回顧3D NAND的發展歷程，其技術演進脈絡清晰可見。從2015-2017年的早期階段（32L-64L），到2018-2020年的規模擴張期（96L-128L），再到2020-2022年的性能擴展期（176L-232L），行業的核心驅動力一直是“增加層數”，以降低成本並提升密度。然而，當技術節點進入2023-2025年的架構轉型期（約250L-320L）並展望2026年及以後的整合時代（400L-500L+）時，物理極限的挑戰日益凸顯。單純的層數堆疊正變得愈發困難且成本高昂。因此，創新的重心發生了根本性轉移。未來的競爭不再僅僅關乎“誰堆得更高”，而是“誰做得更聰明”，包括採用更智能的架構、深化系統整合以及在系統層面進行最佳化，以應對人工智慧、雲端運算和海量資料儲存帶來的爆炸性需求。核心技術驅動力：重新定義“縮放”的內涵在新的時代背景下，“縮放”（Scaling）不再等同於“增加層數”，而是由四大關鍵技術共同驅動：混合鍵合（Hybrid Bonding）：這項被譽為“晶圓對晶圓”的技術，將儲存陣列和CMOS邏輯電路分別製造在不同的晶圓上，再進行原子等級的鍵合。這不僅實現了更高的密度和更好的性能，還提升了良率。三星、YMTC等廠商已在其技術路線圖中明確採用此技術。外圍電路置於單元下方（COP）：通過將外圍電路移動到儲存陣列的下方或旁邊，可以顯著減小晶片尺寸，並為在200層以上繼續提升擴展效率提供了可能。鎧俠（Kioxia）是此技術的早期採用者。介面與平行性擴展：介面速度正從當前的1,600 MT/s向未來的2,000+ MT/s邁進。同時，通過多平面（Multi-plane）和子平面（Sub-plane）等架構，大幅提升了資料吞吐的平行性。先進刻蝕與工藝創新：製造超過300層的結構，對高深寬比（HAR）刻蝕技術提出了極高要求。低溫刻蝕和新材料的應用，成為保證結構均勻性和提升良率的關鍵。應用驅動分化：TLC與QLC的戰略分道揚鑣隨著應用場景的日益多元化，NAND快閃記憶體技術也呈現出明顯的戰略分化。TLC（三級單元）和QLC（四級單元）正走向不同的發展道路：TLC（性能層）：憑藉其在性能、耐久性（中-高）和成本之間的良好平衡，TLC成為對性能要求苛刻場景的首選。其主要應用包括人工智慧（AI）、高性能計算（HPC）、企業級儲存和主流客戶端裝置。QLC（容量層）：QLC以犧牲部分性能和耐久性（低）為代價，實現了最低的每位元成本和最高的儲存密度。這使其成為超大規模資料中心、雲端儲存、冷資料歸檔等容量密集型應用的“明確贏家”。未來，儲存也不再是通用性產品，會根據市場做進一步細分。巨頭競速：五大廠商的差異化戰略面對行業變局，全球主要NAND製造商也制定了各具特色的競爭策略：三星：採取“整合+COP”的組合策略，並穩步推進向混合鍵合的過渡，其下一代產品將採用286L的V9 COP技術。鎧俠/威騰電子：堅持其獨有的BiCS技術路線，並較早地採用了CBA（類似COP）架構，下一代產品將推進至218L。美光：以“快速節點跳躍+激進擴展”為策略，計畫在下一代直接跳過400L+世代。SK海力士：專注於“深度垂直擴展”，其4D PUC（類似COP）架構是其核心競爭力，下一代將推出321L產品。長江存儲：以其“架構顛覆”的Xtacking技術聞名，通過晶圓鍵合實現了儲存單元和外圍電路的獨立最佳化，未來規劃指向300L+的多層Xtacking技術。 (銳芯聞)

算力晶片是專門負責高強度、大規模、平行計算的積體電路，是AI大模型、雲端運算、超算、巨量資料、自動駕駛、科學計算等場景的“算力發動機”。有分析指出，各CSP廠商、算力晶片廠商和ICT廠商等不同主體陸續推出超節點樣品，隨著國產晶片開始量產，2026年或成為國產超節點放量元年。算力晶片產業鏈核心環節拆解主流晶片類型與定位CPU：伺服器/PC主控，邏輯控制、序列計算強GPU/GPGPU：大模型訓練、推理、超算最強FPGA：可重構、低延遲、適合邊緣/專用加速ASIC/NPU/TPU：演算法固化、高能效，推理/場景定製強製造+封測晶圓代工：把設計圖紙變成晶片封裝測試：切割、封裝、測試、整合；先進封裝對算力晶片性能關鍵關鍵配套：儲存+周邊高頻寬儲存：算力晶片“貼身高速記憶體”，瓶頸環節其他：電源管理、高速介面、PCB、連接器等算力晶片產業鏈企業盈利能力企業盈利能力通常表現為一定時期內企業收益數額的多少及其水平的高低。盈利能力的分析，就是對公司利潤率的深層次分析。本文為企業價值系列之【盈利能力】篇，共選取16家算力晶片產業鏈企業作為研究樣本，並以淨資產收益率、毛利率、淨利率等為評價指標。資料基於歷史，不代表未來趨勢；僅供靜態分析，不構成投資建議。第10 東芯股份產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率-6.22%，毛利率24.51%，淨利率-23.42%業績預測：本年度暫無機構做出業績預測主營產品：NAND為最主要收入來源，收入佔比65.20%，毛利率27.26%公司亮點：東芯股份投資的上海礪算堅持自研架構，產品可實現端、雲、邊的主流圖形渲染和AI加速，對標主流GPU架構與外部生態無縫相容。第9 復旦微電產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率3.88%，毛利率56.19%，淨利率5.06%業績預測：ROE最近三年連續下降至3.88%，最新預測均值12.62%主營產品：設計及銷售積體電路為最主要收入來源，收入佔比96.14%，毛利率57.63%公司亮點：復旦微電是國內FPGA領域技術較為領先的公司之一，已可提供千萬門級FPGA晶片、億門級FPGA晶片以及嵌入式可程式設計器件晶片（PSoC）共三個系列的產品。第8 沐曦股份產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率-9.61%，毛利率56.51%，淨利率-48.02%業績預測：ROE最近三年均為負，最新預測均值2.19%主營產品：GPU產品及配件為最主要收入來源，收入佔比99.19%，毛利率56.17%公司亮點：沐曦股份是國內少數真正實現千卡叢集大規模商業化應用的GPU供應商，並正在研發和推動萬卡叢集的落地。