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中國NAND勢力改寫全球記憶體格局! 長江存儲出貨超越鎧俠與美光,NAND競爭進入「中韓三強」階段
最新記憶體產業鏈以及整個AI算力產業鏈需求動態數據共同顯示,AI算力需求帶來的記憶體晶片需求擴張之勢正在從HBM/DRAM向NAND快速外溢,而天量級別的AI推理工作負載正在成為NAND這一輪需求結構變化的核心發動機。 智通財經APP獲悉,根據市場研究機構Counterpoint Research的最新數據,來自中國的NAND記憶體巨頭長江存儲(YMTC)正在全球NAND閃存市場迅速擴大份額,並在2026年第二季度按出貨量基準計算升至全球第三位——僅次於總部位於韓國的全球兩大記憶體晶片巨無霸三星電子以及SK海力士。近期三星、SK海力士以及希捷、閃迪、西部數據等一眾記憶體晶片領軍者公佈強勁業績,以及兩大記憶體巨頭佔據50%權重的韓國股市較7月30日低點大幅上漲超20%,進入技術牛市區域,凸顯出AI基建狂潮驅動的HBM/DRAM/NAND記憶體超級周期仍在強勢上演。 NAND閃存技術,可謂正在從長期以來被業內人士定位的傳統「冷數據/容量記憶體」資產,全面升級為AI推理時代的「擴展型準內存層」,它很可能成為繼HBM超級記憶體系統之後記憶體晶片產業最重要的前沿技術風口之一。由NAND閃存構建出的HBF技術路線的重磅出現(即「高帶寬閃存」),可謂進一步強化了這一判斷。 鎧俠、閃迪(Sandisk)、SK海力士以及三星明確把高帶寬閃存(HBF)定義為一種面向AI「內存牆」的新型NAND形態,目標是在AI推理中提供更大容量,並聲稱HBF在相關推理測試中可實現接近「無限容量HBM」的綜合傳輸性能,同時顯著提升可用內存容量。閃迪與SK海力士已發佈首份OCP技術規範,試圖把高容量、持久性NAND放置得更接近AI加速器,以緩解推理階段的「內存牆」,在容量遠高於HBM的同時提升帶寬並降低Token服務總體成本;它並非短期替代HBM,而可能在HBM與傳統SSD之間創造新的近計算記憶體層。
【洞觀匯流節拍】AI 紅利記憶體該買誰?用 22 年銀行企金「財報三指標」拆解美光、海力士、SNDK、長鑫存儲 導言:從企金放款邏輯看記憶體擴產潮 在銀行企業金融(企金)審查領域,衡量一家公司生死與價值的標準,與一般公開市場散戶有著本質上的差異。散戶關注 EPS 與營收成長率,分析師聚焦毛利率,股東看重 ROE;然而,對於放款授信的企金審查官而言,核心焦點永遠只有一個:自由現金流量(Free Cash Flow, FCF)是否足以支付利息與維繫營運。 當公司營收大幅成長 30% 時,背後意味著應收帳款與存貨部位必須同步墊高 30%,這將產生極大的營運資金缺口。若公司缺乏足夠的自由現金流支撐,便必須依賴外部融資續命。在企金授信邏輯中:「自由現金流為負,融資只是買時間,不是買未來。」
半導體、記憶體類股「去槓桿式」暴跌的五大真相與後續關注重點
全球半導體與記憶體類股在7月迎來猛烈拋售潮,市況慘烈。類股指數與核心標的均錄得雙位數月度跌幅—— $韓國綜合指數 (.KOSPI.KR)$ 截止7月29日收盤創下指數成立以來最大單月跌幅(-33.19%),單月觸發7次全市場熔斷,超過該機制此前25年觸發總和; $費城半導體指數 (.SOX.US)$ 單月亦暴跌超20%; $美光科技 (MU.US)$ 從歷史峰值1254.80美元(6月25日內最高點)持續回落,一路跌至目前約800美元的位置; $閃迪 (SNDK.US)$ 與 $SK海力士 (000660.KR)$ 更是單月直接腰斬,蒸發近一半市值。 以美光、閃迪為例。美光技術面承壓顯著,近期整體走勢維持下跌趨勢格局,形成明確的空頭壓制結構。股價在布林帶中軌(947.94美元)至下軌(802.87美元)之間持續偏下方運行,顯示賣壓尚未釋放完畢。支撐位方面,802.87美元為布林帶下軌;若此位遭有效跌破,下方次級支撐關注789.09美元(7月28日盤中低點)。 閃迪同理,當前股價已大幅跌破MA20(1,636.4美元)、MA50(1,721.48美元)並有效擊穿布林帶下軌(1,108.46美元),賣壓集中度極高。支撐層面,1,050.72美元為7月28日盤中最低點,為近期極限低點,一旦有效跌破,下方缺乏明顯技術支撐,需警惕進一步下探風險。 本輪拋售已超越周期性調整的範疇,呈現系統性去槓桿特徵——五條獨立的壓力線在7月下旬形成共振,疊加極度擁擠的交易結構,最終演變為踩踏式下跌。在槓桿出清完成、外資拋售壓力邊際緩解之前,類股波動率預計仍將維持歷史高位。