EUV光刻機被認為是5nm以下工藝不可或缺的關鍵裝置,然而EUV成本高,再加上受限的情況下,半導體工藝只靠當前的DUV光刻能做到什麼地步?
這個問題是Intel、台積電、三星等公司不會面對的,因為他們已經切換到EUV路線了,但一家名為SMIC的公司還在不斷最佳化DUV光刻極限,業內的光刻技術大佬Frederick Chen日前又注意到了SMIC申請的2個專利,展示了該公司在這方面的探索。
SMIC公司在中美兩地都申請了這個專利,最早在2024年10月份就率先在中國境內申請了,目標是提高電晶體密度的同時也提高設計的靈活性。
文章的技術內容太過高深,感興趣的可以看原文,簡單來說就是SMIC公司在SAQP自對準四重圖案與傳統的LELE(光刻+蝕刻)兩個技術中如何尋求平衡的技術。