第7 芯原股份產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率-18.64%，毛利率34.19%，淨利率-16.74%業績預測：ROE最近三年均為負，最新預測均值4.45%主營產品：量產業務收入為最主要收入來源，收入佔比47.25%，毛利率18.14%公司亮點：芯原股份基於自身神經網路處理器IP可伸縮可擴展的特性，已發展了覆蓋從高性能雲端運算到低功耗邊緣計算的垂直解決方案。第6 紫光國微產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率11.10%，毛利率55.56%，淨利率23.37%業績預測：ROE最近三年波動在9%-24%，最新預測均值13.07%主營產品：特種積體電路為最主要收入來源，收入佔比52.26%，毛利率70.26%公司亮點：紫光國微主營業務是特種積體電路、智能安全晶片為兩大主業，可以為使用者提供ASIC/SOC設計開發服務及國產化系統晶片級解決方案。第5 兆易創新產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率9.30%，毛利率40.22%，淨利率18.23%業績預測：ROE最近三年連續上升至9.30%，最新預測均值16.51%主營產品：儲存晶片為最主要收入來源，收入佔比71.34%，毛利率42.84%公司亮點：對比其他核心產品，兆易創新GD32H7系列MCU性能大幅提升，能夠支援高級DSP、邊緣AI等高算力應用。第4 海光資訊產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率11.87%，毛利率57.83%，淨利率25.17%業績預測：ROE最近三年連續上升至11.87%，最新預測均值16.78%主營產品：高端處理器為最主要收入來源，收入佔比99.90%，毛利率57.78%公司亮點：海光資訊是國產算力底座核心玩家，靠“CPU+DCU雙芯”直接支撐通用算力、AI算力、資料中心算力需求。第3 瀾起科技產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率18.25%，毛利率62.23%，淨利率39.03%業績預測：ROE最近三年連續上升至18.25%，最新預測均值19.64%主營產品：互連類晶片為最主要收入來源，收入佔比94.18%，毛利率65.57%公司亮點：瀾起科技是AI算力基礎設施裡的高速互連/記憶體介面晶片龍頭，同時也有自研伺服器CPU產品線提供基礎算力。第2 佰維存儲產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率19.78%，毛利率21.44%，淨利率7.42%業績預測：ROE最近三年最高為19.78%，最新預測均值49.90%主營產品：儲存產品為最主要收入來源，收入佔比96.00%，毛利率21.20%公司亮點：佰維存儲給端側+雲端各類算力晶片，提供高適配儲存、協同主控、先進封裝、存算融合支撐。第1 寒武紀產業細分：數字晶片設計盈利能力：淨資產收益率26.96%，毛利率55.15%，淨利率31.68%業績預測：ROE最近三年最高為26.96%，最新預測均值32.18%主營產品：雲端產品線為最主要收入來源，收入佔比99.69%，毛利率55.22%公司亮點：寒武紀致力於打造人工智慧領域的核心處理器晶片，是同時具備人工智慧推理和訓練智能晶片產品的企業。 (數說商業)

長江存儲的產能擴張，再傳重磅消息。4月3日，韓國媒體Chosun Biz披露關鍵進展。武漢三期項目，預計今年下半年量產高堆疊NAND。今年產量有望超越SK海力士和美光，躋身全球第三。僅次於三星和鎧俠，國產儲存迎來重大突破。一位知情人士透露了產能細節。武漢一期、二期產線已接近飽和狀態。三期項目正在進行關鍵裝置最後安裝。一切準備就緒，只為全面量產鋪路。過去兩年，長江存儲的擴張速度驚人。武漢二期產線2024年投產，兩年就達滿負荷。目前二期月產6萬片晶圓，產能穩定。一期產線產能更高，月產達10萬片。產能疊加，推動年產量持續攀升。2024年129萬片，2025年增至177萬片。今年預計接近200萬片，增長勢頭迅猛。三期投產後，格局將徹底改寫。SK海力士今年預計產量約190萬片。長江存儲將實現超越，穩坐全球第三寶座。鎧俠以482萬片、三星以468萬片位居前二。產能衝刺的同時，技術也在同步突破。長江存儲正穩步提升200層堆疊NAND產能。計畫拓展伺服器和移動裝置領域市場份額。300層NAND良率，預計今年趨於穩定。技術迭代，為產能擴張提供核心支撐。收入結構，也將迎來歷史性轉變。長期以來，其收入因專注國內市場被低估。今年，海外市場有望成為新的增長極。路透社等媒體披露了海外合作動向。某海外頭部手機品牌，正考慮採用其NAND產品。核心原因是擔心NAND漲價帶來的成本壓力。若合作落地，意味著通過嚴苛質量評估。質量、可靠性、供應穩定性均獲認可。後續或有更多科技公司跟進合作。不少企業受NAND短缺困擾，急需替代方案。行業人士對此給出高度評價。這將標誌著其客戶群向全球頂級手機廠商延伸。徹底打破此前以中國市場為中心的格局。對比蘋果供應鏈，更能凸顯此次突破的意義。蘋果長期從三星、SK海力士、鎧俠採購NAND。長江存儲若入局，市場地位將徹底改變。長江存儲的崛起，並非偶然。產能快速爬坡，技術持續突破，雙輪驅動。打破海外儲存巨頭壟斷，底氣日益充足。國產NAND，終於迎來彎道超車的機會。三期量產，只是一個新的起點。200層、300層技術落地，將鞏固競爭優勢。海外市場突破，能進一步打開增長空間。全球NAND市場的競爭，將更加激烈。三星、鎧俠的領先地位，面臨挑戰。SK海力士、美光，也將感受到不小壓力。長江存儲的突圍，對國產半導體意義重大。推動儲存晶片自主可控，減少對外依賴。也為國內相關產業，提供穩定供應鏈支撐。下半年三期量產，值得持續關注。(1 ic芯網)

