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儲存大廠預告淨利或增520%,行業“超級周期”來了?
佰維存儲的業績預告如同報春鳥,一個屬於儲存的時代來了。1月13日晚,深圳佰維存儲科技股份有限公司(以下簡稱“佰維存儲”)發佈公告稱,預計2025年實現營業收入100億元-120億元,同比增長49.36%-79.23%;2025年四季度單季營收34.25億元-54.25億元,同比增長105.09%-224.85%,環比增長28.62%-103.73%。圖片來源:佰維存儲該公司預計2025年淨利潤為8.5億元-10億元,同比增長427.19%-520.22%;2025年四季度淨利潤預計為8.2億元-9.7億元,同比增長1225.40%-1449.67%,環比增長219.89%-278.43%。該公司2025年度扣非淨利潤7.6億元-9億元,同比增加1034.71%-1243.74%。此消息一出,立刻引發業界廣泛關注。這份被譽為儲存“超級周期”的首份年報預告,不僅是一個公司的財務捷報,更像是一份宣言,似乎宣告了長達兩年的行業嚴冬正式終結。業績井噴:數字背後的行業拐點細讀佰維存儲的業績預告,幾組關鍵資料揭示了儲存行業的深刻變化。在營收層面,佰維存儲預計2025年實現營業收入100億元至120億元,同比增長49.36%至79.23%。尤為重要的是第四季度的爆發式增長:單季營收34.25億元至54.25億元,環比增長28.62%至103.73%,同比增長更高達105.09%至224.85%。盈利能力的恢復更加迅猛。扣除非經常性損益後,該公司2025年淨利潤預計為7.6億元至9億元,同比增幅達到驚人的1034.71%至1243.74%。對於業績變化的驅動因素,佰維存儲在公告中明確指向行業周期的根本性轉變:“儲存價格從2024年第三季度開始逐季下滑,2025年第一季度達到階段性低點...從2025年第二季度開始,隨著儲存價格走穩回升,公司銷售收入和毛利率逐步回升。”其次,2025年度公司在AI新興端側領域保持高速增長趨勢,並持續強化先進封裝能力建設,晶圓級先進封測製造項目整體進展順利,目前正按照客戶需求推進打樣和驗證工作,為客戶提供“儲存+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案。供需重構:儲存晶片漲價的深層邏輯佰維存儲的業績大漲只是冰山一角,其背後是整個儲存晶片市場的供需重構。自2025年下半年以來,儲存晶片價格已連續上漲兩個季度。供給端方面,DRAM原廠大規模將先進製程、新產能轉移至伺服器、HBM應用,以滿足AI伺服器的需求,其餘市場供給嚴重緊縮。市場研究機構TrendForce公佈的資料顯示,預計2026年第一季度通用型DRAM合約價將環比增長55-60%,NAND快閃記憶體產品價格也將上升33%至38%,其中消費級大容量QLC產品漲幅不低於40%。另據韓媒報導,三星電子與SK海力士計畫在2026年第一季度將伺服器DRAM價格較2025年第四季度提升60%-70%。閃迪宣佈企業級SSD NAND晶片報價將在2026年3月環比上漲超100%,且要求客戶支付100%現金預付款,以鎖定未來1-3年的供貨配額。需求端的復甦也展現出新的動力。隨著算力需求的激增,AI伺服器、智能汽車、物聯網裝置等新興應用場景對儲存晶片的需求呈現井噴式增長。TrendForce預測,2026年AI和伺服器對DRAM的消耗佔比預計將超過總產量的66%。“這不是簡單的周期性反彈,”一位業內人士指出:“這是由技術迭代和應用創新驅動的結構性增長。傳統的PC和智慧型手機市場雖然增長放緩,但新興應用正在創造全新的需求空間。”連鎖反應:下遊行業的喜與憂儲存晶片漲價如同一顆投入平靜湖面的石子,在電子產業鏈中激起層層漣漪。PC方面,戴爾、惠普、聯想等都在計畫漲價,漲幅最高達20%。據外媒消息,戴爾已在其內部通知員工,該公司即將對多種產品實施大幅漲價,此次漲價幅度將是該公司有史以來最大的一次,未來筆記型電腦和台式電腦的價格可能會上漲“數百美元”。惠普CEO Enrique Lores則警告稱,2026年下半年“可能尤其艱難”,必要時將上調價格。華碩發佈說明函通知,預計從2026年1月5日起針對部分產品組合進行策略性價格調整。就智慧型手機而言,調研機構Counterpoint資料顯示,2025年,記憶體在iPhone 17 Pro Max的物料成本中佔比已超過10%。TrendForce指出,此前DRAM佔智慧型手機總製造成本的10%至15%,但目前這一比例已上升至20%。此外,Omdia預計,受儲存晶片漲價影響,2026年智慧型手機的物料成本將上升25%。Counterpoint預計2026年全球智慧型手機出貨量將年減2.1%。多位行業人士預計,在記憶體價格飆升的情況下,智慧型手機面臨漲價或減配的壓力。汽車電子領域的情況則更為複雜。智能汽車對儲存晶片的需求急劇增長,但車規級晶片的認證周期長、要求高,短期內難以找到替代供應商。這使得汽車製造商在價格談判中處於相對被動的角色。而相對終端廠商,儲存模組製造商和管道商的日子,則明顯好過許多。長達兩年的價格戰與微利煎熬終於告一段落,行業迎來了期盼已久的利潤修復期。新周期啟幕:當儲存晶片邁入“新常態”邁入2026年,儲存晶片市場或將走向一個以 “理性”與“穩定” 為關鍵詞的全新發展階段。這個“新常態”是由技術、需求與產業邏輯深刻重構所定義的,其脈絡已清晰可辨:漲價或將延續目前來看,儲存晶片及下游產品漲價預計還將延續。1月12日,Counterpoint Research發佈報告顯示,儲存市場行情已經超過2018年的歷史高點,供應商議價能力已達到歷史最高水平,預計2026年第一季度市場價格還將上漲40%至50%,第二季度繼續上漲約20%。技術創新競爭技術創新將成為競爭焦點。隨著儲存晶片製程逐漸逼近物理極限,堆疊層數增加、新儲存材料應用、存算一體架構等方向將成為各大廠商的競技場。據預測,2026年300層以上的3D NAND快閃記憶體將實現量產,為儲存密度和性能帶來新的突破。中國儲存力量在這場漲價潮中,國產儲存廠商迎來了難得的發展契機。2025年以來,儲存廠商開始逐步增加資本支出,通過新建廠房、新投裝置,以及升級改造老製程裝置等方式,提高儲存產能。國內廠商將加速搶佔市場份額,國產儲存產品競爭力不斷提升。寫在最後本輪儲存晶片行業的復甦,遠非一次簡單的周期性價格反彈,而是標誌著整個產業步入更成熟、更理性的新發展階段。在技術迭代加速、應用場景爆發、國際競爭白熱化的三重壓力下,唯有那些堅持持續創新、並在專業領域做深做透的企業,才能將行業復甦轉化為可持續的增長紅利,從而為駕馭下一輪產業變革積蓄決定性優勢。對中國儲存產業而言,要求我們以更堅韌的定力在周期波動中前行,在挑戰中尋找機遇,在技術創新中創造價值。 (芯師爺)
九年磨一劍:長鑫存儲如何衝破壟斷,成為中國DRAM領軍者?
