精度堪稱行業標竿。有媒體形容，其精度堪比在富士山頂，命中東京街頭的縫衣針。甚至有人斷言，沒有尼康，就沒有現代半導體工業。全球晶片巨頭，都要圍著尼康轉。英特爾、IBM、德州儀器，為求一台裝置放下身段。有半導體老闆親赴工廠蹲點，預付全款求偵錯名額。當時的尼康，壟斷全球光刻機半壁江山。美國光刻機鼻祖GCA被它逼到破產。如今的巨頭ASML，彼時只是夾縫求生的小玩家。當年還是普通工程師的馬立稔和，見證了這一切。他或許從未想過，30年後自己掌舵時，尼康會跌落至此。尼康的衰敗，藏在兩次關鍵的決策失誤裡。第一個轉折點，是2002年拒絕林本堅的提議。時任台積電資深處長的林本堅，提出浸沒式光刻機構想。在鏡頭與晶圓間注水，突破193nm乾式光刻機的瓶頸。這是條成本更低、效果更好的捷徑。但尼康所有高管都反對，包括當時的技術帶頭人馬立稔和。他們覺得，把精密鏡頭泡在水裡，是對光學工程的褻瀆。更關鍵的是，尼康已在157nm乾式技術上投入7億多美金。轉向新路線，意味著前期投入全部打水漂。尼康不僅拒絕，還試圖封殺這個“異想天開”的構想。被尼康拒絕後，林本堅去了荷蘭，找到了ASML。ASML當時急需破局，果斷押注浸沒式技術。2004年，ASML浸沒式光刻機問世，橫掃全球市場。尼康引以為傲的鏡頭技術，瞬間失去優勢。高端光刻機市場的半壁江山，一夜易主。這一次失誤，成了尼康衰落的開端。如果說浸沒式是重創，EUV研發就是壓垮它的最後一根稻草。馬立稔和不甘心，立志靠EUV翻盤。他提出雄心勃勃的目標：全自研、全日本產。日本政府也全力支援，將其視為國運之戰。集結頂尖院校和企業，投入數百億日元攻關。這種封閉的“產官學”模式，看似強勢，實則埋下隱患。與此同時，ASML走了一條完全不同的路。它聯合英特爾、三星、台積電組建EUV聯盟。集結德國蔡司、美國Cymer等全球頂尖產業鏈資源。美國更是出手，將尼康排除在EUV技術聯盟之外。尼康的全自研，徹底變成了閉門造車。至2018年，投入超千億日元，只換來一台無法商用的原型機。馬立稔和最終無奈宣佈，終止EUV商業化開發。尼康徹底失去了追趕ASML的可能。2025年9月，尼康關閉了營運58年的橫濱工廠。如今的尼康，陷入了前後夾擊的困局。前方ASML絕塵而去，後方中國光刻機勢力不斷崛起。它賴以生存的中低端市場，正被逐步蠶食。70歲的馬立稔和即將卸任。從技術骨幹到公司會長，他拼盡全力，卻終究無力回天。他的離去，標誌著日本光刻機時代的落幕。 (1 ic芯網)

作者按：2月24日，據路透社報導，全球唯一的商用極紫外（EUV）光刻機製造商艾司摩爾（ASML）取得了一項關鍵技術突破：成功研發出穩定輸出1000瓦（1kW）功率的極紫外光源系統。據預測，到2030年，這項技術將使單台光刻機每小時可處理約330片晶圓，較目前的220片顯著提升50%。EUV光刻機對晶片生產至關重要。美國政府與荷蘭方面合作，阻止該裝置輸華，這促使中國加快國家層面的自主研發攻關。完整的積體電路/半導體產業鏈大致可以分為設計、製造、封裝測試、輔助材料等幾個主要環節或子鏈。晶片設計方面，中國實際上已經躋身全球第一梯隊，比如國內晶片廠商的設計能力已經達到5nm甚至更低。設計軟體方面，歐美的EDA（Electronic Design Automation）生態最好，國產EDA在性能和對先進工藝的支援上還不如國際頭部廠商，但也可以勉強滿足自己的需求。製造方面，我們主要關注的是晶圓、光刻機和刻蝕機。刻蝕機儘管距離國際領先水平有一定差距，但我們已經可以基本國產化。而高純度晶圓和光刻機，很多核心的專利技術還是受到美、歐、日等國家箝制。雖然國內某晶片大廠的晶片產能已經是全球第五，但製造裝置、原材料和輔助材料還是依賴進口。封裝測試方面，封測在晶片整個產業鏈相對簡單（注意只是“相對”），裝置更新比較慢，也是國內優先發展的方向，目前國內在封測領域處於世界領先地位，完全不弱於任何國家。國內有市佔率全球第三的封測大廠。輔助材料方面，高端光刻膠、掩膜版、塗膠顯影材料和裝置等也依賴美、日、韓三家。比如，有資料顯示，國內適用於6英吋晶圓的g/i線光刻膠自給率為20%，適用於8英吋晶圓的KrF光刻膠自給率小於5%，適用於12英吋晶圓的ArF光刻膠目前基本靠進口。本文無意於拆解整個半導體產業鏈，主要想粗略介紹一下光刻機。因為前道晶片製造用的光刻機，是整個積體電路產業鏈最複雜的裝置，被稱為“工業皇冠上的明珠”，僅光刻機一類裝置，即可自成產業鏈。必須申明的是：作者本身為經濟學專業，撰寫本文僅出於對光刻機的興趣，希望能為非半導體專業的人士提供一點點資訊增量。文中難免有疏漏或者錯誤，歡迎讀者批評指正。本文參考資料，詳見文末。以下為正文：1946年2月14日，美國賓夕法尼亞大學研製了全球第一台基於電子管的電腦，佔地170平方米，重達30噸，有17468個電子三極體、7200個電子二極體、70000個電阻、10000個電容器、1500個繼電器、6000多個開關。電晶體是作為電子管的取代品而出現的。電晶體使用矽、鍺、氮化鎵和碳化矽等半導體材料製成，可以簡單理解為一種利用電訊號控制開合的微型開關，其開關速度非常快，超過1000億次/秒。矽、鍺等本身是絕緣體，但當加入某些材料並施加電場時，就會變得導電。比如，將四價矽摻雜加入少量三價硼和五價磷做出PN接面（電晶體工作的基本結構），再加上金屬氧化物做個控制門，就能做成某類電晶體。海量電晶體密集排列，按特定設計互相連接，就是晶片。比如，12吋晶圓的直徑是約300毫米，面積是70659平方毫米。