穩住！別慌！冷靜！有影響，但不大。2025下半年以來，一場席捲全球的儲存晶片“超級漲價周期”愈演愈烈，其烈度遠超以往。DDR4 16Gb晶片價格漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅也達到500%。相關市場研究資料顯示，2026年第一季度DRAM合約價預計上漲90%-95%，NAND合約價上漲55%-60%。儲存巨頭SK海力士在2026年初的投資者會議上緊急警告：當前DRAM及NAND庫存僅剩約4周，處於歷史極低水平，所有客戶均無法獲得足額供應。幾乎同時，三星電子將一季度NAND快閃記憶體供應價格上調超100%，DRAM價格漲幅接近70%。美光更是預警記憶體晶片短缺將持續到2026年之後。這場漲價潮的背後，是AI伺服器需求的爆發式增長。單台AI伺服器對DRAM的需求是普通伺服器的8-10倍，巨頭們爭相建設AI資料中心，導致儲存晶片供需嚴重失衡。而儲存晶片原廠紛紛將產能轉向HBM等高利潤產品，傳統DRAM產能遭到擠壓，進一步加劇通用儲存晶片供應緊張。SK海力士DRAM庫存周由AI算力需求引爆的漲價潮，正從雲端算力中心迅速蔓延至每一個智能終端。這場風暴中，一個關鍵問題浮出：作為人形機器人即時感知與自主進化的記憶中樞，儲存晶片漲價潮是否會波及到這條發展正熱的賽道？人形機器人量產元年剛過，時值產能爬坡期，儲存漲價是否會進一步擠壓人形機器人在產業初期極其微薄的利潤空間？儲存漲價，對人形機器人造成實際影響了嗎？對於已進入小批次出貨或早期商用階段的人形機器人廠商而言，成本壓力與供應鏈穩定性是其必須面臨的課題。人形機器人的“大腦”、“小腦”及各類感測器等均需配套儲存晶片。行業資料顯示，單台人形機器人至少需搭載48顆以上的各類儲存晶片。其中包括用於快速啟動的NOR Flash、用於臨時資料快取記憶體的DRAM，以及用於儲存作業系統、AI模型和日誌資料的大容量NAND Flash。頻寬不足會導致“大腦”資料飢餓，延遲過高會使動作僵硬，可靠性差則可能在關鍵時刻引發系統故障。儲存晶片的性能直接決定了人形機器人“感知-思考-行動”閉環的流暢度與智能水平。高工人形機器人製圖如此重要的零部件漲價，對人形機器人影響如何？我們圍繞該話題和國內兩家頭部儲存晶片企業聊了聊。佰維存儲方面回應稱：“這波儲存漲價對人形機器人產業確實有成本端的傳導影響，因為上游NAND和DRAM晶圓是共通的。但我們觀察到，對於人形機器人廠商而言，選型的核心矛盾不在於短期價格波動，而在於能否找到真正滿足其場景需求的方案。”上游晶圓因供需緊張漲價，下游所有的儲存產品成本都將對應增加。在機器人廠商的採購考量中，價格的優先順序相對靠後。因為對尚處發展初期的人形而言，技術可行性遠比成本最佳化更重要。而人形機器人對儲存晶片有非常特殊且嚴苛的需求，這也就導致標準品難以滿足，比如用在USB 隨身碟或手機裡的儲存晶片。“特殊需求包括空間極度受限，需要高抗震性，同時還要兼顧高頻寬與低功耗，這些都不是標準化產品能直接解決的。”佰維存儲方面進一步解釋。在滿足系列技術需求的過程中，儲存晶片面臨著多重技術難點。比如，提高儲存晶片的性能通常意味著更高的功耗，而人形機器人對功耗有嚴格要求。如何在性能和功耗之間找到最佳平衡點，是儲存晶片設計的重要挑戰；又如人形機器人內部空間有限，尤其是關節部位，需要超小型封裝的儲存晶片。但小型封裝通常意味著容量受限，如何在有限的空間內提供足夠的儲存容量，也是一大難題。更別提機器人在運行過程中，電機和驅動器產生大量熱量，導致內部溫度升高。儲存晶片需要在寬溫度範圍內穩定工作，這對晶片的設計和製造工藝提出了更高的要求。另一家儲存晶片企業則表示，當前漲價的儲存品類並非人形機器人常用，波動較小，對人形機器人影響不大。人形機器人的核心算力主要依賴主控晶片（MCU/SoC）和邊緣計算單元，而非大容量儲存。其運行側重於即時運動控制、感測器融合和本地化AI推理，對DDR5、HBM等高規格儲存晶片的需求遠低於AI伺服器。當前人形機器人更依賴利基型儲存，比如中小容量NOR Flash、NAND Flash、DRAM等，這類產品雖然也有所提價，但並非本輪漲價的核心品類。相比儲存佔成本10%-30%的手機或AI伺服器，人形機器人BOM成本中儲存晶片佔比微乎其微。從原廠的反饋來看，對於絕大多數仍處於原型研發和演算法驗證階段的國內人形企業，儲存漲價潮對其確實有影響，但影響相對有限。且遠期威脅不容忽視，當前人形機器人對儲存的採購量小，多通過分銷商或現貨市場獲取樣品，對價格波動的承受能力稍強。但它們共同面臨的是一個未來確定性可能降低的供應鏈環境。巨頭們的產能轉向，意味著長期來看，適合人形機器人應用的、在性能、功耗、可靠性上取得平衡的利基型儲存晶片，其產能保障和價格穩定性將面臨更大挑戰。人形機器人賽道內，出現中國國產儲存晶片身影隨著越來越多人形機器人原型機陸續展示出驚人的運動與互動能力，行業意識到專用化、高性能的人形機器人儲存方案成為剛需。而供應緊張與價格上漲，也在倒逼下游更加積極地評估和匯入國產儲存方案，以建構多元化的供應鏈體系。這為已在人形機器人領域有所佈局的一眾國記憶體儲晶片玩家，提供了加速產品驗證、切入主流供應鏈的寶貴窗口期。綜合各家資訊、投資者關係記錄、產業鏈資訊來看，目前國內領先的人形機器人企業在儲存晶片供應商選擇上，已出現國產晶片的身影，但整體仍處於驗證與早期匯入階段。如，國記憶體儲與MCU雙龍頭兆易創新將其車規級高可靠性NOR Flash/Nand Flash產品線，以全容量覆蓋、極致性能、高可靠性及超小封裝，為人形機器人提供從核心到末梢的全方位“記憶”護航。目前已成功匯入國內多家頭部人形機器人廠商的人形產品上，確保機器人在各種嚴苛環境下穩定運行。江波龍在年初的CES2026上推出覆蓋AI機器人等前沿領域的AI-Grade儲存產品矩陣，並佈局UFS 4.1、LPDDR5x等儲存晶片，為AI機器人的小型化、輕量化發展提供更多可能；佰維存儲的LPDDR4X和eMMC，也已實現在宇樹科技Go2上的應用，滿足其高動態環境下的資料吞吐需求。下面，我們詳細盤點國內已在人形機器人領域明確落子、具備產品適配性或正積極佈局的儲存晶片廠商及代表產品。他們的產品路線、技術突破與市場進展，不僅勾勒出當前國產儲存衝擊高端應用的技術高地，也預示了在這場具身智能革命中，中國供應鏈的未來格局與走向。兆易創新在儲存產品上，兆易創新主要提供NOR Flash/Nand Flash解決方案。其為人形機器人“大腦”提供高速儲存支援的核心產品GD25/55 X/LX系列SPI NOR Flash。該系列快閃記憶體擁有400MB/s的資料吞吐量，能夠滿足即時啟動及即時響應的需求。高速的資料讀取能力對於執行AI決策的機器人大腦至關重要，可保障系統快速載入程式碼、模型和指令，實現即時響應。事實上，作為人形機器人控制-儲存-模擬一站式方案提供商，兆易創新基於人形機器人感知、決策、控制、執行的核心技術鏈路，建構了覆蓋MCU、儲存、模擬晶片的全端解決方案。