11月23日,長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品,最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb,躋身國際頂級性能梯隊。同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局,最高速率突破10667Mbps,16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。這一里程碑背後,長鑫存儲用不到十年的時間從零起步,突破專利封鎖、補齊技術體系,並實現對國際巨頭的正面追擊,其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。以下為正文:在全球半導體產業鏈中,DRAM被視為最難突破的領域之一。該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷,專利、工藝和資本壁壘層層疊加,中國企業始終難以進入核心區。長鑫存儲卻在不到十年的時間裡,從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO,成為國產儲存突圍的代表。它的崛起,是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。01. 量產破局:打響國產DRAM第一槍長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。2015年,兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟,讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷,核心專利高度集中,國內企業仍處於技術受限的被動局面。此時,合肥市政府拋出橄欖枝,提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致:共同投資建設DRAM項目。2016年,長鑫存儲正式成立,承擔起國產DRAM攻關的重任。2018年,一期廠房建設完成,裝置搬入並開始驗證投片。2019年9月,與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設計產能每月12萬片晶圓。同年12月,長鑫成功實現規模化量產,並於次年(2020年)正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力,國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代,追趕只是剛剛開始。02. 地方托舉:資本、生態與人才DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長,沒有強大的資本托底,很難熬到見效的那一天。長鑫的快速起勢,離不開合肥在資本層面的鼎力支援。2016年,合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略,聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中,合肥市政府牽頭投入130億元,帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池,為項目夯實了關鍵一步。至2020年A輪融資,“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股,向市場釋放出堅定的長期支援訊號,大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。2024年,合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資,加上關聯主體長鑫整合的出資,形成國資對本輪融資的直接托底。產業生態上,合肥以長鑫為核心,打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業,推動國產裝置和材料的驗證與替代;下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業,拉動終端需求。人才層面,安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉,合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地,合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域,提供持續的人才供給。“強資本、強生態、強人才”多維共振,讓長鑫存儲在合肥順利紮根,並加速駛入高品質發展的快車道。03. 全線提速:技術追趕、產能狂飆自此,長鑫存儲進入高速爬坡階段,在技術、產能與市場三條主線上全面提速。技術方面,專利+人才雙突破。早在發展初期,長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作,拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料,搭建起研發基礎框架。後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可,持續築牢專利護城河。此外,長鑫請來奇夢達兩位“老兵”:任職24年的前技術副總裁庫斯特(Karl Heinz Kuester),以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得(Peter Poechmueller),組成顧問團為技術迭代保駕護航。在此基礎上,長鑫深挖DUV裝置潛力,通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距:從19nm到17nm,再到2024年量產16nm DDR5;2025年更在IC China發佈新一代產品,DDR5最高速率達8000Mbps,LPDDR5X達10667Mbps,正式躋身全球 DRAM一線陣營。產能方面,自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後,2020-2021年,北京DRAM一期、二期項目先後啟動,逐步擴大廠房建設。2022年1月,北京一期試產線通線;同年6月,合肥二期廠房封頂。2024年底,長鑫存儲月產能23萬片晶圓,2025年底升至28萬片,2026年劍指30萬片,逐步縮小與三星、SK海力士的差距。依託國內土地、能源、人力成本優勢,長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%,產品價格也低10%-15%,在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟,抵禦外商產能壟斷的衝擊。市場端,技術與產能的突破,疊加今年儲存行情回暖,讓長鑫存儲快速打開局面。當前,北美AI伺服器需求暴增,儲存晶片供需缺口拉大,DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示,2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%,含 HBM 則漲15%-20%,四季度預計再漲8%-13%(含 HBM 13%-18%)。摩根士丹利指出,DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%,熱度可見一斑。這波行情為長鑫帶來雙重機遇:一方面,其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品,契合伺服器、高端手機的性能需求,具有廣闊市場需求;另一方面,價格上漲周期中,長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。目前,長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司,間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中,物聯網領域合作落地,伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測,2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%,LPDDR5X 接近 10%,全球話語權持續提升。但是,DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣,對供需敏感、價格波動大;且擴產周期長達 2-3 年,產能與需求易錯配。一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩,長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。如何在周期波動中平衡擴張與風控,仍是其長期發展的核心課題。04. 尾聲2025年7月,長鑫啟動A股IPO輔導,僅用三個月完成驗收,上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元,募資規模接近300億元,主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。上市對長鑫而言,是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制,也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。總體來看,長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉,再到技術與產能的加速成長,它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步,則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。而隨著上市臨近,一個更市場化、規模化、體系化的長鑫,也正在路上。 (芯師爺)
紫晶存儲10名高階主管集體獲刑,公司被罰3700萬!
