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「網紅晶片分析師」P Equity訪談：算力缺口、記憶體周期、隱形瓶頸、銅退光進以及「10年需求能見度的彌天大謊」

在市場沉浸於AI超大型雲廠商無休止資本支出預期的狂熱中，資深分析師一當市場沉醉於AI超級周期的狂熱敘事，資深分析師Mr. P潑下一盆冷水：所謂"十年需求能見度"不過是彌天大謊，雲廠商根本無力預測兩年後的走勢。真正的戰場已悄然轉移——明年記憶體支出或吞噬超大型雲廠商逾半資本開支，ABF載板供應缺口恐延續至2030年，燃氣輪機訂單更已排滿至十年後。GPU不再是唯一卡點，電力、封裝與記憶體才是掐住AI咽喉的隱形之手。針見血地指出：長達十年的需求能見... 在市場沉浸於AI超大型雲廠商無休止資本支出預期的狂熱中，資深分析師一針見血地指出：長達十年的需求能見度不過是「彌天大謊」，而真正扼住AI咽喉的，早已不是單純的GPU數量，而是昂貴的記憶體帳單、落後的電網以及被忽視的ABF載板環節。 9月26日，在最新一期的Logan Jastremski播客節目中，長期跟蹤AI基礎設施建設的匿名分析師、P Equity Research背後的操刀人Mr. P作為嘉賓出席。當前，以大模型為核心的AI戰局正從模型參數比拚延伸至底層基礎設施的終極角力，超大型雲廠商（Hyperscaler）每年數以兆計的資本支出去向，成為全球投資者最關注的焦點。在這場超過一小時的深度對談中，Mr. P基於詳實的數據與產業鏈調研，對AI算力缺口、記憶體大周期、光電之爭以及地緣博弈等核心議題給出了冷思考與去魅化解讀。 「十年需求能見度是謊言」，記憶體仍難逃繁榮與蕭條的周期宿命
科技#資本支出#算力瓶頸#AI基礎設施
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記憶體晶片，新變局！

儲存製造，重新回到美國？ 美國曾經在儲存領域擁有絕對的主導權。如果把時間拉回二三十年前，美國其實是全球儲存產業最重要的發源地之一。 英特爾、美光、AMD、閃迪，以及後來從AMD和富士通快閃記憶體業務中發展起來的Spansion（飛索半導體），都曾是全球儲存產業的重要力量。 但在之後漫長的產業整合中，美國儲存產業發生了明顯分化。
記憶體晶片，新變局！
科技#儲存晶片#美光#三星
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美光被裁定侵權！

9月23日消息，近日德國慕尼黑法院就長江存儲訴美光專利侵權案作出裁決，認定美光侵犯長江存儲兩項德國實用新型權，並頒發禁令，判令美光停止在德國銷售相關侵權產品！ 這是雙方專利戰自 2023 年 11 月全面爆發以來，長江存儲在全球範圍內取得的首個實質性禁令勝利。此次裁決涉及的兩項德國實用新型分別為： DE202020006166U1，名稱為“三維儲存器件的階梯結構”（案件號 7 O 12615/25）； DE202021004551U1，名稱為“三維 NAND 儲存器中字線接觸的阻擋層”（案件號 7 O 12614/25）。
美光被裁定侵權！
美股#美光科技#專利侵權#長江存儲
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長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點

近日長鑫存儲（CXMT）在合肥舉行的 2026 世界製造業大會上宣佈，其第五代 DRAM 技術平台（G5 平台）實現量產。公司稱這標誌著工藝微縮取得新突破，並同步展出兩款基於該平台的 LPDDR5X 產品。 G5 平台的關鍵工藝指標 據長鑫存儲披露，G5 平台採用創新的四重曝光（SAQP）技術，把記憶體陣列有源區半間距微縮到 11.95 納米，接近全球最先進的量產記憶體平台。同時，儲存電容深寬比達到 45:1，核心功能區高度縮小到 6762 納米，並採用適配 DRAM 的高介電常數金屬柵（HKMG）工藝。 按行業慣例，有源區半間距是衡量 DRAM 密度的通用標尺。三星、SK 海力士最先進的 1x 納米級 DRAM 大致處於同一區間，美光的 1γ 節點也在相近水平。
長鑫存儲 G5 平台量產，中國DRAM 逼近頂尖節點
A股#長鑫存儲#G5平台#中國製造
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長鑫正在從“國產替代”，走向全球DRAM第四極