整個方案以高算力MCU為核心中樞，協同高速儲存晶片與高可靠性模擬晶片，形成從關節驅動、感測器訊號處理、通訊互動到電源管理的端到端技術閉環，精準匹配機器人大小腦、靈巧手、手臂關節、腿關節、IMU模組等關鍵部位的晶片需求。尤其在MCU上，兆易創新針對人形機器人不同關節的差異化需求，推出了多款高性能產品。針對靈巧手等空間受限、電機密集的場景，GD32G553採用Arm® Cortex®-M33核心，主頻高達216MHz，單晶片可同時驅動3至4個電機，其WLCSP81封裝尺寸僅4×4mm，可有效節省空間。針對腿部關節等需要支撐動態平衡、即時計算步態的高算力場景，GD32H7系列搭載600MHz Cortex®-M7核心，配備雙精度FPU、TMU及濾波演算法加速器，整合CAN-FD、乙太網路等工業介面，能夠在單晶片上完成多感測器資料融合。該系列是國內率先基於M7核心實現量產的MCU，已廣泛應用於國內人形機器人及機器狗中。在需要精密運動控制的手臂關節中，GD32H75E在GD32H7基礎上整合倍福正版授權的EtherCAT® IP，內建2顆百兆乙太網路PHY，滿足複雜運動場景下高速、低延遲通訊需求。該晶片支援105℃環溫運行，有效解決了機器人關節空間狹小、運行溫度較高的痛點。佰維存儲目前，佰維存儲面向人形機器人領域推出了多款高性能儲存晶片產品，建構了完整的儲存解決方案。核心產品系列包括eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR4X/5/5X等產品。這些產品針對機器人對高頻寬、低延遲、大容量儲存的需求進行了專門最佳化。公司創新性地提出了“內建+外擴”一體化儲存架構——BGA SSD作為內建儲存方案，採用PCIe 4.0×4介面，順序讀取速度高達7350MB/s，最高2TB容量，可實現作業系統與AI模型"秒級啟動"，滿足機器人高頻資料寫入需求；Mini SSD作為外接可擴展儲存，採用類似SIM卡槽式設計，實現一插即用的擴容體驗。產品尺寸小至SIM卡，重量僅1g，採用PCIe 4.0×2介面，讀/寫速度分別達3700MB/s、3400MB/s，無需拆機即可擴展高達2TB儲存空間。據佰維存儲方面介紹，依託研發封測一體化的能力，其推出的ePOP、BGA SSD、Mini SSD等面向具身智能場景的小型化儲存方案，在宇樹科技等頭部人形機器人企業上已有落地應用。目前，公司正持續積極拓展具身智能領域頭部客戶，推動儲存產品在機器人行業的規模化落地。江波龍在MWC 2026上，江波龍展示了面向具身機器人的全維度儲存產品佈局，包括QLC eMMC、UFS 4.1、LPDDR5x等多款產品，以及Lexar雷克沙品牌的AI-Grade SSD、AI-Grade Storage Stick等創新形態產品，全面覆蓋AI PC、智慧型手機器人等多元場景。UFS4.1高端嵌入式儲存是江波龍可應用於人形機器人上的旗艦級產品。該產品搭載自研WM7400主控晶片，採用先進Foundry工藝，順序讀取速度高達4350MB/s，隨機讀寫性能達750K/630K IOPS，容量最高支援2TB。公司通過蘇州封測製造基地的創新封裝工藝，將產品尺寸最佳化至9×13mm，較主流方案面積減少18%，滿足機器人內部空間對輕薄化、高整合度的嚴苛要求。mSSD高速儲存介質則是是江波龍專為端側AI裝置推出的創新產品，採用Wafer級系統級封裝技術，將主控、NAND、PMIC等元件整合進單一封裝體內。基於mSSD衍生的AI Storage Core產品矩陣，具備大容量、熱插拔、AI應用定向韌體最佳化等特性，可廣泛適配智慧型手機器人等前沿領域。此外，江波龍的FORESEE品牌儲存產品已實際應用於機器人領域。公司去年在投資者互動平台確認，宇樹Go2機器狗拆解視訊中顯示的FORESEE儲存器屬實。該品牌產品具備高速資料儲存和讀取能力，能夠支援機器人在避障、導航和圖像識別等複雜任務中的即時資料處理需求。科美存儲科美存儲是國內專注於高可靠工業儲存解決方案的廠商，目前已針對人形機器人及具身智能領域推出了系列儲存產品，主要聚焦於嵌入式儲存和工業級固態硬碟兩大方向。在嵌入式儲存方面，科美存儲推出了BGA SSD系列產品，這是其面向人形機器人領域的重要佈局。BGA SSD採用球柵陣列封裝，具有體積小巧、抗震性強、可靠性高等特點，適用於空間受限且對穩定性要求極高的機器人內部儲存場景。公司還推出了工業級eMMC嵌入式儲存（如Jupiter EWP 703XT系列），該產品搭載國產自研主控和長江儲存快閃記憶體顆粒，採用SLC快閃記憶體，支援-40℃至+85℃寬溫工作，適用於機器人等工業裝置的系統程式碼儲存和資料記錄。在工業級固態硬碟方面，科美針對機器人應用推出了加固M.2 2248 NVMe固態硬碟。該產品搭載3D TLC快閃記憶體顆粒，支援NVMe 1.4協議和PCIe 3.0x4介面，順序讀寫速度分別高達3399MB/s和3140MB/s，容量覆蓋128GB至1TB。產品採用加固連接器設計，MTBF（平均無故障時間）高達200萬小時，並可在-40℃至+85℃寬溫環境下穩定運行。該產品已實現100%全國產化配置，並已成功應用於機器狗等智慧型手機器人項目。總體來看，科美存儲面向人形機器人的產品佈局以高可靠性、全國產化、寬溫適應為核心特色，通過BGA SSD、eMMC、M.2 NVMe SSD等產品組合，滿足人形機器人在程式碼儲存、資料記錄、運行記憶體等方面的多樣化儲存需求。除上述幾家外，更多儲存玩家也在同步發力。北京君正針對人形機器人對高整合度、低功耗儲存方案的需求，推出3D DRAM技術，並通過近存計算架構最佳化儲存與計算的協同效率。其研發的智慧大腦晶片將儲存單元與AI計算模組深度融合，顯著提升機器人在環境感知、多模態決策中的即時資料處理能力。曙光儲存在2025中國人形機器人生態大會上提到的“超級隧道 HyperTunnel”技術，通過硬體與軟體的深度協同最佳化，建構高效、低時延的資料傳輸路徑。其分佈式全快閃記憶體儲ParaStor、集中式全快閃記憶體儲FlashNexus兩大產品線均應用該技術，針對演算法模型訓練場景，以高性能分佈式全快閃記憶體儲加速具身智能大腦升級。目前，其技術方案已應用在智元機器人等頭部人形企業產品中。小結儲存晶片的超級漲價周期，如同一面棱鏡，折射出AI時代算力需求對硬體基礎設施的深刻重塑。對於方興未艾的人形機器人產業，這既是短期成本與供應鏈的壓力測試，更是加速核心部件自主創新的催化劑。短期來看，漲價潮確實給機器人企業帶來了影響，儘管程度有限，這也促使產業界更早、更嚴肅地思考供應鏈安全與成本最佳化路徑。中長期而言，危機中孕育著巨大的戰略機遇。人形機器人對儲存晶片提出的低延遲、高可靠、小尺寸、低功耗等需求，恰恰是國產儲存晶片實現高端突破、擺脫中低端內卷的理想賽道。產能傾斜的同時，也留下了寶貴的市場縫隙。從本次盤點可以看出，以兆易創新、佰維存儲、江波龍等為代表的一批國產儲存晶片企業，已經深入佈局。儘管整體上國產份額仍小，生態仍在建構，但已在頭部人形機器人客戶中實現從樣品到量產的突破。當前這場由外部市場環境變化所引發的產業鏈躁動，或許正是中國儲存晶片企業，在人形機器人這一未來核心場景中，從備用選項邁向主流選擇，乃至參與定義技術標準的關鍵轉折前夜。 (高工人形機器人)