12月12日,廣東紫晶信息存儲技術股份有限公司(以下簡稱「紫晶存儲」)發佈公告公佈重大訴訟進度。公司實際控制人鄭穆、羅鐵威及原財務總監李燕霞等10名管理人員,全部被判處有期徒刑。公告稱,近日,公司收到廣東省梅州市中級人民法院所簽發的(2024)粵14刑初23號刑事判決書。判決內容如下:一、被告單位廣東紫晶資訊儲存技術股份有限公司犯詐欺發行證券罪,判罰金人民幣3,700萬元。(罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款可折抵罰金。)二、被告鄭穆犯欺詐發行證券罪,判處有期徒刑三年;犯違規披露、不披露重要資訊罪,判處有期徒刑五年六個月,併處罰金人民幣50萬元。數罪併罰,總和刑期八年六個月,併處罰金人民幣50萬元;決定執行有期徒刑七年六個月,併處罰金人民幣50萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,即自2023 年10 月23日起至2031年4月22日。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款。三、被告羅鐵威犯欺詐發行證券罪,判處有期徒刑二年九個月;犯違規披露、不披露重要資訊罪,判處有期徒刑五年三個月,併處罰金人民幣40萬元。數罪併罰,總和刑期八年,併處罰金人民幣40萬元;決定執行有期徒刑七年,並處罰金人民幣40 萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,即自2023 年10月23日起至2030年10月22日止。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款可罰款)。四、被告李燕霞犯詐欺發行證券罪,判處有期徒刑二年六個月;犯違規披露、不披露重要資訊罪,判處有期徒刑五年,併處罰金人民幣35萬元。數罪併罰,總和刑期七年六個月,併處罰金人民幣35萬元;決定執行有期徒刑六年六個月,併處罰金人民幣35萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,即自2023年10月23日起至2030年4月22日止。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款。五、被告焦仕志犯詐欺發行證券罪,判處有期徒刑二年六個月;犯違規揭露重要資訊罪,判處有期徒刑二年九個月,併處罰金人民幣25萬元。數罪併罰,總和刑期五年三個月,併處罰金人民幣25萬元;決定執行有期徒刑四年六個月,併處罰金人民幣25萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,即自2023年10月30日起至2028 年4月29日止。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款可罰款。六、被告黃美珊犯欺詐發行證券罪,判處有期徒刑一年九個月;犯違規披露重要資訊罪,判處有期徒刑二年六個月,併處罰金人民幣15萬元。數罪併罰,總和刑期四年三個月,併處罰金人民幣15萬元;決定執行有期徒刑三年八個月,併處罰金人民幣15萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款可折抵罰金。)七、被告譚君笙犯詐欺發行證券罪,判處有期徒刑一年九個月;犯違規揭露重要資訊罪,判處有期徒刑二年六個月,併處罰金人民幣15萬元。數罪併罰,總和刑期四年三個月,併處罰金人民幣15萬元;決定執行有期徒刑三年八個月,併處罰金人民幣15萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日。罰金自判決生效之日起十日內繳納。)八、被告林海忠犯欺詐發行證券罪,判處有期徒刑一年六個月;犯違規披露重要資訊罪,判處有期徒刑二年六個月,併處罰金人民幣15萬元。數罪併罰,總和刑期四年,併處罰金人民幣15萬元;決定執行有期徒刑三年六個月,併處罰金人民幣15萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,應折抵刑期39日。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款4000 元可折抵罰金。)九、被告鍾國裕犯違規揭露、不揭露重要資訊罪,判處有期徒刑三年,併罰金人民幣10萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,應折抵刑期39日。罰金自判決生效之日起十日內繳納,因本案被行政處罰已繳納的罰款可折抵罰金。)十、被告丁傑犯違規揭露重要資訊罪,判處有期徒刑二年六個月,併罰金人民幣10萬元。(刑期從判決執行之日起計算。判決執行以前先行羈押的,羈押一日折抵刑期一日,應折抵刑期32日。罰金由已繳納的行政罰款折抵。)十一、被告魏強犯詐欺發行證券罪,判處有期徒刑二年,緩刑三年。(緩刑考驗期限,自判決確定之日起計算。)如不服判決,可在接獲判決書的第二日起十日內,透過廣東省梅州市中級人民法院或直接向廣東省高級人民法院提出上訴。書面上訴的,應交上訴狀正本一份,副本二份。本訴訟事項的當事人基本資料如下:1、 原告姓名或名稱:廣東省梅州市人民檢察院與退市公司的關係:無關2、 被告姓名或名稱:廣東紫晶資訊儲存技術股份有限公司法定代理人:鄭穆與下市公司的關係:本公司3、 被告姓名或名稱:鄭穆與下市公司的關係:公司法定代理人、實際控制人、原董事長4、 被告姓名或名稱:羅鐵威與下市公司的關係:公司實際控制人、原董事5、 被告姓名或名稱:李燕霞與退市公司的關係:公司原董事、財務總監6、 被告名或名:焦仕志與退市公司的關係:公司原副總經理7、 被告姓名或名稱:黃美珊與退市公司的關係:公司原監事、總經理助理8、 被告姓名或名稱:譚君笙與退市公司的關係:公司原商務部經理9、 被告姓名或名稱:林海忠與退市公司的關係:公司原南區銷售總監10、被告姓名或名稱:鐘國裕與退市公司的關係:公司原董事、總經理11、被告姓名或名稱:丁傑與退市公司的關係:公司原採購部經理12、被告姓名或名稱:魏強與退市公司的關係:公司原副總經理根據官方網站資料顯示,紫晶存儲是一家光儲存高科技企業,為各類用戶提供光儲存媒體、磁光電混合儲存系統、光碟擺渡機系統、光儲存一體機解決方案、產業解決方案、資料中心及雲端儲存服務。公司成立於2010年4月,由鄭穆、羅鐵威兩人共同出資成立,註冊資本300萬元。根據南方都市報,2010年,在光碟行業有十多年經驗的鄭穆看中了光存儲風口,回到家鄉梅州建立紫晶存儲,主要產品是一次性記錄藍光光盤。迎著光儲存這股東風,紫晶存儲屢獲資本青睞。根據公司招股書,紫晶存儲主要股東有達晨創通及達晨創聯、東證漢德、東證夏德等知名投資機構。其中,達晨創聯、達晨創通合計對紫晶存儲投資約1.25億元。2020年2月,頂著「光儲存第一股」光環的紫晶存儲於上交所科創板上市。上市當天,紫晶存儲報收78.24元/股,股價大漲264.08%,總市值達148.95億,身為創辦人的鄭穆,身家也漲至30億元。但在上市後,紫晶存儲的業績開始下滑。2020年,紫晶存儲營業收入為5.63億元,較去年同期8.97%;但增收不增利,公司歸屬母淨利為1.04億元,較去年同期下降24.71%。 2021年,紫晶存儲營收為4.58億元,年減6.69%,歸母淨利虧損2.29億元,年減379.85%。值得注意的是,中喜會計師事務所作為紫晶存儲2021年年度財務報告的審計機構,發出了無法表示意見的審計報告。這也是科創板首單非標年報。2022年2月11日,紫晶存儲發佈公告稱,公司涉嫌資訊揭露違法違規,已被證監會立案調查。 3月13日,紫晶存儲發布《關於公司自查涉及違規擔保事項》公告表示,公司自查發現,截至當年3月10日,公司及子公司定期存單違規質押擔保餘額合計3.73億元。全面註冊制實施以來,紫晶存儲是首例涉嫌詐欺IPO的企業,一時引起了科創圈震動。2023年4月21日,紫晶存儲公告稱,因詐欺發行、資訊揭露違法違規,公司將被實施重大違法強制退市。 (芯智訊)
重大反擊!長江存儲起訴美國政府,如何撼動中美科技戰棋盤?