先進晶片的電晶體密度能達到1平方毫米1億個，整個晶片有上百億個電晶體。摩爾定律的本質目標就是在單位面積的晶片上容納更多的電晶體，從而實現更強大的運算性能。晶片的整個製造流程可以分解為晶圓製造、積體電路設計、晶片製造和晶片封測四個環節。沙子被提純成高純度矽，冷卻後成為矽錠，然後切片、清洗、拋光成矽晶圓（wafer）。在晶圓上沉積（半）導體或隔離材料薄膜（光刻膠），然後通過特定波長的光照射，將掩膜版上的積體電路圖形轉移到矽片的光刻膠層，然後再通過刻蝕把圖形轉移到襯底上，做出裸晶片（die）——這個過程被稱為“光刻”。再對die進行加蓋、加引腳、封裝、測試——這幾步的難度相對較低。實際上整個光刻過程，總共需要經歷沉積、旋轉塗膠、軟烘、對準與曝光、後烘、顯影、堅膜烘焙、顯影檢測等8道工序。具體來說，第一步需要進行清洗、脫水和矽片表面成底膜處理，以便增強矽片和光刻膠之間的粘附性（氣相成底膜技術）。成底膜處理後，通過旋轉塗膠的方法塗上光刻膠材料。塗膠後進行軟烘，用以去除光刻膠中的溶劑。將掩膜版和矽片精確對準，然後進行曝光處理。曝光後需要對矽片再次烘焙，這樣做可以使之後的化學反應更加充分，從而提高顯影后的圖形尺寸和解析度。通過旋轉、噴霧、浸潤等方式，利用化學顯影劑溶解光刻膠上的可溶解區（一般是曝光環節中被光照射過的區域），將電路圖形留在矽片表面，即顯影——這一步非常關鍵。顯影后通過熱烘揮發掉存留的光刻膠溶劑，提高光刻膠對矽片表面的粘附性（堅膜烘焙）。檢查顯影后的電路圖是否完美無缺。檢測合格後繼續進行刻蝕、離子注入、去膠等步驟，並視需要重複光刻步驟，最終建立晶片的“摩天大樓”。晶片製造屬於半導體製造的前道工藝，對應的半導體製造裝置（前道裝置）主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置、離子注入機、CMP裝置、清洗機、前道檢測裝置和氧化退火裝置，覆蓋從光片到晶圓的成百上千道工序，直接決定了晶片製造工藝的質量。晶片封裝和測試是後道工藝，對應的後道裝置主要分為測試裝置和封裝裝置。實際上，光刻機可以分為前道光刻機和後道光刻機。前道光刻機用於晶片的製造，曝光工藝極其複雜，後道光刻機主要用於封裝測試，實現高性能的先進封裝，技術難度相對較小。從晶圓製造廠資本開支來看，積體電路製造裝置投資一般佔積體電路製造領域資本性支出的70%～80%，且隨著工藝製程的提升，裝置投資佔比也將相應提高。典型的積體電路製造裝置投資中，氧化爐、塗膠顯影機、光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置、離子注入裝置、測試裝置、拋光裝置、清洗裝置等前道工藝裝置投資額佔比較高（80%），後道工藝的封裝測試裝置投資額佔比為20%。其中，光刻機佔前道裝置投資的23%左右，是整個半導體產業鏈最昂貴的單體裝置。如果考慮到光刻工藝步驟中的光刻膠、光刻氣體、掩膜版、塗膠顯影裝置等諸多配套設施和材料投資，整個光刻工藝佔晶片成本的30%左右。隨著晶片技術的發展，重複步驟數增多，先進晶片需要進行20～30次光刻，光刻工藝的耗時可以佔到整個晶圓製造時間的40%～50%。目前，全球的光刻機市場被荷蘭艾司摩爾（ASML）、日本佳能（Canon）和尼康（Nikon）三大巨頭壟斷。ASML是絕對的龍頭，市佔率超過60%，在當前最主流的DUV浸入式光刻機市場佔據了最大的份額，同時獨家壟斷了頂級的EUV光刻機市場。尼康在中高端光刻機也有一定市佔，佳能則集中在低端區域。2024年，ASML、Nikon、Canon的光刻機出貨達683台，銷售金額約264億美元。EUV、ArFi、ArF三個高端機型共出貨212台，其中ASML佔比90%以上(201台）。光刻機是半導體裝置中最昂貴、最關鍵但也是國產化率最低的環節。按照光源劃分，市面上主流的光刻機可分為g-line、i-line、KrF、ArF、EUV五種，其中g-line逐漸走向邊緣。國產光刻機主要集中在90nm製程的單工件台幹式DUV（KrF、ArF）光刻機，且主要用於晶片的後道封測。光刻產業鏈的高度複雜性主要體現在兩點——一是作為光刻核心裝置的光刻機元件複雜，包括光源系統、照明系統、物鏡系統、浸入式系統、雙工件台等在內的元件技術全球只有極少數幾家公司能夠掌握。ASML也不是一家就能造EUV，需要多家頂尖企業相互配合才可以完成。二是與光刻機配套的光刻膠、光刻氣體、掩膜版等半導體材料和塗膠顯影裝置等同樣要求很高的技術含量。比如，寬譜g/i/h線光刻膠基本完成國產替代，但高端KrF、ArF和EUV光刻膠基本被美國和日本的企業壟斷，韓國企業佔一點比重，中國大陸基本依靠進口。01. 瑞利準則：光刻的基礎物理原理光刻的過程是特定波長的光線穿過光掩膜版再通過透鏡，將掩膜版上的積體電路圖形成像到晶圓表面。我們知道，光在均勻介質中直線傳播，所以理想的成像系統，點光源通過透鏡後所成的像依然是一個完美的點。但實際的光學系統中的透鏡具有一定的孔徑，光穿過透鏡後會發生衍射，因此所成的像並不是一個點，而是一個“艾裡斑”，能夠區分兩個光斑的最小距離，就是解析度。解析度在晶片製造中體現為投影光學系統在晶圓上可實現的最小線寬。由於晶片越做越小，晶片上整合的電晶體越來越多，元件線路越來越密集，因此，光刻機需要達到更高的解析度。光刻解析度是光刻曝光系統最重要的技術指標，由光源波長、數值孔徑、光刻工藝因子決定，即瑞利準則（也稱為瑞利第一公式）。瑞利準則指衍射極限系統中的解析度極限。