如今，High-NA EUV已經跨過技術驗證門檻，但三大晶圓廠對它的態度出現明顯分化：英特爾搶跑、台積電算帳、三星踩剎車。照目前來看，三家路線不是誰先進，而是誰更需要High-NA。 英特爾：一場不能輸的製程證明 2026年7月，ASML宣佈，英特爾已經在部分Panther Lake產品的特定Intel 18A工藝層中使用EXE系列High-NA EUV裝置，並進入高產量製造。相關High-NA工藝層已經達到與傳統NXE低NA EUV平台相當的良率。 但並不是整個Intel 18A工藝都使用High-NA；也不是所有Panther Lake產品都使用High-NA，而是部分產品、部分關鍵層。也就是說，英特爾不是用High-NA全面替代Low-NA，而是在真實量產環境中驗證曝光、套刻、裝置利用率、良率和維護資料。

多個板塊表現活躍。 7月28日，A股三大指數集體低開。盤面上，次新股、MLCC概念、儲存晶片、CPO概念等板塊跌幅居前，銀行、釀酒、房地產等板塊小幅上漲。 港股方面，恆生指數和恆生科技指數飄紅。其中，地平線機器人、理想汽車、京東集團、小鵬集團、美團、小米集團等漲幅居前；老鋪黃金、建滔積層板、智譜、兆易創新等走弱。 光刻機概念股掀漲停潮

近日外媒及國內權威管道確認，上海微電子自研SSA800系列193nm浸沒式DUV深紫外光刻機正式進入量產階段，成為國內可商業化交付的28nm製程光刻核心裝置。2026年規劃首批產出5台裝置，2027年產能擴充至20台以上，整機國產化率超85%，可原生滿足28nm晶片製造，依託多重曝光工藝可向下相容14nm成熟製程。首批裝置將優先交付中芯國際、華虹半導體、長鑫記憶體等頭部晶圓廠，用於功率半導體、記憶體晶片、車規級MCU等大批次成熟工藝生產。在海外持續收緊DUV裝置出口與維保管制的背景下，國產DUV量產直接補齊晶片製造最關鍵短板，打破艾斯摩爾在浸沒式光刻領域的獨家壟斷，標誌國內半導體裝置自主可控從技術攻關邁入規模化商用落地新階段。 國產浸沒式DUV光刻機量產是半導體產業鏈里程碑式突破，直接避險海外裝置管制風險，保障國內成熟製程晶圓廠擴產產能穩定。裝置放量將帶動光刻光源、雙工件台、光學鏡頭、精密結構件等上萬項零部件國產替代訂單集中釋放，倒逼上游精密製造、光學材料、特種陶瓷產業技術迭代。中長期將完善國內晶片製造閉環，降低成熟製程晶片對外裝置依賴，夯實功率晶片、記憶體晶片自主化根基，重塑全球半導體裝置供需格局。 相關上市公司梳理（不作個股買入推薦） 整機股權端，張江高科通過子公司參股上海微電子，直接受益整機量產估值重估。核心零部件領域，華卓精科為光刻機雙工件台獨家供應商，是裝置核心剛需部件；福晶科技供應DUV光源核心非線性光學晶體，深度繫結國產光源廠商；波長光電、炬光科技提供光刻照明系統、光學透鏡與光場勻化元件，訂單確定性較強。精密結構件方面，富創精密、華亞智能批次供貨光刻機腔體與鈑金結構件；先導智能佈局光刻特種陶瓷零部件與光源配套。配套耗材與工藝端，至純科技提供光學元件濕法清洗裝置，強力新材光刻膠、容百科技光刻配套電子化學品同步受益晶圓廠產線擴容，全鏈條充分分享國產DUV規模化放量紅利。 (翔談財經)

半導體“卡脖子” 核心環節迎來里程碑突破！據行業獨家知情人士消息，上海一家國資背景企業正式啟動國產浸沒式DUV 光刻機規模化量產。在美國持續加碼晶片管制、艾斯摩爾裝置漲價、維修服務受限三重壓力下，國產光刻裝置從樣機驗證邁入商用交付階段，徹底打破單一海外裝置依賴格局。本文完整梳理本次產業突破核心資訊，並簡要拆解A 股全產業鏈受益標的。 一、事件核心全貌：國產DUV 光刻機量產落地 1. 企業背景與研髮根基 本次量產主體為上海國資控股裝置企業，整合國內多家浸沒式DUV 研發團隊，核心研發載體為國資晶片裝置初創公司上海宇量昇科技。項目由上海、深圳兩地國資協同佈局，華為參與統籌協調國內全產業鏈資源，研發模式從早年單一科研院所攻堅，轉為科研機構、裝置企業、晶圓廠協同產業化模式。早在去年，該企業已向國內頭部晶圓廠交付DUV 光刻機原型樣機，各工廠上機測試資料表現良好，為今年量產奠定基礎。因項目高度敏感，企業完整名稱未對外披露。

據 The Information 報導，中國已開始大規模量產自主研發的深紫外光刻機（DUV）裝置，計畫 2026 年生產 5 台，2027 年生產 20 台。不過，將這些裝置投入實際量產線仍需數月甚至更長時間，晶片製造商需要測試其精度、可靠性和相容性。 據消息人士稱，國產 DUV 主要使用國產零部件，但部分關鍵部件仍來自日本，且性能和製造質量目前仍落後於 ASML 產品。今年本地供應商的延誤已影響生產進度，因此 ASML 短期內幾乎沒有直接威脅，但國產裝置產量上升可能逐漸侵蝕其在中國市場的地位，若西方實施更嚴格限制，將加速中國晶片製造商轉向本土裝置。 (財經實驗室TheFinanceLab)

昨天（7月25日），馬斯克在接受《經濟學人》專訪時拋出一個判斷： “未來某個時刻，中國極有可能成為全球人工智慧的領導者。美國就算停用中國模型，也根本擋不住這個趨勢。” 這不是一句外交客套或情緒化的讚美之詞，而是馬斯克用商業與工程視角，穿透了當下不少人的認知盲區： 今天的AI競賽，表面看是晶片與演算法的爭鋒，底層卻是一場殘酷的“物理世界基礎設施硬碰撞”。

如今，High-NA EUV已經跨過技術驗證門檻，但三大晶圓廠對它的態度出現明顯分化：英特爾搶跑、台積電算帳、三星踩剎車。照目前來看，三家路線不是誰先進，而是誰更需要High-NA。 英特爾：一場不能輸的製程證明 2026年7月，ASML宣佈，英特爾已經在部分Panther Lake產品的特定Intel 18A工藝層中使用EXE系列High-NA EUV裝置，並進入高產量製造。相關High-NA工藝層已經達到與傳統NXE低NA EUV平台相當的良率。 但並不是整個Intel 18A工藝都使用High-NA；也不是所有Panther Lake產品都使用High-NA，而是部分產品、部分關鍵層。也就是說，英特爾不是用High-NA全面替代Low-NA，而是在真實量產環境中驗證曝光、套刻、裝置利用率、良率和維護資料。

分享ASML與其他團隊在 2026 年 SPIE 先進光刻會議發表的 EUV 光刻模擬研究報告，聚焦高 NA、超高 NA EUV 場景下3D 掩模（M3D） 相對傳統基爾霍夫（KH）理想掩模的成像增益。 報告主要內容 一、研究基礎：兩種掩模建模體系 基爾霍夫（KH）理想掩模模型：