根據最新的公開報導,中國儲存巨頭——長江存儲(YMTC)近期已對美國國防部和商務部提起訴訟,質疑其將該公司列入「中國軍事企業」實體名單的決定。該訴訟於美國時間12月5日在華盛頓聯邦法院提起,請求法官阻止名單的執行並撤銷該認定。據理解,五角大廈於2024年1月將長江存儲列入在美國運營的「中國軍事企業」名單,並在今年稍早重申了該認定。同時,長江存儲也於12月5日對美國商務部提起訴訟,質疑其於2022年被列入另一份限制取得美國技術的機構名單。長江存儲堅稱擁有完善的出口合規體系,並表示美國商務部從未指控其違反美國出口管製法律。除了這次針對美國政府的訴訟,長江存儲近年來積極拿起「法律武器」以維護公司利益來對美國訴訟。其與全球儲存巨頭美光科技(Micron) 的系列糾紛中,體現了長江存儲的韌性與智慧。2023年11月,長江存儲於美國加州法院起訴美光,指控其多代3D NAND產品侵犯了長江存儲的8項專利,要求禁售侵權產品和賠償。截至2025年12月,此案件進入證據開示階段。法院裁定長江存儲的律師及專家可在保護令下,訪問美光73頁涉及最新3D NAND技術的機密檔案。2024年,長江存儲再次對美光提起訴訟,專利侵權指控擴大至11項。目前訴訟仍在進行中。2025年6月,長江存儲對美光提起第三起訴訟,指控其資助並推動針對長江存儲的「抹黑活動」(如散佈安裝後門軟件的謠言),試圖通過不正當手段獲取市場優勢。長江存儲要求美光採取矯正廣告、賠償損失並交出不法獲利。長江存儲近期密集的訴訟行動,遠不止於單一企業的商業糾紛。這是中國半導體產業遭遇技術封鎖和「標籤化」打壓後,進行的系統性、多維度反擊,正在深刻影響整個產業的戰略、規則認知和全球競爭格局。從戰略層面而言,主動起訴美國政府,挑戰「軍事企業」標籤的合法性;並在美、歐、英、德四大司法轄區對美光發起平行訴訟,主動維權;以及在中國首次對美光的專利發起無效挑戰。這些行動標誌著中國科技企業從「規則遵守者」轉向「規則運用者」甚至「規則挑戰者」的轉變。通過法律武器正面回應不公平待遇,為全行業提供了新的應對範式。在規則層面,美方將規則武器化,長江存儲基於規則的反制,正是所謂「以其人之道,還治其人之身」。如美國專利商標局以「國家安全」為由,對長江存儲的專利無效挑戰發起審查,將實體清單邏輯嵌入知識產權體系。同時,對美光「污名化」進行反制,起訴美光資助機構散佈虛假資訊,維護商譽。這揭示了科技競爭已從技術封鎖升級到法律和規則層面的博弈。美國此舉為所有中企的海外知識產權維權設定了「政治合規」新風險,可能迫使企業從「難以維權」轉向「不敢維權」。在產業鏈層面而言,挑戰規則和法律是爭奪市場與話語權的重要手段。長江存儲訴訟直指美光核心產品,影響其市場策略。同時,在專利無效攻防中,長江存儲多項核心專利被裁定有效,證明了自身技術的「硬實力」。因而,對國產半導體產業而言,外部壓力正加速全產業鏈的國產化替代與協同創新,挑戰規則也是自主創新最好的倒逼方式。因此,長江存儲在中美兩地同時發起專利無效挑戰,形成了「你打你的,我打我的」的交叉火力。這顯示中國產業開始更積極地利用本土司法和行政資源進行反制,全球知識產權博弈進入 「主場優勢」互相避險的新階段。同時,長江存儲的主動訴訟,特別是起訴美國政府的行動,為其他被無理列入清單的中國企業提供了可藉鑑的路徑。當然,這也是一種警告──所有尋求全球化的中國科技公司都必須重新評估海外營運的政治與法律復合風險,並加強自身的知識產權佈局與合規體系建設。 (飆叔科技洞察)
日經新聞—中國在儲存半導體領域提高存在感
“沒想到技術水平提高到這種程度”,競爭對手對於長江存儲科技的新型儲存半導體難掩驚訝。其堆疊層數達到約270層,接近三星電子。長江存儲科技的NAND銷量份額首次超過全球10%。在中美對立背景下,中國的技術正在提升……長江存儲科技的目標是在2026年前實現掌握15%的市場份額(湖北省武漢市)中國在儲存半導體領域的存在感正在增強。在用於長期儲存資料的NAND方面,大型企業長江存儲科技(YMTC)的銷量份額首次超過全球10%。在中美對立的背景下,借助中國政府鼓勵使用本國半導體的優惠政策,長江存儲科技迅速提高了技術實力。目前該公司以中國國內業務為中心,但難免會對鎧俠控股(Kioxia Holdings)等日美韓廠商的經營產生影響。“沒想到技術水平提高到這種程度”,對於長江存儲在2025年2月之前開始量產的新型儲存半導體,競爭對手企業的技術人員難掩驚訝之情。這是因為堆疊層數達到約270層,接近韓國三星電子,使用了與日美韓廠商同等水平的技術。此外,還迅速引進了其他企業尚未採用的降低生產成本的方法。調查公司香港Counterpoint的資料顯示,長江存儲在全球NAND出貨量中所佔的份額在2025年1~3月首次達到10%。2025年7~9月同比增長4個百分點達到13%,份額直逼世界第4位的美國美光科技。以中國品牌的筆記型電腦和智慧型手機為中心,長江存儲的產品獲得的採用正在增加,全年的市場份額有望超過1成。儘管以銷售額計算目前只佔世界的8%,但是Counterpoint的分析師MS Hwang認為,到2027年按銷售額計算也將達到10%。長江存儲的目標是在2026年底之前獲得15%的銷量份額。將在中國武漢市周邊推進工廠投資。目前正在實施的投資完成後,長江存儲將佔全球供應量的約2成。這一規模超過了日本鎧俠,直逼韓國SK海力士。在用於短期儲存的DRAM領域,長鑫儲存技術(CXMT)擴大了市場份額。2025年7~9月為8%,居世界第4位。2024年同期為6%。長鑫儲存技術推進增產用於個人電腦和智慧型手機的通用產品,被認為在中國國內擁有4成左右的市場份額。另一方面,在用於生成式AI的高性能“高頻寬儲存器(HBM)”技術方面,SK海力士等的尖端技術是第6代,而長鑫儲存只是第3代。