可以用以下公式表示：CD=k1•λ/NA其中，CD（Critical Dimension）表示積體電路製程中的特徵尺寸，即解析度，λ為光源波長，NA（Numerical Aperture）是光學器件的數值孔徑。k1為光刻工藝和材料相關的常數因子。艾司摩爾（ASML）認為，單次曝光中k1的物理極限為0.25。但通過組合使用計算光刻、多重圖形等解析度增強技術，光刻工藝因子已突破其理論極限0.25。數值孔徑的計算公式為：NA=n*sinα指透鏡與晶圓之間介質的折射率（n）和半孔徑角（α）的正弦乘積。孔徑角（2α）是指透鏡光軸上的物體點與物鏡前透鏡的有效直徑所形成的角度，它定義了可以收集多少光。在其他條件一定的情況下，更大的透鏡直徑允許更大的入射角，從而增加數值孔徑。因此，光刻機的透鏡最好在工藝能力允許的前提下儘可能做大一些。孔徑角與透鏡的有效直徑成正比，但與焦深（DoF）成反比。在光刻中，在透鏡的焦點周圍會有一個範圍，在這個範圍內的光刻膠能夠清晰地曝光，如果超出這個範圍，曝光的圖像就會模糊，導致圖案轉移不均勻。DoF是指在保持曝光成像質量的前提下，晶圓表面可以上下移動的距離，可以通俗理解為光刻的深度。焦深越大，層間誤差越小。焦深的計算公式（也稱為瑞利第二公式）為：顯然，焦深也限制了NA的無限擴大。因此，在光源波長一定的情況下，可以通過增大數值孔徑減小解析度，但需要和DoF折中考慮。02. 技術演進：追尋光刻的最優參數瑞利準則決定光刻機的技術路線有三個主要的突破方向：縮短光源波長，增大數值孔徑，降低工藝因子。對這三方面技術的突破，對應了光刻機的迭代。（一）縮短光源波長光源波長方面，主要經歷了g-line，i-line，KrF，ArF，（F2），EUV五種，波長由436nm縮短至13.5nm，對應的晶片製程從800nm縮短至3nm。一代和二代光刻機的光源來自高壓汞燈，對應製程主要集中在0.8μm-0.25μm，即800-251nm（註：1μm=1000nm）。高壓汞燈是一種氣體放電的電光源，橄欖型燈泡內密封有一個放電管、兩個金屬電極，並充有汞和氬氣。汞燈工作時，初始啟動時是低壓汞蒸氣和氬氣放電，放電產生的熱量使得汞蒸氣升壓，電弧收縮，高壓汞蒸氣產生電離激發，汞原子最外層的電子、原子和離子間產生碰撞而發光。高壓汞燈光線的主要輻射範圍為254-579nm譜線。365nm和436nm光源分別是高壓汞燈中能量最高，波長最短的兩個譜線。使用濾波器可以把紫外光i-line（365nm）或g-line（436nm）分離出來，作為第一、二代光刻機的光源。三代和四代光刻機的光源主要是KrF（248nm）和ArF（193nm）准分子雷射器，對應製程在65nm-350nm。准分子雷射技術始於上世紀60年代，光源工作介質一般為稀有氣體及鹵素氣體，並充入惰性氣體作為緩衝劑，工作氣體受到放電激勵，在激發態形成短暫存在的“准分子”，准分子產生輻射躍遷，形成紫外雷射輸出。不同的介質氣體產生Kr2/Ar2/XeF/KrF/ArF/XeCl等雷射輻射。氟化氪（KrF）、氟化氬（ArF）准分子雷射器由於在輸出能量、波長、線寬、穩定性等方面的優勢，成為最重要的紫外和深紫外波段的雷射光源，被用於光刻領域。目前使用最廣泛的深紫外光刻機（Deep Ultraviolet Lithography，DUV）一般採用ArF光源，加入浸入式技術的光刻機被稱為ArFi光刻機（多出的這個i代表加入了浸入式技術），加入浸入式技術並通過多重曝光技術最高可以實現7nm製程。第五代也是最新一代光刻機的光源為EUV（13.5nm），極紫外光（Extreme Ultraviolet Lithography，EUV）本質不是雷射，而是電漿體輻射光源（LPP），但其產生過程需要使用高功率雷射器轟擊金屬錫（Sn）。EUV光刻機對應製程為1-7nm，ASML是目前全球唯一的EUV光刻機供應商。目前已知有4種方案可以獲得EUV光源，分別是雷射激發電漿體技術（LPP）、氣體放電電漿技術（DPP）、雷射輔助放電技術（LDP）、穩態微聚束技術（SSMB）。全球只有ASML子公司Cymer和日本Gigaphoton兩家企業可以生產EUV光源（但這兩家企業也需要其它企業提供核心部件），使用的都是主流的LPP技術。LPP技術是使用20kW以上的高功率二氧化碳（CO2）雷射器在真空腔內連續兩次精準轟擊從發生器中以每秒5萬次的頻率被噴射出來直徑20μm的高純度Sn靶。第一次轟擊使用低強度的預脈衝撞擊圓形錫滴使其膨脹，變成薄餅型。由於薄餅錫受光面積大，光強增大。然後第二次高強度的主脈衝以全功率撞擊薄餅錫，錫原子被電離，產生高溫、高密度的電漿體雲，就在這團電漿體冷卻衰變的極短瞬間，錫離子會釋放出波長為13.5奈米的極紫外光子。收集鏡捕獲電漿體發出的EUV輻射（13.5nm），將其集中起來傳遞至曝光系統。現存商用型EUV光刻機的極紫外光源在600w左右，但是由於轉化效率低，最終只有2%～4%最終轉化為有用的13.5nm EUV光，其餘能量即為廢熱。如果要提升功率，則需要在單位時間內提升高純度Sn的噴射速度和雷射命中次數。文章開頭提到的ASML此次的技術創新，實際上就是實現了在Sn滴噴射頻率倍增（10萬次）的情況下，通過重構雷射脈衝策略保證命中精準率，進而提高EUV光源功率。這實際上是一個非常複雜的系統性工程，涉及在極高頻率下保持錫滴大小、位置和速度的極度均一、熱管理、錫碎片的清理以及光學元件的保護等等。