未來儲存產品價格或有望持續上漲。隨著儲存“超級周期”敘事持續升溫，近日，A股多家儲存產業鏈公司迎來好消息。東芯股份發佈2025年度業績預告，預計歸屬於母公司所有者的淨虧損1.74億元-2.14億元。報告期內，儲存類股已實現盈利。佰維存儲發佈公告稱，預計2025 年實現營業收入 100.00 億元至 120.00 億元，與上年同期（法定披露資料）相比，將增加33.05 億元至 53.05 億元，同比增長49.36% 至 79.23%。預計2025 年度實現歸屬於母公司所有者的淨利潤8.50 億元至 10.00 億元，與上年同期（法定披露資料）相比，將增加6.89 億元至 8.39 億元，同比增加427.19% 至 520.22%。德明利發佈2025年度業績預告公告稱，預計2025年，公司實現營業收入103億元至113億元，同比增長115.82%至136.77%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為6.50億元至8.00億元，比上年同期增長85.42%至128.21%。2025年第四季度歸屬於上市公司股東的淨利潤預計為6.77億元至8.27億元，同比增長1051.59%至1262.41%。對於業績的變化，東芯股份表示，2025 年度，公司所處的中小容量儲存晶片市場受益於人工智慧驅動的新一輪行業上升周期，供需結構持續最佳化，產品銷售價格穩步回升。在此背景下，隨著 5G 基站建設的持續推進、智慧城市建設帶動的安防裝置升級、智能穿戴裝置的功能創新、以及汽車電動化與智能化的產業浪潮，公司產品所面對的網路通訊、安防監控、消費電子、工業控制、汽車電子等下游應用領域需求整體呈現復甦與結構性增長。面對上述持續向好的市場機遇，公司積極把握行業發展態勢，堅定深耕儲存晶片主業，通過有效的市場策略與客戶拓展，帶動了公司營業收入與盈利能力的同步提升。報告期內公司營業收入較上年同期增長43.75%左右，各季度營業收入均實現環比增長；隨著產品銷售價格的回升，整體毛利率較上年同期相比大幅提升，各季度毛利率均實現環比增長，儲存類股業務已實現盈利。對於業績變化的原因，佰維存儲表示，受全球宏觀經濟環境影響，儲存價格從2024 年第三季度開始逐季下滑，2025年第一季度達到階段性低點，公司一季度產品銷售價格降幅較大。從2025 年第二季度開始，隨著儲存價格走穩回升，公司重點項目逐步交付，公司銷售收入和毛利率逐步回升，經營業績逐步改善。2025 年度公司在AI 新興端側領域保持高速增長趨勢，並持續強化先進封裝能力建設，晶圓級先進封測製造項目整體進展順利，目前正按照客戶需求推進打樣和驗證工作，為客戶提供“儲存+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案。 2025 年度為提高公司產品的市場競爭力，公司持續加大晶片設計、韌體設計、新產品開發及先進封測的研發投入力度，並大力引進行業優秀人才投入力度。對於業績增長的原因，德明利稱，2025年第三季度起，受益於AI需求驅動，儲存行業景氣度逐步回暖，儲存價格進入上行通道，公司產品銷售毛利率大幅提升，經營業績顯著改善。與此同時，報告期內，德明利聚焦全鏈路儲存解決方案能力強化，加快高端製造能力建設，快速搭建起產品定製化全端解決方案交付體系，在客戶拓展及產品匯入環節取得突破性進展，推動公司經營規模持續快速增長。儲存類股的上漲也帶動了相關概念股上漲，如作為SK海力士代理商的香農芯創發佈2025年年度業績預告，預計歸屬於上市公司股東的淨利潤為4.80億元–6.20億元，比上年同期增長81.77%–134.78%。對於業績的變化，香農芯創表示，隨著生成式人工智慧（AGI）的蓬勃發展，網際網路資料中心（IDC）建設對企業級儲存的需求持續增加。2025 年，公司銷售的企業級儲存產品數量增長，主要產品價格呈現上升的態勢，預計全年收入增長超過40%。公司堅持以產品化為主導，圍繞國內一線自主算力生態，提供國產化、定製化產品，公司自主品牌“海普儲存”已推出包括企業級SSD 以及企業級DRAM兩大產品線的多款產品並進入量產階段。2025 年度，“海普儲存”預計實現銷售收入 17 億元，其中第四季度預計實現銷售收入 13 億元。2025 年“海普儲存”首次實現年度規模盈利。值得一提的是，未來儲存產品價格或有望持續上漲。1月22日，兆易創新發佈日常關聯交易預計額度公告：公司將向長鑫集團採購代工生產的DRAM相關產品，2026年上半年度預計交易額度為15.47億元，大大超過了2025全年與長鑫集團發生的11.82億元。兆易創新表示，2026年上半年採購代工成本預計同比高增，主要源於DRAM市場價格上行，相應導致晶圓代工價格增長所致。申港證券指出，市場預計2026年將迎來一輪晶圓代工價格普漲行情，12英吋方面，7nm及以下製程的主要代工公司台積電預計2026年先進製程漲幅將達3%至10%，中芯國際漲價通知明確對8英吋BCD工藝代工提價約10%。另外，儲存漲價預期上調，需求增長將直接帶動儲存代工產能緊張。在產能利用率提升、代工漲價預期下，國產代工企業中芯國際、華虹公司有望持續受益。該機構進一步表示，儲存漲價需求提升傳導至上游封測領域，AI需求、儲存或帶動封測漲價。受益於DRAM與NAND Flash大廠衝刺出貨，力成、華東、南茂等儲存器封測廠產能利用率逼近滿產，近期陸續調升封測價格，漲幅最高達30%，且後續不排除第二波漲價。先進封裝和儲存相關封裝環節有望受益需求提升帶來的價格上漲，國產封測和裝置環節有望受益。 (半導體產業縱橫)