在技術上落後5年。長江存儲和長鑫儲存等中國企業在價格方面壓倒海外競爭對手。調查公司TechInsights的資料顯示,中國生產的NAND比其他國家生產的便宜1~2成左右。美國調查公司IDC的資料顯示,中國2024年的智慧型手機出貨量同比增長6%,達到2億8600萬部,佔全球總量的23%。有分析認為,鎧俠的總銷售額中面向中國的比例約為2成。如果中國廠商的儲存半導體的採用比例不斷提高,日美韓廠商有可能面臨市場份額下降和利潤空間縮小。中國企業能否在中國以外地區獲得更多份額尚不明朗。美國政府於2022年將長江存儲列為限制對象,禁止美國企業在未經許可的情況下提供設計技術。當時美國蘋果曾考慮採購長江存儲生產的儲存半導體用於iPhone,但最終決定放棄。日本企業也“由於質量和安全方面的擔憂,並未積極採用中國的儲存半導體”(鎧俠的高管)。不過,中國大力發展的太陽能面板、電池和純電動汽車(EV)等憑藉價格競爭力在海外迅速獲得市場。國際半導體產業協會(SEMI)的青木慎一分析稱,“即使因美國限制而無法採購充足生產裝置,中國廠商的良品率仍在提高”。還有其他的儲存器技術人員表示,“如果目前的價格差持續下去,其他國家增加採用中國的儲存半導體只是時間問題”。 (日經中文網)
從合肥到全球:中國儲存產業的一場“逆周期”豪賭與突圍
最近半導體圈子裡最重磅的消息,莫過於長鑫存儲(CXMT)即將遞交IPO招股書 。在這個消息出來之前,很多人對長鑫的印象可能還停留在“國產替代”的一個模糊概念上,甚至有人覺得它只是合肥市政府搞的又一個招商引資項目。但當我看到透露出的3000億人民幣(約421億美元)目標估值時 ,我意識到,這件事的性質已經完全變了。這不僅僅是一次史上最大規模的A股半導體上市案,更是一次中國硬科技資產的“核驗”。為了寫這篇文章,我花了兩天時間,翻閱了長鑫的研報說明、歷年融資記錄、全球儲存巨頭(三星、SK海力士、美光)的財報,以及過去三十年DRAM產業的興衰史。把這些枯燥的資料拉通來看,你會發現一條非常清晰的“國家意志”主線。在這篇文章裡,我不談情懷,我們只算帳。我們要用最冷峻的唯物主義視角,搞清楚三個問題:在美日韓壟斷了三十年的“鐵幕”之下,長鑫憑什麼敢要價3000億?在美國的技術封鎖和實體清單下,長鑫那令人咋舌的產能究竟是從那冒出來的?這場IPO對於三星、美光這些既得利益者,以及對於我們每一個中國人的國運,到底意味著什麼?第一章:血海中誕生的怪獸在分析長鑫之前,我們必須先理解DRAM(動態隨機存取儲存器)這個行業的本質。如果說晶片是現代工業的糧食,那麼DRAM就是糧食中的“大米”。它是所有電子裝置——從你手裡的華為Mate 60,到阿里雲的資料中心伺服器,再到特斯拉的自動駕駛電腦——都離不開的基礎零部件。但是,這碗“大米”非常燙手。 在過去的40年裡,DRAM行業是全球科技產業中競爭最殘酷、屍骨最纍纍的戰場,沒有之一。上世紀80年代,美國人發明了DRAM,但被日本的東芝、日立用“良率戰”打得丟盔棄甲,英特爾被迫退出了儲存業務。 上世紀90年代到2000年初,韓國人三星和海力士,利用“反周期投資”策略——即在全行業虧損的時候瘋狂擴產——把日本人活活耗死。曾經不可一世的日本“國家隊”爾必達(Elpida),最終在2012年破產,被美光收購。 歐洲的希望奇夢達(Qimonda),也在2009年資金鏈斷裂,轟然倒塌。最終,全球DRAM市場形成了一個極為穩固的“三巨頭”格局:三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)。這三家公司常年把持著全球90%以上的市場份額 。這是一個極其舒適的“暴利俱樂部”。三家企業默契十足:價格跌了就一起減產保價,價格漲了就一起吃肉分紅。對於下游的中國手機廠商和PC廠商來說,DRAM的價格波動就是懸在頭頂的達摩克利斯之劍。2017年記憶體條價格暴漲的時候,中國企業幾乎是在給韓國人打工。這就是長鑫誕生時的背景。 2016年5月,長鑫在安徽合肥成立 。這不僅僅是一家商業公司的誕生,更是代號為“506項目”的國家戰略工程的落地 。它的使命非常純粹,也非常沉重:在這個被美日韓壟斷的“血海”裡,撕開一道口子,活下去,並把定價權搶回來。七年過去了,長鑫交出了一份怎樣的答卷? 我們先看最核心的指標:產能。第二章:暴力美學——15倍產能增速背後的“逆周期”豪賭在半導體製造行業,技術固然重要,但規模才是入場券。沒有規模,你就分攤不掉動輒幾百億的研發成本;沒有規模,你就無法在供應鏈上獲得話語權。我整理了長鑫從2019年到2026年的產能規劃資料,這條曲線簡直可以用“暴力”來形容 :2019年9月長鑫首批DDR4晶片量產。當時的月產能(WPM)僅僅只有2萬片 。在巨頭眼裡,這個數字連零頭都算不上。2020年-2021年經過兩年的爬坡,產能翻了兩番,達到8萬片。2022年底一期項目達成設計產能,月產突破10萬片。2024年初雖然面臨外部制裁,產能依然攀升至17萬片。2025年Q1預計達到20萬片 。2026年(目標)產能徹底釋放,直指30萬片從2萬片到30萬片,長鑫只用了不到7年時間,增長了15倍 。30萬片是什麼概念? 我們需要找個參照物。目前,全球第二大儲存巨頭SK海力士的總產能大約在60萬片左右。也就是說,長鑫要在2026年造出“半個SK海力士”,或者說一個接近美光(Micron)總產能的巨無霸 。如果這個目標達成,全球DRAM市場的版圖將被改寫。長鑫將從一個“Others”類別裡的雜牌軍,一躍成為全球第四大DRAM製造商,市場份額預計將提升至3.5%左右,超過台灣的南亞科技 。比數字更讓我感到震撼的,是長鑫擴張的時間點。 大家回顧一下,2022年到2023年是全球電子消費品的“寒冬”。