繼昨天的芯盟科技技術分析，筆者知識星球裡幾十家的一級市場企業的分析文章，今天在結論最近比較火的光刻機企業-光科芯圖。 其他更火爆的一大堆先進封裝項目，有需要的歡迎加入筆者知識星球，掃文章末尾二維碼即可加入。 最近有不少一級市場朋友向筆者詢問北京光科芯圖，原因也很簡單：光刻機、全息光刻、EUV，這三個詞放在一起，在今天中國半導體投資環境裡實在太容易講故事。 尤其當市場把全息光刻描述成一種可以繞過傳統投影物鏡、甚至可能繞過ASML技術路線的下一代光刻技術之後，對不熟悉光刻歷史的人來說，很容易形成一個錯誤印象。

馬斯克打算對EUV光刻機“動刀”了。 馬斯克的晶片工廠Terafab藍圖。圖片經由AI處理 為了打破傳統極紫外光刻對單機獨立光源的物理依賴，馬斯克直接將目光投向了工業級自由電子雷射器（FEL）。 美國當地時間8月6日，SpaceX官方帳號發佈了Terafab巨型晶片廠的夜間渲染視訊，畫面中央一個巨大的圓形同步加速器環形結構迅速引發熱議。

ASML的優勢，是通過一系列決策建立起來的——這一過程始於2000年代初期的157nm光刻。在這些決策中，即使經濟前景並不確定，而且競爭對手認為風險不值得承擔，ASML 仍然一次又一次選擇將極其困難的下一代技術堅持推進，直至形成一套能夠實際運行的生產系統。 本文將從157nm光刻開始，追溯這一發展模式，隨後延伸到193nm浸沒式光刻和 EUV；分析為什麼Nikon（尼康）和Canon（佳能）做出了不同的選擇；並進一步探討，新一代無掩模、數字控制光刻技術，是否有可能對 ASML 當前的地位構成第一個真正意義上的架構性挑戰——而這種挑戰最有可能首先出現在低產量、高混合度製造領域，而不是先進邏輯晶片的最前沿。 01. 157nm插曲：一項輸掉競賽的技術 2000年代初期，ASML、Nikon和Canon都在開發 157 nm 光學光刻技術，當時業界普遍認為它將成為 193 nm 乾式光刻的下一代技術。三家公司都在大約2002—2003年間公佈了相關技術路線圖。

繼電動汽車、不鏽鋼大火箭和人形機器人後，科技富豪馬斯克似乎要開始對人類製造晶片的流程展開最佳化。 上周公佈超級晶片廠Terafab的168億美元初期投資時，馬斯克展示了一段巨型晶片廠建成後的假想視訊。隨後，矽谷“有效加速主義”代表、AI硬體初創公司Extropic創始人紀堯姆·韋爾東（化名Beff Jezos）提出了一個問題：Terafab中間似乎有一個巨大的圓圈，那是環形粒子加速器麼？ 對此，馬斯克回應了6個字母：FEL FTW（Free-Electron Laser, For The Win，即“自由電子雷射才是王道”）。 如何撼動現有版圖？

8月3日消息，根據彭博社報導，光刻機大廠ASML供應商——德國蔡司集團（Zeiss Group）半導體事業部負責人Frank Rohmund近日在接受彭博社採訪時反駁市場對AI供應鏈瓶頸的疑慮，並表示有信心具備足夠產能，可應對持續攀升的需求。 蔡司半導體事業部於7月下旬宣佈，將在德國南部的奧伯科亨新增約25,000平方米的生產相關空間，該項目自2022年5月奠基儀式以來，歷時四年才實現首座大樓的完工，員工將於本月遷入大樓，剩餘建築將分階段交付。同時，蔡司也正於另一處園區興建新工廠，表示若市場需求持續增加，仍有擴產的空間。 Frank Rohmund表示，這些才是真正攸關產能擴充的長期投資。 資料顯示，蔡司擁有近180年光學技術歷史，其鏡頭曾協助美國太空總署（NASA）拍攝人類首次登月畫面，如今產品涵蓋半導體零元件、醫療裝置、顯微鏡及眼鏡鏡片等多元業務。蔡司半導體事業於1990年代末與ASML建立合作關係，雙方共同推動晶片朝向更小、更強大且更節能的方向發展。

01 前沿導讀 2022年，美國發佈針對中國半導體產業三大核心領域的出口管制政策，要求對製造18nm及以下記憶體晶片、128層及以上快閃記憶體晶片、14nm及以下邏輯晶片所需的裝置實施出口管制，這一波壓制相當於切斷了中國記憶體晶片和邏輯晶片依靠外部裝置提升競爭力的機會。 隨後美國又開始針對光刻機這種通用製造裝置進一步實施限制，對中國兩家大型的記憶體晶片製造商、兩家大型的晶圓製造商，外加上一家中國老牌的科技巨頭實施全面出口管制，禁止ASML向其繼續銷售浸潤式DUV光刻機，並且要求ASML停止對其現有裝置的維護工作。

分享佳能於2026年發表的技術演示，介紹了佳能的奈米壓印光刻（NIL）和噴墨自適應平坦化（IAP）技術，重點闡述了這兩種技術在計量、缺陷控制和工藝性能方面面臨的獨特挑戰與解決方案，內容涵蓋了從NIL基本原理、掩範本製造與檢測，到IAP技術的工藝優勢與性能資料。 報告指出，NIL技術因其1x掩範本特性，在計量和缺陷控制方面面臨獨特挑戰，但通過專用的檢測工具和工藝最佳化，已逐步滿足量產要求。同時，IAP作為一種與光刻技術無關的平坦化方案，在局部和大範圍平坦化、間隙填充及缺陷控制方面展現出巨大潛力，是先進製程中一項極具前景的新技術。 報告主要內容 奈米壓印光刻（NIL）基礎與應用

如今，High-NA EUV已經跨過技術驗證門檻，但三大晶圓廠對它的態度出現明顯分化：英特爾搶跑、台積電算帳、三星踩剎車。照目前來看，三家路線不是誰先進，而是誰更需要High-NA。 英特爾：一場不能輸的製程證明 2026年7月，ASML宣佈，英特爾已經在部分Panther Lake產品的特定Intel 18A工藝層中使用EXE系列High-NA EUV裝置，並進入高產量製造。相關High-NA工藝層已經達到與傳統NXE低NA EUV平台相當的良率。 但並不是整個Intel 18A工藝都使用High-NA；也不是所有Panther Lake產品都使用High-NA，而是部分產品、部分關鍵層。也就是說，英特爾不是用High-NA全面替代Low-NA，而是在真實量產環境中驗證曝光、套刻、裝置利用率、良率和維護資料。