一位深圳二代，賺爆了。1月中旬，佰維存儲公告，2025年預計淨賺8.5-10億元，同比增長4-5倍；其上半年，本來還虧2個多億。38歲的董事長孫成思，帶隊打出翻身仗。僅用6個月，幹出超10億元利潤。佰維經營儲存晶片生意，孫個人持股17.69%，接棒父親執掌公司那年，他才27歲。如今，佰維趕上周期上行，又踩中端側AI的風口。1月16日收盤，其市值約860億元。這位年富力強的掌門人，正在衝擊港股IPO，欲將父輩打下的基業，做大做強，佰維現為全球少有的研發封測一體化儲存提供商。“短時間可能看不出效果，長遠來看，有自己的工藝，肯定競爭力是不一樣的。”一位儲存晶片從業人士向記者表示。日賺千萬孫成思的儲存生意，全年營收破百億無懸念。其利潤“爆表”，發生在2025年最後3個月。該季淨利，預計在8.2-9.7億元，若按上限來計算，平均每天賺得1054萬元。在公告中，佰維存儲提及一條“U型”曲線。其儲存產品價格，從2024年三季度開始，逐季下滑，到2025年一季度觸底，二季度開始回升，逐步提振銷售收入和毛利率。孫成思碰上的，是相當罕見的大漲行情。《21CBR》記者在京東檢索海力士256G DDR5記憶體條，單價多在4.5萬元以上。一盒100條的記憶體條，總價抵得上京滬一套房。漲價的源頭，在於AI拉升儲存需求。更具體點，在於三層：AI推理、端側AI、AI新興應用。孫成思治下的佰維存儲，均有對應的產品，正快速匯入市場。比如，在具身智能領域，機器人執行環境感知、運動控制等任務時，必須快速儲存和讀取資料，對高頻寬、低延遲、大容量儲存晶片，有特定需求。根據拆解報告，宇樹科技的Go2智慧型手機器狗，就用了佰維存儲的LPDDR4X、eMMC儲存產品。在手機、PC、智能穿戴等主流應用領域，許多大眾熟知的品牌產品，背後都有佰維的身影，比如聯想、小米等。孫成思還營運自主品牌“佰維”，自己賣SSD和記憶體條。2025年雙十一，在京東平台上，佰維的許多產品顯示售罄、限購。當時公司方面解釋，“消費者下單意願強烈，購買數量激增”。“過去我們也曾誤解AI，只把它看作一種更高級的搜尋引擎。”孫成思說，大模型技術在手機、PC、可穿戴裝置快速落地，愈發清晰地看到，AI不再遙遠。子承父業孫成思擔任佰維董事長，已有11個年頭。新人熬成老兵，也才38歲。佰維由其父親孫日欣在深圳創辦，早期從事ODM代工業務，逐漸與英特爾、美光、東芝、三星等知名晶圓原廠建立起合作關係。2008年，當許多企業在金融風暴中收縮業務，孫日欣果斷投建了封裝測試工廠，為打造研發封測一體化模式奠定基礎。7年後，孫成思從父親手中接過帥印時，面臨的局面不太妙：儲存產業基本由美日韓廠商主導，公司難以逃離周期性風險，毛利不高。這位從英國留學歸來的創二代，決定向產業鏈上游突圍，做深解決方案、做強封測能力。同時，他全面擁抱AI，推進豐富產品組合、持續研發投入、先進封裝與智慧營運管理四大支柱。十年披荊斬棘，孫成思建立了一支年輕的團隊，董監高大部分都與他年齡相仿，助力其營運策略的實施。比如，執行董事兼總經理何瀚，比孫還小一歲，主要負責營運、管理及決策，獲北京大學學士學位及碩士學位。何瀚在2019年入職佰維，此前是中信證券的高級經理，而佰維在2022年登陸科創版時，中信證券就是保薦券商。非獨董裡的王燦，有儲存技術背景，曾在華晟電子、華晟資料固態儲存、華為賽門鐵克工作。孫成思把公司帶上科創版。1月14日，佰維收報145.9元/股，創上市以來新高。2025年底，他又計畫衝刺港股IPO，實現A+H雙重上市。目前，中國證監會要求佰補充材料，重點關注其近三年技術出口業務的開展情況，以及合規性問題。加大研發，又要擴產，佰維確實有資金壓力。截至2025年9月末，其總負債84.68億元，資產負債率達64.18%。2025年前三季度，其經營活動現金流，淨流出14.83億元。積極備戰孫成思領銜的高管團隊，正發起一輪新攻勢。AI強勁拉動，DDR5等高端記憶體需求猛增，而國產化率較低。2024年國產DRAM晶片的市場份額低於5%，國產NAND Flash低於10%。競爭激烈，孫成思奮力突圍，手裡有父親留下的一把好武器：研發封測一體（ISM）。孫回憶，公司剛成立時，佰維存儲和眾多廠商的業務模式類似，後來決定向前多走半步，進軍幾乎空白的儲存封測環節，逐漸有了自己產線。整合研發與封測，這種模式在業內少有，相較Fabless路線需要依賴代工的產能，研發效率和產品定製能力，更有保障。根據弗若斯特沙利文資料，佰維是全球唯一一家，具備晶圓級封裝能力的獨立儲存解決方案提供商。儲存江湖的比拚，正轉向綜合性能競賽。背靠這一模式，孫成思積極備戰新戰場。他判斷，AI眼鏡是最具代表性的“下一個時代入口”。其對儲存的要求極為苛刻，既要高頻寬、低功耗，又要輕薄小型化、強互動穩定性，這些是佰維ePOP等高度定製化產品的強項。2024年，佰維面向AI眼鏡的收入約1.06億元，管理層預計，2025年這部分收入，有望增長超500%。好風借力，孫成思加緊擴產。2025年，約19億元定增落地，募資主要投向惠州基地的擴產建設，以及晶圓級先進封測製造項目。簡單來說，錢主要花在引進裝置，生產輕薄小巧的大容量儲存產品上，以及擴充老基地的產能。據披露，東莞生產基地，作為晶圓級封裝的旗艦樞紐，計畫2026年投產。接班十年，如何在百億營收“竿頭”更進一步，考驗著孫成思掌舵的能力。 (EDA365電子論壇)

佰維存儲的業績預告如同報春鳥，一個屬於儲存的時代來了。1月13日晚，深圳佰維存儲科技股份有限公司（以下簡稱“佰維存儲”）發佈公告稱，預計2025年實現營業收入100億元-120億元，同比增長49.36%-79.23%；2025年四季度單季營收34.25億元-54.25億元，同比增長105.09%-224.85%，環比增長28.62%-103.73%。圖片來源：佰維存儲該公司預計2025年淨利潤為8.5億元-10億元，同比增長427.19%-520.22%；2025年四季度淨利潤預計為8.2億元-9.7億元，同比增長1225.40%-1449.67%，環比增長219.89%-278.43%。該公司2025年度扣非淨利潤7.6億元-9億元，同比增加1034.71%-1243.74%。此消息一出，立刻引發業界廣泛關注。這份被譽為儲存“超級周期”的首份年報預告，不僅是一個公司的財務捷報，更像是一份宣言，似乎宣告了長達兩年的行業嚴冬正式終結。