PC賣不動,手機銷量下滑,導致儲存晶片價格暴跌。那時候,三星和SK海力士在幹什麼?他們在忙著減產,忙著削減資本開支,甚至通過“人為製造短缺”來維持價格 。但長鑫在幹什麼? 它在逆勢擴產。在全行業都在過冬的時候,長鑫依然在按計畫推進二期項目 。這就是典型的“國家隊”打法——逆周期投資。 普通的私營企業,受制於股東回報和財務報表的壓力,是不敢在虧損周期裡大規模砸錢擴產的。但長鑫不一樣。它的背後站著合肥市政府、安徽省政府和國家大基金。這些股東看重的不是今年的利潤報表,而是未來十年的產業安全。這種打法極其凶悍,它賭的是一個極其樸素的商業邏輯:當你熬過冬天醒來時,你會發現我已經站在你家門口,手裡拿著和你一樣多的槍。第三章:非對稱競爭——用17nm去打12nm這時候肯定有人會質疑:光有產能有什麼用?你的技術落後人家那麼多,造出來的全是垃圾怎麼辦?我們必須實事求是地承認差距。 由於美國在2022年10月實施的出口管制,以及後續將長鑫列入實體清單 ,長鑫在獲取最先進的EUV(極紫外)光刻機,甚至是先進的DUV光刻機方面,都面臨巨大的困難 。這就導致了一個客觀的技術代差:競爭對手三星、SK海力士和美光,目前的主力工藝已經跑到了10-12nm(即1α/1β工藝節點) 。他們能夠生產最高效能的HBM3(高頻寬記憶體)和最高密度的DDR5。長鑫存儲目前的主力工藝還在17nm/19nm(即1Y工藝節點) 。雖然有傳聞說長鑫可能跳過17nm直接嘗試16nm,但在缺乏先進光刻機的情況下,物理極限是很難突破的。從晶片製造的物理規律看,這意味著長鑫的晶片在單位面積的儲存密度和功耗上,天生就比三星的產品要差一些 。但是,長鑫搞了一套非常聰明的“非對稱競爭”策略。既然我在微縮工藝(Process Scaling)上被卡了脖子,那我就在架構設計和性能調優上把分數追回來。在最近的“IC China 2025”展會上,長鑫展示了他們最新的DDR5記憶體產品。其最高傳輸速度竟然達到了8000 Mbps,而LPDDR5X(用於手機)的最高速度達到了10667 Mbps。這個資料非常關鍵。這意味著,在90%的消費者感知的應用場景裡——比如你打遊戲、剪視訊、或者伺服器運行普通任務——長鑫的產品在速度這個核心指標上,已經和國際一線產品完全對等了 。這就好比“田忌賽馬”。 我的晶片可能面積稍微大一點(成本稍高),功耗稍微高一點(桌上型電腦使用者不在乎),但我速度和你一樣快,而且我量大管飽,價格還比你便宜。這就是長鑫的策略:水平飽和(Horizontal Saturation)。 放棄在最高能效、最高密度的前沿陣地(比如頂級AI訓練晶片用的HBM3E)硬碰硬,轉而在主流市場(DDR4, DDR5, LPDDR5)上,用成熟工藝+極致產能,去搞飽和式攻擊。這招對於三星可能只是撓癢癢,但對於美光來說,卻是致命的。結合美光在中國市場面臨的審查和業務收縮 ,長鑫正在通過這種策略,系統性地接管美光留下的市場份額。第四章:估值邏輯——3000億不是泡沫,是“入場券”搞清楚了產能和技術,我們再回過頭來看那個讓很多投資者咋舌的估值數字:3000億人民幣(421億美元) 。如果不看背景,只看財務資料,這個估值確實“貴得離譜”。 根據招股書和研報的推測,長鑫2024年的營收大約是40億美元。按此計算,其市銷率(P/S)高達10.5倍 。 作為對比:SK海力士的市銷率只有3.8倍 。美光的市銷率是4.1倍 。同樣處於追趕地位的南亞科技只有2.6倍 。一家技術落後、尚未實現大規模盈利、還面臨制裁的公司,憑什麼享受比行業巨頭高出2-3倍的估值溢價?這裡有三個深層次的邏輯,是你在華爾街的教科書裡學不到的:第一,極度的稀缺性與“戰略期權”。在中國未上市的獨角獸名單裡,長鑫是極其特殊的。它是中國大陸唯一一家實現了DRAM自主設計和規模量產的企業 。 在中美科技脫鉤的背景下,長鑫不僅僅是一家公司,它是中國資訊產業安全的“備份硬碟”。 資本市場給出的高溢價,其實是為國家獲得技術主權而支付的“戰略期權價值” 。只要長鑫活著,並且產能足夠大,海外巨頭就不敢隨意斷供,也不敢隨意漲價。這筆帳,不能只算商業回報,要算安全帳。第二,恐怖的成長性。 巨頭們的增長已經見頂,隨著周期波動,年均增速只有5%-10%。 但長鑫處於爆發期。根據預測,從2022年到2026年,長鑫的營收將從15億美元增長到75億美元,年複合增長率(CAGR)高達50%。在資本市場,高增長永遠享有高溢價。第三,國家資本的隱性擔保。 這就必須深挖長鑫的股權結構了。 我查閱了長鑫截止2025年底的主要股東名單 :合肥市建設投資控股(32.5%):這是合肥市政府的錢袋子。大基金二期(12.8%):這是中央財政的錢。安徽省產業投資基金(9.7%):這是省裡的錢。合肥高新建設投資(6.3%)。把前四大股東加起來,國家資本的持股比例超過了61%。如果算上各種關聯基金,這個比例甚至超過70%。 從2016年到2024年,長鑫累計完成了6輪融資,總金額超過1500億人民幣 。每一輪領投的,都是國家隊。這種股權結構意味著什麼?意味著即使長鑫在未來幾年繼續虧損,由於它背負著不可替代的國家使命,它的現金流也不會斷裂。這種“大到不能倒”的安全感,在充滿了不確定性的半導體投資中,本身就是一種巨大的價值。第五章:地緣政治的零和博弈分析長鑫,永遠繞不開美國。2022年10月,美國商務部將長鑫列入“未核實清單”(UVL),隨後又將其列入事實上的實體清單,限制其獲取美國技術 。美國國防部更是將其列入“889清單” 。這看似是滅頂之災,但在辯證法看來,壞事也能變成好事。美國的制裁,在客觀上為長鑫在國內市場挖出了一條寬闊的“地緣政治護城河” 。