從瑞利準則可以推斷，縮短光源波長是提高解析度最直接的方法，但光源發展到ArF（193nm）時，光源迭代速度放緩，ASML、Canon、Nikon等巨頭開始將目光轉向提高數值孔徑，並出現了F2（光源演進）與ArF+immersion（增大NA）的路線之爭。（二）增大數值孔徑數值孔徑方面，當物鏡直徑面臨瓶頸時，採用非球面元件、浸沒式裝置、引入反射元件減小折射角度，也可以進一步增大數值孔徑（NA）。光刻技術經過了接觸式、接近式、投影式三次迭代。20世紀60年代的接觸式光刻技術適用於小規模積體電路（解析度在亞微米級），單次曝光整個襯底，且接觸式光刻的掩膜版與晶圓表面直接接觸，很容易產生劃痕，降低晶圓良率和掩膜版的使用壽命。為解決上述問題，20世紀70年代產生了接近式光刻技術，晶圓和掩膜版之間留有間隙且以氮氣填充。雖然解決了劃痕的問題，但光由玻璃介質進入氣體介質，會發生衍射。衍射效應改變了光的角度，限制了解析度極限（2μm）。另外，對於接觸式和接近式光刻技術，掩膜版圖形和晶圓尺寸是1:1的關係，限制了線寬。20世紀70年代中後期，出現了投影式光刻技術。投影式光刻可以借助物鏡投影成像，縮小投影尺寸，進一步提高解析度。但投影式光刻依然面臨衍射效應，線寬越低，受衍射效應影響越大。因此，需要增大投影物鏡直徑來提升入射角（α），從而擴大數值孔徑（NA）來接受更多的光。但當線寬小於65nm時，物鏡直徑已經增大到導致物鏡內聚焦的光角度越來越大，再經過折射效應（n），射出投影物鏡的光角度接近水平，無法在晶圓表面成像。引入非球面結構後，在不改變物鏡口徑的情況下改變了折射角度，將NA提升至0.9，接近（乾式光刻的）物理極限。此時，Nikon選擇著重攻克波長更短的F2（157nm）光源，但透鏡材料僅能用氟化鈣（CaF2），光刻膠也需要重新研製，研發成本和產業換代應用的成本都很高。ASML則採用台積電（研發副總林本堅）的建議：放棄突破157nm，退回到技術成熟的ArF（193nm）光源，在投影物鏡和晶圓間加純水，從而增大介質折射率，由於水對193nm光的折射率高達1.44（空氣=1），那麼波長可縮短為193/1.44=134nm＜F2（157nm），NA值達到1.07。此後又進一步引入反射鏡，採用折反式光學系統，配合浸沒式，將NA提升到1.35（極限值）。所以，增大NA的技術路徑發展趨勢為（乾式）球面鏡、非球面鏡、（浸沒式）非球面鏡、折返式。浸入式技術原理雖然看起來簡單易懂，但從理論構思到工業應用，需要攻克氣泡消除、水漬控制、水溫溫控、光刻膠設計等技術難關，需要深厚的流體動力學技術積累，對顆粒、溶解氧、溫度、離子等進行控制，保證水質、溫度和壓力。Nikon光刻機主要集中於DUV光刻機（乾式和浸入式），也是全球除了ASML以外唯一能生產浸入式光刻機的廠商。當然，按照數值孔徑的計算公式（NA=n*sinα），理論上通過研究新的光學材料和浸沒液可以通過改變折射率和入射角進一步提高NA，但深紫外光和極紫外光的波長太短且光子能量很高，很容易被光學材料和浸入液吸收，可用作透鏡的材料有限，當前的方案主要有熔融石英（Fused silica）和氟化鈣（CaF2），熔融石英技術成熟且熱膨脹係數低，是DUV的首選，CaF2加工難度大、成本高，但會在鏡頭特定位置加入CaF2校正系統色差。（三）降低工藝因子ASML原來認為單次曝光中k1的物理極限為0.25。但通過組合使用計算光刻、離軸照明、相移掩膜等解析度增強技術（RET），k1已突破0.25。衍射效應導致成像模糊，如果想要得到清晰的電路，就需要對光路上的組成部分做修改，因此，掩膜版圖形與晶片上最終成型的電晶體、器件、互聯線路圖形並非一一對應。比如，光刻一個簡單的“十”字，掩膜版的圖形可能複雜到像人類大腦的剖面圖。沒有強大的計算光刻能力，很難實現這樣複雜的掩範本設計。通過改進光源系統和掩膜圖形，儘可能消除圖像失真，進而提高解析度的過程，就是計算光刻。常見的計算光刻技術包括光學鄰近效應修正（OPC）、亞解析度輔助（SRAF）、光源－掩膜協同最佳化技術（SMO）、多重圖形技術（MPT）、反演光刻技術（ILT）等，涉及電磁物理、光化學、計算幾何、迭代最佳化和分散式運算等複雜計算。在2023年開發者大會上（GPU Technology Conference, GTC）上，輝達（NVIDIA）、台積電（TSMC）、艾司摩爾和新思科技（Synopsys）聯合宣佈，完成全新的人工智慧（AI）加速計算光刻技術軟體庫cuLitho。cuLitho的核心是一組平行演算法，計算光刻工藝的所有部分都可以平行運行。已知軟體庫中有多項用於實現不同功能的技術，如cuDOP用於衍射光學，cuCompGeo用於計算幾何，cuOASIS用於最佳化，cuHierarchy用於AI。輝達稱，基於GPU的cuLitho計算光刻技術，其性能比當前光刻技術工藝提高了40倍以上，原來需要4萬個CPU系統才能完成的工作，現在僅需用500個GPU（NVIDIA DGX H100）系統即可完成，使用cuLitho的晶圓廠每天的光掩模產量可增加3-5倍，而耗電量可以比當前配置降低9倍。從長遠來看，cuLitho將帶來更好的設計規則、更高的密度和產量，以及AI驅動的光刻技術，不僅使晶圓廠能夠提高產量、減少碳足跡，還能為2nm及更高工藝的High-NA EUV光刻工藝奠定基礎。有意思的是，晶片是人工智慧的算力底座，如今，AI技術又被應用在晶片設計中，反過來促進了算力水平的提升。