業績井噴：數字背後的行業拐點細讀佰維存儲的業績預告，幾組關鍵資料揭示了儲存行業的深刻變化。在營收層面，佰維存儲預計2025年實現營業收入100億元至120億元，同比增長49.36%至79.23%。尤為重要的是第四季度的爆發式增長：單季營收34.25億元至54.25億元，環比增長28.62%至103.73%，同比增長更高達105.09%至224.85%。盈利能力的恢復更加迅猛。扣除非經常性損益後，該公司2025年淨利潤預計為7.6億元至9億元，同比增幅達到驚人的1034.71%至1243.74%。對於業績變化的驅動因素，佰維存儲在公告中明確指向行業周期的根本性轉變：“儲存價格從2024年第三季度開始逐季下滑，2025年第一季度達到階段性低點...從2025年第二季度開始，隨著儲存價格走穩回升，公司銷售收入和毛利率逐步回升。”其次，2025年度公司在AI新興端側領域保持高速增長趨勢，並持續強化先進封裝能力建設，晶圓級先進封測製造項目整體進展順利，目前正按照客戶需求推進打樣和驗證工作，為客戶提供“儲存+晶圓級先進封測”一站式綜合解決方案。供需重構：儲存晶片漲價的深層邏輯佰維存儲的業績大漲只是冰山一角，其背後是整個儲存晶片市場的供需重構。自2025年下半年以來，儲存晶片價格已連續上漲兩個季度。供給端方面，DRAM原廠大規模將先進製程、新產能轉移至伺服器、HBM應用，以滿足AI伺服器的需求，其餘市場供給嚴重緊縮。市場研究機構TrendForce公佈的資料顯示，預計2026年第一季度通用型DRAM合約價將環比增長55-60%，NAND快閃記憶體產品價格也將上升33%至38%，其中消費級大容量QLC產品漲幅不低於40%。另據韓媒報導，三星電子與SK海力士計畫在2026年第一季度將伺服器DRAM價格較2025年第四季度提升60%-70%。閃迪宣佈企業級SSD NAND晶片報價將在2026年3月環比上漲超100%，且要求客戶支付100%現金預付款，以鎖定未來1-3年的供貨配額。需求端的復甦也展現出新的動力。隨著算力需求的激增，AI伺服器、智能汽車、物聯網裝置等新興應用場景對儲存晶片的需求呈現井噴式增長。TrendForce預測，2026年AI和伺服器對DRAM的消耗佔比預計將超過總產量的66%。“這不是簡單的周期性反彈，”一位業內人士指出：“這是由技術迭代和應用創新驅動的結構性增長。傳統的PC和智慧型手機市場雖然增長放緩，但新興應用正在創造全新的需求空間。”連鎖反應：下遊行業的喜與憂儲存晶片漲價如同一顆投入平靜湖面的石子，在電子產業鏈中激起層層漣漪。PC方面，戴爾、惠普、聯想等都在計畫漲價，漲幅最高達20%。據外媒消息，戴爾已在其內部通知員工，該公司即將對多種產品實施大幅漲價，此次漲價幅度將是該公司有史以來最大的一次，未來筆記型電腦和台式電腦的價格可能會上漲“數百美元”。惠普CEO Enrique Lores則警告稱，2026年下半年“可能尤其艱難”，必要時將上調價格。華碩發佈說明函通知，預計從2026年1月5日起針對部分產品組合進行策略性價格調整。就智慧型手機而言，調研機構Counterpoint資料顯示，2025年，記憶體在iPhone 17 Pro Max的物料成本中佔比已超過10%。TrendForce指出，此前DRAM佔智慧型手機總製造成本的10%至15%，但目前這一比例已上升至20%。此外，Omdia預計，受儲存晶片漲價影響，2026年智慧型手機的物料成本將上升25%。Counterpoint預計2026年全球智慧型手機出貨量將年減2.1%。多位行業人士預計，在記憶體價格飆升的情況下，智慧型手機面臨漲價或減配的壓力。汽車電子領域的情況則更為複雜。智能汽車對儲存晶片的需求急劇增長，但車規級晶片的認證周期長、要求高，短期內難以找到替代供應商。這使得汽車製造商在價格談判中處於相對被動的角色。而相對終端廠商，儲存模組製造商和管道商的日子，則明顯好過許多。長達兩年的價格戰與微利煎熬終於告一段落，行業迎來了期盼已久的利潤修復期。新周期啟幕：當儲存晶片邁入“新常態”邁入2026年，儲存晶片市場或將走向一個以 “理性”與“穩定” 為關鍵詞的全新發展階段。這個“新常態”是由技術、需求與產業邏輯深刻重構所定義的，其脈絡已清晰可辨：漲價或將延續目前來看，儲存晶片及下游產品漲價預計還將延續。1月12日，Counterpoint Research發佈報告顯示，儲存市場行情已經超過2018年的歷史高點，供應商議價能力已達到歷史最高水平，預計2026年第一季度市場價格還將上漲40%至50%，第二季度繼續上漲約20%。技術創新競爭技術創新將成為競爭焦點。隨著儲存晶片製程逐漸逼近物理極限，堆疊層數增加、新儲存材料應用、存算一體架構等方向將成為各大廠商的競技場。據預測，2026年300層以上的3D NAND快閃記憶體將實現量產，為儲存密度和性能帶來新的突破。中國儲存力量在這場漲價潮中，國產儲存廠商迎來了難得的發展契機。2025年以來，儲存廠商開始逐步增加資本支出，通過新建廠房、新投裝置，以及升級改造老製程裝置等方式，提高儲存產能。國內廠商將加速搶佔市場份額，國產儲存產品競爭力不斷提升。寫在最後本輪儲存晶片行業的復甦，遠非一次簡單的周期性價格反彈，而是標誌著整個產業步入更成熟、更理性的新發展階段。在技術迭代加速、應用場景爆發、國際競爭白熱化的三重壓力下，唯有那些堅持持續創新、並在專業領域做深做透的企業，才能將行業復甦轉化為可持續的增長紅利，從而為駕馭下一輪產業變革積蓄決定性優勢。對中國儲存產業而言，要求我們以更堅韌的定力在周期波動中前行，在挑戰中尋找機遇，在技術創新中創造價值。 (芯師爺)