對於中國國內的伺服器廠商(如浪潮、聯想)、手機廠商(如小米、OV)來說,採購美光的儲存晶片已經從過去的“商業選擇”變成了一種“政治風險”和“供應鏈風險”。誰也不敢保證明天美光會不會突然斷供。於是,美光在中國市場被迫收縮,留出了巨大的市場真空 。 這個真空,誰來填? 只能是長鑫。長鑫現在的任務非常明確:填補美國競爭對手在中國市場留下的空白。 這是一場典型的零和博弈。根據預測,隨著產能擴張,長鑫將直接承接美光在中國丟掉的份額。這也解釋了為什麼長鑫的產品即使良率還在爬坡,也能賣得出去——因為客戶需要它作為備份(Plan B),甚至作為主力供應商(Plan A)來對衝風險 。此外,長鑫的崛起徹底改變了全球DRAM的定價權邏輯。 以前,三星、海力士、美光三家坐在一起喝咖啡,就能決定明年記憶體條賣多少錢。如果你嫌貴?對不起,沒貨。 現在,桌子上多了一個不聽話的、產能巨大的、而且不怕打價格戰的中國玩家。 那個屬於巨頭們的“暴利俱樂部”,再也回不去了。如果長鑫願意,它完全可以利用國家資本的支援,在主流DDR4/DDR5市場上發起價格戰,把美光的利潤打到地板上 。第六章:繁榮之下的阿喀琉斯之踵寫到這裡,作為堅定的唯物主義者,我必須給頭腦發熱的朋友潑一盆冷水。長鑫的IPO雖然風光無限,但在鮮花和掌聲背後,依然有巨大的隱憂和風險。首先是HBM(高頻寬記憶體)的生死門。 現在的AI時代,輝達的GPU離不開HBM。HBM不僅僅是儲存,更是算力的瓶頸。三星和SK海力士現在的股價之所以能創新高,靠的就是壟斷HBM3/HBM3E市場。 而長鑫在這方面,落後了至少兩代。 長鑫目前計畫在2025年中期提供HBM2樣品 。請注意,是樣品,而且是HBM2。而對手已經在量產HBM3E甚至HBM4了。 HBM的製造高度依賴TSV(矽通孔)和3D堆疊技術,這些都需要先進的裝置支援。在缺乏EUV和先進DUV的情況下,長鑫能不能搞定HBM的高良率量產,是其技術能力的終極考驗 。 如果不能在AI儲存上通過驗證,我們就只能在低端市場“卷”價格,看著別人在高端市場吃肉。其次是盈利能力的拷問。 雖然有報告稱長鑫DDR4良率達到90%,DDR5達到80% ,但我們要警惕,這些資料在IPO前夕往往帶有一定的“戰略展示”成分 。在大規模量產(HVM)中,良率每下降1個百分點,損失就是數千萬。 別忘了,長鑫背負著2000億的累計投資,每年的裝置折舊攤銷就是一個天文數字。如果IPO後業績無法兌現,3000億的市值隨時可能縮水 。最後是裝置斷供的達摩克利斯之劍。 雖然長鑫通過種種手段(如國產裝置替代、購買非美產裝置、維護現有裝置)保住了現在的擴產節奏,但如果美國進一步收緊出口管制,連舊款的DUV光刻機也不讓賣了,或者限制關鍵的零部件耗材,長鑫的擴產之路隨時可能被打斷 。這是懸在頭頂的一把劍。結語:一場關乎國運的“中場休息”長鑫存儲的IPO,註定會載入中國半導體史冊。 這3000億的估值,不是為了造富,不是為了讓幾個原始股東套現離場,而是為了打仗。從合肥的一片荒地,到如今月產17萬片的現代化晶圓廠;從被人嘲笑的“PPT造芯”,到如今逼近美光的產能規模。長鑫用7年時間證明了:在DRAM這個被西方壟斷了30年的領域,中國不是“做不到”,而是“以前沒下決心做”。這次上市,不是終點,而是一場漫長戰爭的“中場休息”。 有了資本市場的彈藥,長鑫將有能力發動更猛烈的攻勢。但下半場會更難。因為我們已經走出了新手村,接下來的每一步,都是在無人區探索,都要直接面對巨頭們的刺刀見紅。但我們別無選擇。 在這個只有第一名才能吃肉、第二名只能喝湯、第三名只能喝西北風的殘酷產業裡,中國必須擁有自己的席位。 長鑫合肥工廠裡日夜不停的機器轟鳴聲,就是我們在試圖扼住命運咽喉時,發出的最強音。 (行業報告研究院)
小米集團面臨存儲成本上漲壓力,未來產品價格或受影響
近日,小米集團產品行銷總監馬志宇在社交媒體上表達了對未來存儲成本上漲的擔憂。據行業消息,全球主要存儲芯片供應商三星和SK海力士計劃在2025年第四季度將DRAM和NAND閃存的價格上調最多30%。這一漲價趨勢可能會對小米及其旗下產品的成本結構產生顯著影響。馬志宇提到,最新的成本預估“有點驚悚”,並建議消費者在即將到來的雙十一購物節中“且買且珍惜”,暗示未來產品價格可能會有所上漲。此外,小米REDMI產品經理也提到,存儲成本的上漲幅度遠超預期,並且趨勢將持續加劇,這可能會影響到小米手機等產品的定價策略。小米集團作爲全球領先的智能手機和智能家居設備製造商,其產品對存儲芯片的依賴程度較高。此次存儲成本的上漲不僅可能影響小米的利潤率,還可能迫使其調整產品價格,以應對成本上升的壓力。未來,小米如何在保持競爭力的同時,平衡成本與價格,將成爲其面臨的一大挑戰。與此同時,小米集團在電動汽車領域的佈局也值得關注。儘管面臨存儲成本的上漲壓力,小米電動汽車的交付量在2025年10月持續超過4萬臺,顯示出其在新能源汽車市場的強勁表現。然而,如何在供應鏈成本上升的背景下,繼續推動電動汽車業務的增長,將是小米未來需要重點解決的問題之一。
長江存儲揮師DRAM? A股「記憶體晶片」的產業鏈