除計算光刻外，離軸照明技術（OAI）通過採用特殊光源將正入射光轉換為斜入射光，使得同等數值孔徑可以容納更多的高階光，從而曝光更小尺寸結構以提高解析度。當兩個光源進行成像時會在重合部分產生干涉效應，使光強增大，導致兩個光源不能有效地區分開，相移掩膜技術（PSM）通過改變掩膜結構對其中一個光源進行180度相移，兩處光源產生的光會產生相位相消，光強相消，可以區分開兩個光源，從而提高解析度。上述三個方向的技術演進，一直支撐著光刻機的代際迭代。目前佔據市場主流的依然是DUV光刻機，浸入式DUV光刻機的單次曝光主要生產28nm及以上製程的晶片，ArFi+雙重曝光可以生產22/20/16/14nm，多重曝光可以生產7nm甚至5nm製程。但當製程微縮至10nm及以下時，多重曝光大幅增加了光刻、刻蝕、沉積等工藝的複雜度，也帶來良率損失的風險，使得晶圓光刻成本增加2-3倍。實際上，在22nm節點之後，DUV已經很難再實現最佳化，只能重新開發新的極紫外光源（13.5nm）。而隨著EUV光刻機的出現，晶片製程最小可以達到3nm。下一代光刻機又回到了提升數值孔徑的路線，標準的EUV光刻機的數值孔徑是0.33。目前ASML正在研發High-NA EUV光刻機（Twinscan NXE:5000/5200）的數值孔徑為0.55，製程可達2nm、1.8nm，在解析度和套刻精度上的性能表現將比目前的EUV系統高70%，即將量產。雖然業界已經在討論超數值孔徑（Hyper-NA，NA>0.7）的EUV光刻機，但技術難度和製造成本都將極高，產業化的可能性不大。03. 結構拆解：ASML的EUV光刻機ASML是全球唯一能夠生產EUV光刻機的公司，通過對ASML的EUV光刻機進行粗略的拆解，可以直觀呈現光刻機的模組構成進而透視其技術難點。EUV光刻機共有約10萬個零件，重達180噸，包含晶圓輸運系統、雙工作台、掩膜版輸運系統、系統測量與校正系統、曝光系統、浸沒系統、物鏡系統、光源系統、光柵系統、減震系統等十幾個模組。從技術原理來看，光刻機的三大核心，分別是光源系統、物鏡系統、雙工作台。值得申明的是，EUV整機的10萬個零部件由分佈在全球的5000多家供應商提供，其中約90%的關鍵裝置來自外國而非荷蘭本土，ASML實質上只負責光刻機設計與模組整合。（一）光源系統深紫外光是准分子光源，由雷射器產生，極紫外光本質是電漿體輻射光源，不能由准分子雷射器產生。ASML採用的是主流的雷射激發電漿體（LPP）技術，即由高能雷射兩次精準轟擊Sn靶激發高強度的電漿體，收集並捕獲電漿體發出的13.5nm EUV輻射，將其集中起來傳遞至曝光系統。所以，EUV光源系統由光的產生、光的收集和傳輸、光譜的純化與均勻化三大單元組成。第一個技術難點是製造高功率光源。極紫外光刻需要光源功率至少達到250w，倒推雷射器的激發功率要達到20kW以上。目前能提供EUV光源的僅有ASML子公司Cymer和日本Gigaphoton，二者均使用基於電調製種子源加多級功率放大器的納秒脈衝光纖雷射器（Master Oscillator Power-Amplifier, MOPA）和預脈衝相結合的方案轟擊Sn靶。Cymer使用通快雷射放大器，Gigaphoton使用三菱電機生產的放大器，結構和原理類似。與傳統的固體和氣體雷射器相比，光纖雷射器的轉換效率更高，結構簡單，光束質量高（有助於降低衍射效應），體積小，散熱效果更好，使用壽命更長等特點。第二個技術難點在於光的收集和均化。首先，EUV的波長為13.5nm，很容易被包括鏡頭玻璃在內的材料吸收，所以需要使用反射鏡來代替透鏡。普通打磨鏡面的反射率不夠高，必須使用布拉格反射器（Bragg Reflector），它是一種複式鏡面設計，可以將多層的反射集中成單一反射。其次，空氣也會吸收EUV並影響折射率，所以光路通過的腔體必須是真空狀態。最後，保證解析度還需要對光進行均勻化。ASML採用的是FlexRay照明器，由能量均衡元件、光束分割元件、微反射鏡陣列和傅里葉變換鏡組組成，本質上是一個微光機電系統（Micro-Opto-Electro-Mechanical Systems, MOEMS），核心器件是一組（64×64個）場鏡和光瞳鏡，均為可轉動的微反射鏡陣列（MMA），通過改變每一個反射鏡的角位置改變照明光瞳，最後出來的光就被均勻化了。照明系統共約1.5萬個元件，重1.5噸。第三個技術難點在於光源的穩定傳輸。使雷射束以極大功率穩定傳輸的照明系統非常複雜。以通快（TRUMPF）的雷射器為例，核心元件有高功率種子模組、由4—5個諧振腔組成的高功率放大鏈路、光束傳輸系統和光學平台。放大器將幾瓦的CO2雷射脈衝連續放大10000倍以上，達到40kW。從種子光發生器到Sn靶的整個照明系統有500多米的光路，對所有零部件的要求都非常苛刻。另外，EUV在照明系統中的每一次反射都會損失約三成能量，經過反射鏡陣列，最後到達晶圓的光線大概只能剩下2%左右。反射過程中被吸收的能量也必須用大功率散熱系統進行冷卻。光源的穩定性和聚光元件的保護也是巨大的挑戰，因為用於激發的雷射器本身存在抖動，雷射與電漿體作用時產生的污染將會對光源聚光元件造成影響和破壞。（二）物鏡系統EUV從光源系統發出後，首先進入照明系統，最佳化光束，接著光穿過掩範本，再經過投影物鏡，將掩範本上圖案聚焦成像在晶圓表面的光刻膠上。在早期的低解析度光刻機中，物鏡結構有全反射型、全折射型、折反射型、透射型等多種結構。由於EUV波長短、穿透性強，DUV所用的透射式系統無法使極紫外線偏折，故而物鏡系統中只能使用全反射的投影系統。