6月23日（周二）美股開盤，AI產業鏈全線殺跌。 費城半導體指數盤中一度重挫7.6%、縮小後仍跌約7.3%，納斯達克100指數若維持當日跌幅，市值將蒸發超過1兆美元。 表面看，這是市場對AI高估值的又一次”清算”；但拆開盤面會發現，真正放大這輪下跌的，並非基本面的突變，而是一個被槓桿和擁擠交易繃得過緊的”交易結構”自我踩踏。 盤面：儲存晶片成重災區，輝達市值跌破5兆

就在剛剛，輝達官網突然發佈三個重要消息： 1、公佈業界首個面向機器人、自動駕駛和物理AI的全端式綜合安全系統Halos 2、輝達今天在ISC高性能計算2026上宣佈推出，基於為科學領域提供世界一流的超級電腦的NVIDIA Vera Rubin 平台，以及採用Grace Hopper超級晶片和Quantum-X800 InfiniBand 網路下，德國於利希研究中心公佈了歐洲第一台百億億次級超級電腦JUPITER。 3、今早第四屆鏈博會上，輝達CEO黃仁勳線上發表演講，指出中國是全球重要的科技與產業中心之一，超過160萬中國開發者、超過110家客戶與生態合作夥伴基於輝達平台進行開發，為製造業、物流、機器人、能源、醫療及科學領域打造實用的AI技術。

▶  晶片封裝正從有機走向玻璃，英特爾、台積電、三星都已入場。 圖：高世代顯示玻璃基板原片（工業裸片堆疊）來源：unsplash 如果你拆開一部智慧型手機或一台AI伺服器，會看到電路板上嵌著一塊塊黑色的晶片。但很多人不知道的是，晶片和電路板之間還有一層薄薄的“基板”，它就像一座橋樑，負責把晶片上極其微小的電路引腳“轉接”到電路板上。沒有它，晶片焊不上去，訊號也傳不出去。 就這麼個不起眼的東西，正在經歷一場從材料底層開始的深刻變革。

數說鏈博會新亮點 鏈博會是全球首個以供應鏈為主題的國家級展會。今年參展單位從首屆的515家增至676家，外資參展商佔比達36.5%，世界500強及行業龍頭企業參展比例超65%，連同上下游合作夥伴，實際參展商有望超1200家。· △點選圖片查看鏈博會新亮點 本屆鏈博會設定數智科技鏈、先進製造鏈、綠色農業鏈、健康生活鏈、智能汽車鏈、清潔能源鏈六大鏈條和一個供應鏈服務展區。首次設立的人工智慧專區聚集輝達、英特爾、高通等領軍企業，全鏈條展現從資料採集、智能計算到場景落地的完整生態。

玻璃基板作為下一代先進封裝的核心材料，正在經歷從實驗室到產業化的關鍵跨越。隨著AI算力需求爆發式增長，傳統有機基板和矽中介層在熱膨脹係數匹配、大尺寸平整度、高頻訊號傳輸等關鍵指標上已逼近物理極限，難以支撐未來AI晶片的千瓦級功耗和兆電晶體規模。在此背景下，玻璃基板憑藉低熱膨脹係數（3-5ppm/℃）、低介電損耗（僅為矽的1/3）、高平整度等天然優勢，正成為先進封裝領域的"聖盃"，引領一場從"材料"到"封裝"的革命性技術變革。2026年被業界普遍視為玻璃基板商業化驗證的元年，全球半導體巨頭如英特爾、台積電、三星等已明確將其納入核心路線圖，國內產業鏈也正從單一企業樣品研發加速向全鏈條協同突破。 一、玻璃基板在先進封裝中的技術優勢與應用場景 1. 技術優勢：突破傳統封裝材料物理極限 玻璃基板與傳統封裝材料的核心性能對比

當英特爾CEO開始談材料 陳立武上No Priors播客那天，是他接手英特爾14個月以來最坦誠的一次公開對談。他說得很直白：半導體到了一個轉折點。 英特爾已經量產18A，正推進14A，能看到10A甚至7A的技術路徑。電晶體還能繼續做小，這件事英特爾比任何人都想相信。但陳立武在播客裡說，"這條路會越來越貴、越來越困難。" 然後他給出了自己的答案。不是繼續堆電晶體，是回到材料。五個方向：氮化鎵和碳化矽，解決電源管理和功率轉換；磷化銦，解決晶片間光互連；玻璃基板，替代翹曲到極限的有機基板；人造鑽石，用五倍於銅的熱導率解決3D堆疊晶片的終極散熱。

SpaceX並未在招股書中披露其太陽能陣列改採用的具體技術路徑，但“所有線索都指向中國”。 2017年9月，在澳大利亞阿德萊德國際宇航大會（IAC）上，馬斯克展示了一份39頁的PPT，主題是“Making Life Multiplanetary”（讓生命多行星化）。台下有禮貌的掌聲，也有藏不住的質疑。有人認為那是“最瘋狂的”，也有人覺得那是“最忽悠的”。 近九年後，這份PPT被重新翻了出來。笑談的味道淡了，因為人類歷史上最大IPO的主角就出自這份PPT。 台北時間6月12日晚間，SpaceX正式登陸納斯達克，股票程式碼“SPCX”。每股定價135美元，基礎募資750億美元，若全額行使超額配售權，總募資規模將達862.5億美元——這不僅是美國歷史最大IPO紀錄，也將沙烏地阿拉伯阿美2019年含綠鞋的294億美元募資額遠遠甩在身後。

如果把一台 AI 伺服器比作一座摩天大樓，原材料就是這座大樓的鋼筋、水泥和地基。 矽片是一切的起點。沒有一塊純度達到 11 個 9 的矽片，再先進的晶片設計也無處安放。 光刻膠像一層感光相紙，把電路圖案記錄在矽片上；特種氣體負責刻蝕和沉積，在晶圓表面完成各種化學加工，把不要的材料刻掉、把新的材料沉積上去；在物理氣相沉積（PVD）裝置裡，高能離子像炮彈一樣轟擊靶材，把靶材上的金屬原子一個個撞飛出來，沉積到晶圓表面形成晶片內部複雜的金屬互連；CMP 則像最後的拋光工，把每一層結構磨到原子級平整，讓數百億個電晶體能夠不斷向上堆疊。 幾百道工序不斷重複，最終在一塊指甲大小的晶片裡，建起數百億個電晶體。當晶片終於製造完成，真正的工程才剛剛開始。