知情人士稱,中國最大快閃晶片製造商長江存儲(YMTC)正計畫擴展至動態隨機存取記憶體晶片(DRAM)製造領域,其中包括可用於人工智慧晶片組的先進版本。根據路透社周四(9月25日)引述兩名不願具名的知情人士稱,長江存儲正在開發一種名為矽通孔(TSV,Through Silicon Via)的先進晶片封裝技術,用於堆疊DRAM,以便於生產高頻寬記憶體(HBM)晶片。一名知情人士還說,長江存儲正考慮將其在武漢新建的一座工廠部分產能用於DRAM晶片生產。摩根士丹利的研究報告顯示,長江存儲位於武漢的兩座現有晶圓廠一直專注於生產NAND 晶片,截至2024 年底,這兩座晶圓廠每月可生​​產160,000 片12 吋晶圓,預計今年產能將擴大65,000 片。2025年9月23日,做高階記憶體晶片的美光科技正好也發佈了年報,但是機構不買帳,股價反而下跌。盛運君藉此機會簡單聊聊記憶體晶片的全球產業格局與產業鏈。先說一下美光科技。一、美光科技的細分產業與商業模式1. 細分產業:儲存晶片(DRAM 和NAND Flash)美光科技是全球半導體產業的領導者之一,其業務高度聚焦於記憶體晶片這一核心領域。這主要包括兩大類產品:DRAM (動態隨機存取記憶體): 主要用作電腦記憶體、伺服器記憶體、手機運存(LPDDR) 等。其特點是速度快,但斷電後資料會遺失。 DRAM市場是科技與資本高度密集的領域,目前由三星、SK海力士和美光三家巨頭壟斷,呈現寡頭格局。NAND Flash (快閃記憶體): 主要用於製造固態硬碟(SSD)、USB、嵌入式儲存(eMMC/UFS,用於手機、平板等)。其特點是斷電後資料不遺失,適合長期儲存資料。NAND市場的競爭比DRAM激烈,但仍由少數幾家頭部企業主導。2. 商業模式:典型的IDM (Integrated Device Manufacturer) 模式美光的商業模式是垂直一體化製造,即IDM模式。這意味著公司業務涵蓋了從晶片設計、晶圓製造、封裝測試到最終產品銷售的整個過程。設計(Design): 自主研發DRAM和NAND晶片的電路設計與架構。製造(Manufacturing):擁有自己的晶圓廠(Fab),投入巨額資本進行最先進的製程研發和產能擴張。這是其最核心的資產和障礙。封測(Packaging & Testing): 將製造好的晶圓切割、封裝成最終的晶片顆粒,並進行嚴格的性能和可靠性測試。銷售(Sales):將記憶體晶片或基於晶片的模組產品(如記憶體條、SSD)銷售給下游的裝置製造商(OEMs),如蘋果、戴爾、聯想、小米等,以及經銷商和零售市場。這種模式的優點是能最大化保證技術迭代、產品性能和利潤率,但缺點是資產極重,資本開支巨大,且在行業下行周期時,產能和庫存會帶來巨大的經營壓力。 (典型的周期產業)二、中國對應的公司在中國,要找到與美光科技商業模式完全對標的上市公司目前還沒有。因為中國最核心的記憶體晶片製造商(IDM)尚未上市。但是,整個產業鏈已經形成了一個完整的生態。可分為兩個梯隊:第一梯隊:核心的記憶體晶片製造商(非上市公司)這部分企業是真正意義上的“中國版美光”,它們同樣採用IDM模式,是國家在儲存晶片領域實現自主可控的核心力量。1、長江存儲(YMTC - Yangtze Memory Technologies Corp.)對標領域: NAND Flash (快閃記憶體)簡介: 中國目前規模最大、技術最先進的3D NAND快閃記憶體晶片製造商。其透過自主研發的Xtacking®架構,在技術上已經進入世界第一梯隊。長江存儲是中國在NAND快閃記憶體領域追趕國際巨頭的旗手。狀態: 未上市,屬於國家積體電路產業投資基金(大基金)重點支援的企業。2、長鑫儲存(CXMT - ChangXin Memory Technologies)對標領域: DRAM (記憶體)簡介: 中國大陸目前唯一能量產DRAM晶片的IDM企業,也是技術最領先的。其產品主要應用於PC、伺服器和行動裝置。長鑫儲存承擔打破國外在DRAM領域壟斷的重任。狀態: 未上市,同樣受到大基金和地方政府的重點支援,目前正在籌備IPO。第二梯隊:產業鏈相關的A股上市公司這些公司雖然不是IDM製造商,但它們是構成中國儲存產業鏈不可或缺的部分,與長江存儲、長鑫儲存以及美光等國際巨頭有著密切的業務往來。三、中國儲存產業鏈分析中國的儲存產業鏈可以清楚地劃分為上、中、下游,其特徵是中下游進步迅速,但上游核心環節仍有依賴。上游:裝置與原料(國產化正在攻堅)核心裝置: 光刻機、蝕刻機、薄膜沉積裝置等。這是產業鏈中技術壁壘最高、國產化率最低的環節。雖然有北方華創、中微公司等企業在奮力追趕,但在最先進的裝置上,仍高度依賴ASML、泛林集團(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)等國際巨頭。核心材質: 高純度大尺寸矽晶圓、光阻、電子特氣等。同樣,高階產品市場主要由日本、德國、美國企業佔據,滬矽產業等國內企業正努力突破。EDA軟體/IP核: 設計晶片所必需的軟體工具,由Synopsys、Cadence等美國公司主導,是中國半導體產業的另一個關鍵瓶頸。中游:晶片製造(IDM模式,關鍵突破)核心企業: 長江存儲(NAND) 和長鑫儲存(DRAM)。現況:這是咱們國家近年來最大突破的環節。透過龐大的資本投入和研發追趕,已經實現了從0到1的突破,並開始在全球市場佔有一席之地。它們是整個產業鏈的「鏈主」企業。這些日子關於長江存儲的報導消息也是鋪天蓋地而來!下游:封裝測試、模組應用與終端市場(國產化程度最高)封裝測試: 長電科技、通富微電等企業已具備國際競爭力,能夠為中游的晶片製造提供配套服務。模組與應用: 江波龍、佰維儲存等企業,利用龐大的終端市場優勢,將上游的儲存顆粒轉化為消費者與企業可以直接使用的產品。它們是連接晶片原廠和終端客戶的橋樑。(這個行業龍頭是杜老闆的金士頓,遙遙領先!杜老闆當年炒美股虧得負債纍纍,為了還債,創立了今天的金士頓,相當勵志!)終端市場: 擁有華為、小米、OPPO、VIVO、聯想等全球領先的智慧型手機和PC品牌,以及龐大的資料中心市場,為國產記憶體晶片提供了廣泛的應用和迭代驗證平台。A股市場上的相關公司,則更多是圍繞合肥長鑫、長江存儲這兩家核心企業提供裝置、材料、封測、模組和應用等服務的產業鏈合作夥伴。整個產業鏈呈現出一種「眾星捧月」的格局,共同推動中國儲存產業的自主化處理程序。 (盛運德誠投資)