全反射系統設計要求光束相互避讓，誤差容忍度低，對光學元件加工的要求極高，其性能的高低直接決定了光刻機的解析度和套刻精度。2010年，ZEISS研發出全球第一套EUV光學系統，2012年量產。最新一代EUV光刻機投影物鏡約有2萬個元件，重2噸。ZEISS是ASML光刻機所用透鏡、反射鏡、照明器、收集器和其他關鍵光學元件的全球唯一供應商。第一個技術難點是原子級的平整度。EUV光刻機的反射鏡最大直徑1.2米，面形精度峰谷值0.12奈米，表面粗糙度20皮米（0.02奈米），這意味著如果把鏡片放大到德國那麼大，表面粗糙度也只有0.2毫米。第二個技術難點是多層鍍膜工藝。由於EUV能量很高，會引起反射鏡表面的化學反應和損傷。所以，反射鏡需要高度純淨的材料和多層表面鍍膜，EUV物鏡的鍍膜由鉬和矽的交替奈米層製作，最高達100層，且多層膜厚度誤差在0.025奈米（原子等級）。鍍膜工藝由蔡司（ZEISS）與弗朗霍夫應用光學與精密工程研究所（Fraunhofer IOF）共同研發。第三個技術難點是真空潔淨度要求。由於絕對的平整度要求，任何環境中的微小顆粒都會對工藝質量造成極大破壞，所以整套系統要求極高的真空潔淨度，蔡司（ZEISS）位於奧伯科亨（Oberkochen）的總部實驗室能達到該要求。第四個技術難點是浸入式技術。EUV目前主要採用局部浸入式，即在投影物鏡最後一個透鏡的下表面與光刻膠之間充滿高折射率的液體（純水），並保證水隨著光刻機在晶圓表面做掃描運動，其好處是對系統的改造小，工件台與乾式系統相同，並可以保留原有的對準系統和調平調焦系統。不過，仍需要克服浸潤液氣泡、鏡頭表面腐蝕、套刻精度受限等技術難題。目前只有ASML和尼康兩家公司掌握浸入式技術。此前EUV光刻機的上市時間不斷被延後，主要有兩大方面的原因，一是所需的光源功率遲遲無法達到250w的工作功率需求；二是光學透鏡、反射鏡系統對於光學精度的要求極高，生產難度極大。物鏡的製作不僅需要採用精度最高的打磨機和最細的鏡頭磨料，還需要頂級的“技術工人”。在光學鏡頭的生產工序中，僅光學表面成形拋光技術（Computer Controlled Optical Surface, CCOS）就有小磨頭拋光、應力盤拋光、磁流變拋光、離子束拋光等高難度的超精密工序。高端光刻機整機價格超過3億美元，鏡頭的價值接近0.6億，成本佔比相當大。上述兩方面的原因甚至使得ASML難以獨立支撐龐大的研發費用支出，不得不在2012年向三星、台積電、英特爾聯合體出售23%的股權，融資支援EUV光刻機的研發，並約定上述三家擁有優先供貨權。此後，ASML收購了全球領先的准分子雷射器供應商Cymer，並以10億歐元現金入股光學系統供應商ZEISS，加速EUV光源和光學系統的研發處理程序，這兩次併購也是促成EUV光刻機研發成功的重要原因。（三）雙工件台工件台是承載晶圓的平台，也被稱為承片台，由吸盤模組、驅動模組、導向模組、位置測量模組和運動控制模組組成。承片台上有真空吸盤用於固定矽片，宏動模組是承載微動模組的運動裝置，主要完成長行程運動，微動模組實現奈米精度的運動，共同完成矽片的定位和傳輸，超精密位移測量系統負責即時高精度位置測量和反饋。早期的工件台為單工件台形式，單個工件台串聯執行上下片、測量、對準和曝光等工序，產出效率較低。而2000年，ASML的雙工件台（TWINSCAN）推向市場，採用“直線電機+氣浮導軌+雷射干涉儀”的方案。雙工件台的基本運行原理是兩個工件台聯動運行，當位於曝光工位的工件台做曝光時，位於測量工位的工件台提前完成上片、對準、三維形貌測量等工序，之後兩個工件台互換位置，如此循環。雙工件台比單工件台的效率提升3倍以上，也更能適應浸入式光刻的需求，避免了物鏡系統與矽片間的水膜影響矽片測量的精準性，提升了光刻精度。2008年，新一代NXT平台採用了創新型材料，並使用磁懸浮平面電機和平面光柵測量技術，生產效率再提高30%。深紫外ArFi光刻機和EUV光刻機使用的都是新一代的NXE雙工件台。第一個技術難點是高加速度。目前投產的EUV光刻機（NXE:3600D），12吋晶圓的光刻生產速度為170片/小時以上，下一代NXE:3600E和NXE:4000F的吞吐量都將擴容到220片/每小時，這意味著承片台需要以高達7g的加速度高速移動。7g的加速度意味著從0km/h加速到100km/h只要約0.4秒，而F1賽車需要2.5秒。第二個技術難點是精確對準。EUV的套刻精度（晶片製造需要層層疊加，每次重疊的誤差稱為套刻精度）要求是2nm以下。晶圓從傳送模組到承片台的機械誤差高達數千nm。投影物鏡和晶圓表面的高低差累計也可達到500-1000nm。所以，每次曝光前，雙工件台必須與計算光刻軟體結合，對每片晶圓做精密量測，擷取到晶圓每一個區塊奈米等級的微小誤差，在曝光階段進行即時校正。目前能夠掌握該項技術的只有ASML。第三個技術難點是穩定運動。EUV光刻機的運動控制模組可以做到吸收平衡晶圓平台所施加於機座的反作用力，使整座機台完全靜止。位置測量模組採用平面光柵技術，兩個工件台上分別佈置4個光柵編碼器，具有4個面內測量資訊和4個面外垂向測量資訊，利用8個位移測量資訊得到六自由度位移，精度可以做到0.06nm。總之，EUV光刻機幾乎逼近目前物理學、材料學以及精密製造的極限。所以EUV不僅是頂級精密製造的學問，更以前沿科學研究為基礎。上海微電子裝備公司（SMEE）董事長對EUV光刻機的精度有過形象的比喻：相當於兩架大飛機從起飛到降落，始終齊頭並進，一架飛機上伸出一把刀，在另一架飛機的米粒上刻字，還不能刻壞。