最近長鑫有三個動作，我覺得應該放在一起看。 9月7日，LPDDR6在旗艦手機實現量產商用；9月20日，第五代DRAM技術平台G5宣佈量產；再往前，媒體披露長鑫已經開始小批次生產HBM3E，平頭哥、寒武紀等國內AI晶片廠商正在測試。 這三件事指向的是同一個變化： 長鑫正在從“有沒有國產DRAM”，進入“能不能做高端DRAM”的階段。
A股#長鑫存儲#DRAM
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黃仁勳又套現了

LP募資情報 廣東戰新一號產業投資合夥企業成立 出資額約165億 近日，廣東戰新一號產業投資合夥企業(有限合夥)成立，出資額約165億元，經營範圍包含：以私募基金從事股權投資、投資管理、資產管理等活動。股權穿透顯示，該合夥企業由廣東省戰略性新興產業投資引導基金有限責任公司、廣東省半導體及積體電路產業股權投資基金二期合夥企業(有限合夥)、廣東省科技創業投資有限公司等共同持股。（企查查） 投融資動態
科技#重點新聞#黃仁勳#輝達
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長鑫記憶體據報進軍快閃記憶體市場，將挑起與三星、長江儲存的競爭

路透援引三位知情人士透露，長鑫記憶體正準備進入由三星電子等外國競爭對手主導的處於爆發期的快閃記憶體晶片市場。在全球記憶體晶片短缺的大背景下，此舉將進一步擴大其客戶群體。這也意味著，這家動態隨機存取記憶體器(DRAM)晶片領域的專家將與國內競爭對手長江記憶體展開正面交鋒，正式跨入半導體行業增長最為迅速的細分領域之一。 人工智慧伺服器的強勁需求導致了全球記憶體晶片短缺，行業高管普遍認為這一現象將至少持續至2027年。SK海力士CEO在7月份表示，從供應角度來看，2027年可能會是該行業最為嚴峻的一年；而集邦諮詢(TrendForce)則預計，NAND快閃記憶體的供應緊張狀況要到明年下半年才有可能有所緩解。 兩位知情人士透露，長鑫記憶體計畫在其位於北京的新廠房內建立一條NAND快閃記憶體研發生產線。另有一位知情人士表示，該公司還在北京設立了一家研究院，其中的研究項目就包括NAND快閃記憶體的開發。第三位知情人士透露，長鑫記憶體已與其客戶討論了NAND快閃記憶體發展計畫，其中包括一家新成立的初創公司，該公司打算採購長鑫記憶體的NAND晶片，用於AI系統及超級電腦所需的記憶體產品中。不過，該知情人士拒絕透漏這家初創公司的名稱。目前尚不清楚該研發生產線將於何時投入運行，也不清楚長鑫記憶體是否打算從研發和試產逐步過渡到大規模的商業化量產。 根據研究機構集邦諮詢的資料，按營收計算，三星電子在第二季度是全球最大的NAND快閃記憶體供應商，市場份額達到29.3%。SK海力士排名第二，緊隨其後的是美國的美光科技。 (格隆匯電報)
科技#長鑫科技#快閃記憶體#三星電子
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馬斯克的算力供應鏈：中際旭創、長江存儲入局

10GW、250萬顆GPU、2027年倒計時。今天，來揭開馬斯克算力帝國最真實的情況。 xAI正全力衝刺2027年10GW算力目標，但擴張節奏驚人（2026年底2.5GW → 2027年9月8GW）的同時，記憶體、冷水機組、開關櫃等關鍵環節已亮起紅燈，10月將是一次生死評估。 一、目標有多狂？數字說話 專家透露，xAI團隊當前的核心目標非常明確。支援公司在2027年建成10 Gigawatts算力，部署在田納西州孟菲斯和德州。其中10至12GW落在孟菲斯，另外10GW規劃在德州。
科技#馬斯克#AI算力#供應鏈