11月23日，長鑫存儲在IC China 2025上發佈最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps、單顆容量最高24Gb，躋身國際頂級性能梯隊。同步亮相的LPDDR5X產品與之形成“雙芯共振”佈局，最高速率突破10667Mbps，16Gb容量節點實現關鍵技術跨越。這標誌著中國儲存晶片技術以“領先者”姿態站上全球舞台。這一里程碑背後，長鑫存儲用不到十年的時間從零起步，突破專利封鎖、補齊技術體系，並實現對國際巨頭的正面追擊，其背後的發展路徑與成功要素值得深入剖析。以下為正文：在全球半導體產業鏈中，DRAM被視為最難突破的領域之一。該賽道被韓國三星、SK海力士和美光三大巨頭壟斷，專利、工藝和資本壁壘層層疊加，中國企業始終難以進入核心區。長鑫存儲卻在不到十年的時間裡，從一紙立項走到量產、再到衝刺IPO，成為國產儲存突圍的代表。它的崛起，是國家戰略需求、地方產業政策和企業技術攻堅共同托舉的結果。01. 量產破局：打響國產DRAM第一槍長鑫存儲的起點或源於一次收購失敗。2015年，兆易創新收購爾必達計畫失敗。這次折戟，讓國內產業界真正意識到DRAM行業的牢固壁壘。全球市場長期由三星、SK 海力士和美光“三巨頭”壟斷，核心專利高度集中，國內企業仍處於技術受限的被動局面。此時，合肥市政府拋出橄欖枝，提出“政府出資、企業出人出力”的合作模式。雙方很快達成一致：共同投資建設DRAM項目。2016年，長鑫存儲正式成立，承擔起國產DRAM攻關的重任。2018年，一期廠房建設完成，裝置搬入並開始驗證投片。2019年9月，與國際主流DRAM產品同步的10奈米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計產能每月12萬片晶圓。同年12月，長鑫成功實現規模化量產，並於次年（2020年）正式推向市場。這是中國大陸首次擁有自主可控的DRAM量產能力，國產技術攻堅戰正式打響。但當時的工藝仍落後國際兩代，追趕只是剛剛開始。02. 地方托舉：資本、生態與人才DRAM是半導體產業中最典型的“百億起步”賽道。投入大、周期長，沒有強大的資本托底，很難熬到見效的那一天。長鑫的快速起勢，離不開合肥在資本層面的鼎力支援。2016年，合肥市政府瞄準國家積體電路產業發展戰略，聯合兆易創新共同啟動總投資1500億元的DRAM項目。其中，合肥市政府牽頭投入130億元，帶動安徽國資體系及社會資本共同形成360億元的首期資金池，為項目夯實了關鍵一步。至2020年A輪融資，“以投帶引”的國資模式效果凸顯。合肥產投等核心平台持續持股，向市場釋放出堅定的長期支援訊號，大基金二期、小米集團等知名機構隨即積極入局。2024年，合肥產投通過合肥產投壹號股權投資合夥企業參與108億融資，加上關聯主體長鑫整合的出資，形成國資對本輪融資的直接托底。產業生態上，合肥以長鑫為核心，打造本地化半導體叢集。上游引入廣鋼氣體、上海新陽、至純科技等企業，推動國產裝置和材料的驗證與替代；下游聯合兆易創新、聯寶科技等企業，拉動終端需求。人才層面，安徽省教育廳鼓勵中科大、合工大等高校與長鑫存儲等積體電路頭部企業深度融合。據悉，合肥工業大學與長鑫共建的“研究生聯合培養基地”入選首批省級基地，合作方向涵蓋積體電路設計、工藝等關鍵領域，提供持續的人才供給。“強資本、強生態、強人才”多維共振，讓長鑫存儲在合肥順利紮根，並加速駛入高品質發展的快車道。03. 全線提速：技術追趕、產能狂飆自此，長鑫存儲進入高速爬坡階段，在技術、產能與市場三條主線上全面提速。技術方面，專利+人才雙突破。早在發展初期，長鑫就與歐洲DRAM技術先驅奇夢達合作，拿下1000多萬份技術檔案及2.8TB核心資料，搭建起研發基礎框架。後續又收購英飛凌、美國藍鉑世部分DRAM專利和實施許可，持續築牢專利護城河。此外，長鑫請來奇夢達兩位“老兵”：任職24年的前技術副總裁庫斯特（Karl Heinz Kuester），以及曾主導奇夢達西安研發中心的濮必得（Peter Poechmueller），組成顧問團為技術迭代保駕護航。在此基礎上，長鑫深挖DUV裝置潛力，通過製程最佳化、材料迭代不斷縮小差距：從19nm到17nm，再到2024年量產16nm DDR5；2025年更在IC China發佈新一代產品，DDR5最高速率達8000Mbps，LPDDR5X達10667Mbps，正式躋身全球 DRAM一線陣營。產能方面，自2016年合肥DRAM基地一期項目啟動後，2020-2021年，北京DRAM一期、二期項目先後啟動，逐步擴大廠房建設。2022年1月，北京一期試產線通線；同年6月，合肥二期廠房封頂。2024年底，長鑫存儲月產能23萬片晶圓，2025年底升至28萬片，2026年劍指30萬片，逐步縮小與三星、SK海力士的差距。依託國內土地、能源、人力成本優勢，長鑫擴產成本比韓國廠商低約40%，產品價格也低10%-15%，在消費電子、物聯網等價格敏感領域站穩腳跟，抵禦外商產能壟斷的衝擊。市場端，技術與產能的突破，疊加今年儲存行情回暖，讓長鑫存儲快速打開局面。當前，北美AI伺服器需求暴增，儲存晶片供需缺口拉大，DRAM市場進入上行周期。集邦諮詢資料顯示，2025年三季度傳統 DRAM 價格環比漲10%-15%，含 HBM 則漲15%-20%，四季度預計再漲8%-13%（含 HBM 13%-18%）。摩根士丹利指出，DDR5 現貨價格在過去兩個月內飆升超 260%，熱度可見一斑。這波行情為長鑫帶來雙重機遇：一方面，其16nm DDR5、高速率 DDR5/LPDDR5X 產品，契合伺服器、高端手機的性能需求，具有廣闊市場需求；另一方面，價格上漲周期中，長鑫的技術優勢能進一步放大盈利空間。目前，長鑫存儲的產品已通過多家主流儲存模組商和方案設計公司，間接匯入至小米、OPPO、vivo、傳音等主流手機品牌的供應鏈中，物聯網領域合作落地，伺服器領域也即將突破。Counterpoint預測，2025年底長鑫DDR5市佔率或升至7%，LPDDR5X 接近 10%，全球話語權持續提升。但是，DRAM的周期性風險仍需警惕。儲存產品像大宗商品一樣，對供需敏感、價格波動大；且擴產周期長達 2-3 年，產能與需求易錯配。一旦未來 AI 伺服器需求放緩、行業產能過剩，長鑫可能面臨庫存積壓、價格下跌、現金流承壓的多重壓力。如何在周期波動中平衡擴張與風控，仍是其長期發展的核心課題。04. 尾聲2025年7月，長鑫啟動A股IPO輔導，僅用三個月完成驗收，上市處理程序明顯加速。市場普遍預期其估值約1400億元，募資規模接近300億元，主要用於推進15nm工藝與3D DRAM研發。上市對長鑫而言，是從“追趕”邁向“加速”的關鍵跳板。它將帶來更充裕的資本、更完善的治理機制，也將推動公司在HBM、先進封裝、國產裝置適配等領域展開新一輪投入。總體來看，長鑫存儲已經走在國產DRAM突圍的最前線。從破局起步到產業生態托舉，再到技術與產能的加速成長，它已經證明國產DRAM“能做、能量產、能追近”。下一步，則是向‘並跑’乃至‘領跑’的目標發起衝擊。而隨著上市臨近，一個更市場化、規模化、體系化的長鑫，也正在路上。 (芯師爺)