04. 光刻機的國產化處理程序實際上，中國光刻機的實驗室研製起步並不晚，早在70年代就研製出接觸式曝光系統，但產業化落地嚴重滯後。為強化國內半導體產業鏈自主研發能力，國務院於“十二五”規劃期間推出“極大規模積體電路製造裝備及成套工藝”重大專項，簡稱“02專項”，旨在突破積體電路製造裝備、材料、工藝、封測等核心技術，形成完整的產業鏈和較強的國際競爭力。國產光刻機的主要企業為上海微電子（SMEE），上海微電子自主研發的90nm製程SSA600/20步進掃描投影光刻機正是通過承擔“02專項”的“90nm光刻機樣機研製”項目。該光刻機於2018年3月面世，可滿足國內重要機構使用需求，不受國外限制。SSA600/20光刻機的核心零部件約佔所有零部件的70%—80%，都已經實現國產化，剩下20%未國產化的部分主要是板卡等非核心零部件，如果有必要，隨時可以實現國產替代。但SSA600/20的產能和良率較ASML還有較大差距，且主要用於積體電路的後道封測。國產光刻機還處於單工件台幹式DUV階段，光源主要是i-line、KrF和ArF。最新消息是上海微電子的28nm光刻機樣機已經交付企業測試，實際製程對應45nm左右。但樣機驗收和產業應用是兩個概念。樣機驗收只需要成功完成晶圓曝光即可。到工廠應用，至少要兩年時間才能得到足夠的良率資料，如果一切順利，將良率調優到90%以上可能還需要3—5年時間。ASML的光刻機發到台積電，也需要兩年左右的時間安裝、偵錯，才能正式量產。另有消息說某知名廠商通過購買尼康的光刻機進行改造，通過多重曝光技術也實現了高製程晶片的量產，但具體細節不得而知。光源方面，中國已經可以製造高能准分子雷射器，甚至不乏一些國際市佔率還不錯的優質企業，有一些光學元件、雷射器件也供貨ASML，TRUMPF，Lumentum等國際企業。不過，目前國內的雷射器還是在DUV光源，EUV光源研發則剛剛起步，僅有實驗室等級的DPP-EUV光源。前段時間，清華大學提出了穩態微聚束技術（SSMB）方案，也很有前景，但尚未得到產業應用。物鏡方面，技術節點已經突破90nm，反射鏡的面形精度PV可以做到30nm（ASML EUV PV<0.12nm），表面粗糙度可以做到0.5nm（ASML EUV 表面粗糙度<30pm）。物鏡的真空腔體也可以自主製造。雙工件台仍處於實驗室階段。產學合作研發的實驗室階段的雙工件台的運動精度已經可以達到10nm，但還沒有正式的產業化應用。另外，目前的工件台主要適配於乾式光刻機，應用於浸入式光刻機的工件台仍在研發。另外，國內對整個多重曝光技術的掌握程度還比較低。多重曝光技術將原本一層光刻的圖形拆分到多個掩模上，利用光刻Litho和刻蝕Etch實現更小製程，可以在犧牲良率和產量的情況下生產更低製程的晶片，比如使用DUV光刻多重曝光可以實現7nm製程。國內光刻機當前重點攻關的是浸入式ArFi光刻機（波長等效134nm）。如果順利突破，這就意味著國產光刻機邁進DUV光刻機的高端行列。05. 突破路徑：ASML的啟示（一）復盤ASML的歷史1955年，貝爾實驗室開始採用光刻技術。1961年，GCA公司製造出第一台接觸式光刻機。20世紀80年代，尼康發布了第一台商用步進式光刻機NSR-1010G。1984年尼康與GCA各佔據30%市場份額，同年ASML剛剛成立。ASML從一個默默無聞的小公司逐步成長為光刻機霸主的歷程發展歷史中有幾個里程碑事件。1991年，ASML公司推出PAS 5500這一具有業界領先的生產效率和精度的光刻機。PAS 5500的模塊化設計使得同一個系統能夠生產多代先進晶片。PAS 5500也為ASML帶來幾家關鍵的客戶，包括台積電，三星和現代，這些客戶是公司後來實現盈利的關鍵。1997年，為了突破193nm波長，英特爾和美國能源部牽頭成立了EUV LLC聯盟，成員包括摩托羅拉、IBM以及若干美國知名研究機構，但聯盟早期成員沒有光刻機廠商，於是ASML順勢加入並共享研究成果。隨後，ASML就開始了漫長的EUV光刻機研發過程。2001年，公司推出TWINSCAN系統和革命性的雙工作台技術，一般的光刻機只有一個工作台，需要先測量，再曝光，而雙工作台技術實現測量與曝光同時進行，在對一塊晶圓曝光的同時測量對準另外一塊晶圓，一下子把生產效率提升了35%以上。2003年，ASML與台積電合作推出浸入式光刻機。儘管同期尼康基於F2光源（157nm）和乾式微影技術的90nm產品和電子束投射（EPL）產品樣機研製成功，但相對於尼康的全新研發，ASML的產品屬於改進型成熟產品，在為半導體晶片廠商節約大量成本的同時實現工藝提升，半導體廠商只需對現有裝置進行微調就能將蝕刻精度提升1-2代，並且其縮短光波的效果也優於尼康產品（多縮短25nm）。可以想像，幾乎沒有廠商願意選擇尼康的產品，尼康在高端光刻機領域的“潰敗”由此開始。此後，尼康痛定思痛選擇調轉方向研發浸沒式光刻系統，並推出NSR-S622D、NSR-S631E、NSR-S635E等產品，但半導體裝置更新換代迅速且投資很高，新產品總是需要至少1～3年時間由前後道多家廠商通力磨合，可謂一步慢、步步慢。ASML在浸入式系統上的先行優勢使其有更充裕的時間改進裝置、提高良率，產品可靠性自然領先尼康。從此，代表日本高端光刻機的尼康逐漸敗給了日後的高端光刻龍頭ASML。2006年，ASML推出EUV光刻機的原型機。由於EUV光刻機的研發難度極大，2013年ASML才推出第一台EUV量產產品，進一步加強行業壟斷地位。（二）三大策略ASML光刻機採用模組化的設計、製造、整合和偵錯。各模組系統與單元元件分別在ASML產業鏈聯盟夥伴和關鍵供應商內部完成，之後交由ASML組裝，然後再分解成若干單元，將其包裝並空運到使用者的Fab廠房，再次進行整機安裝偵錯。這種模式加快了ASML新產品開發速度，縮短了產品上市周期。實際上，光刻機90%的關鍵裝置來自外國而非荷蘭本國，ASML作為整機公司，只負責光刻機設計與整合各模組，需要全而精的上游產業鏈做堅實支撐。縱覽ASML的發展歷史，ASML主要採取了幾方面的合作創新策略：第一，通過收購/入股，深度繫結上游供應商。2000年以來ASML歷經7次主要收購，包括美國光刻機製造商SVG，美國計算光刻軟體公司Brion，美國EUV光源製造商Cymer，獲取了上游光源、鏡頭等光刻機關鍵部件的領先技術。多次併購加速了EUV光源和光學系統的研發處理程序，也是EUV光刻機能研發成功的重要原因。2016年收購台灣的漢微科（HMI），吸收其電子束晶圓檢測能力；2017年收購蔡司（Zeiss）24.9%的股份；2019年收購荷蘭電子束光刻廠家Mapper做技術儲備；2020年收購Berliner Glas，主要提供晶圓台和夾具、掩膜卡盤和鏡塊。第二，鼓勵客戶參股公司，構築利益共同體。2012年，公司推出“Customer Co-Investment Program”，該計畫允許其大客戶對ASML進行少數股權投資，英特爾、台積電、三星投資總計約39億歐元取得23%的股份，並向ASML提供13.8億歐元的研發資金，同時享受EUV光刻機的優先供貨權。第三，重視研發投入，並採取開放合作的研發模式。技術創新是推動ASML增長的最重要因素，ASML的技術創新理念是合作開放，通過全球產業鏈分工合作，採取模組化外包協同聯合開發策略，建構了以ASML為核心的產業鏈聯合體。公司開放式創新系統中包含了大學、研究機構、合作夥伴等，建立一個強大的知識技術共享網路，ASML可以快速獲得行業內前沿技術的相關知識。包含了比利時的Imec、上海積體電路研發中心、荷蘭ARCNL、EUV LCC、蔡司等。2019年，ASML與一些大學、研究機構和高科技公司參與了歐盟補貼的項目，這系列的項目圍繞著光刻、計量和工藝開發三大核心技術領域，每一項技術都在推動公司創新過程中發揮著至關重要的作用。（三）繞路超車其實，除了光刻機，研究人員還提出了一些潛在的替代方案。比如，奈米壓印技術（NIL）。這種技術將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓表面的抗蝕劑上，通過類似於印章的形式製造積體電路，將掩模上的精細電路圖案轉移到晶圓上，可在單個壓印件中形成複雜的二維或三維電路圖案。由於不依賴EUV光源，這種製造技術的成本更低。現在日本已經初步將這一技術用於生產快閃記憶體晶片，未來或許有進一步擴大應用的空間。定向自組裝（DSA）。這是一種利用材料自身的分子排列規律，誘導光刻材料在矽片上自發組成需要的圖案的方法，它比傳統光刻解析度更高，加工速度也不受影響，但它對材料控制的要求特別高。現在比利時的Imec、美國的MIT實驗室都已經建立了實驗室產線，未來有產業化的可能。電子束光刻（EBL）。這種技術實際上是利用高能電子束代替雷射器光源，直接在晶圓上進行雕刻。它的解析度實際上比EUV光刻還高（可以達到0.768nm），但刻蝕速度非常慢，無法滿足商業化需求，目前主要用在量子晶片等高精度、小批次的晶片生產中。06. 總結：光刻攻關需久久為功受《瓦森納協議》等國外技術管制影響，中國幾乎無法向所有參與半導體產業鏈的國家購買尖端技術和相關裝置，國產高端光刻機也就無法像ASML一樣通過全球合作、併購突破，只能依託本土光刻元件和配套設施產業鏈自主研發。不過，EUV被ASML壟斷，但短期內DUV才是行業主流的應用產品，且國外的技術封鎖主要集中在雙工件台的DUV，目的是提高中國的商業化應用成本。中國在乾式、單工件台的KrF、ArF光刻機製造方面已經取得了不少經驗。在技術路徑上，下一代光刻機所應用的浸沒式技術的成功已經通過ASML和尼康之爭的過程得到驗證，本土企業可以少走彎路。但區別於其他工藝，光刻機的元件及配套設施極度複雜，毫不誇張地說，光刻機自身即可自成產業鏈。所以，光刻機的製造研發絕不是某一個企業能夠單獨完成的，必然需要很多頂尖企業相互配合。在這種情況下，指望在一兩個點上取得突破就戰勝所有其他對手是不現實的，ASML即很好的例證。與其說ASML是一家荷蘭企業，不如說它是一家全球企業。說“集全球之力，成一家ASML”也不為過。ASML所有的機型從研發到成為主流都經歷了十多年到二十多年的時間，即使光刻機的關鍵技術取得了突破，後續還有穩定性、良率、價格、市場需求等因素，幾乎每一項因素都會決定這個機型的前途命運。彎道超車談起來容易，但在十幾、二十年的時間裡能堅持下來的企業鳳毛麟角。只要一個方面出現差錯，都有可能功虧一簣，歷史上在這方面的教訓非常多。當然，我們也不必氣餒，只要我們在光刻機突破方面（實際上所有的技術突破都是如此），抱著實事求是的態度，踏踏實實地解決一個個問題，做好長時間攻關的戰略準備，利用好光刻機研發對產業、學界帶來的機會，內省自己的產業發展生態和科教體制機制，對光刻機的研發，實際上也是對基礎學科基礎研究能力的錘煉。所謂“但行好事，莫問前程”，即如是。 (秦朔朋友圈)