NAND Flash行業的層數軍備競賽，今天又多了一個新刻度。三星電子完成了全球首個900層V-NAND原型開發，將兩塊450層晶圓通過鍵合技術合二為一——這不是數位遊戲，是一次架構哲學的徹底轉向。 當單層堆疊觸碰物理極限，行業給出的答案是：換維度。 "當你無法再往高處蓋，就把兩棟樓頂端對接。問題是，這兩棟樓必須在奈米級精度下完美契合。" 🔬 CMB技術：不是堆層數，是堆架構

過去兩年，市場談儲存，幾乎都在談 HBM、DDR5 和 AI 伺服器。 但這篇摩根士丹利研報給出了一個很重要的反向視角： AI 資本開支越集中到 HBM、DDR5、高端 NAND，DDR4、NOR Flash、SLC NAND 這些“老儲存”的供給反而越容易被擠壓。 當需求沒有完全消失，而供給退出更快時，老產品就不再只是落後資產，而會變成階段性稀缺資產。

這輪AI，不只是GPU緊。 更值得注意的是，資料中心已經開始搶記憶體和儲存。 全球主要雲服務商全年資本開支預計達到7250億美元；自2月底以來，DRAM現貨價漲約25%，NAND快閃記憶體漲約18%；大客戶鎖儲存供應，周期最長已經到5年。 這幾個訊號放在一起，儲存這輪行情就不只是“價格又漲了”。更關鍵的變化是，AI資料中心開始把未來幾年的記憶體和儲存產能提前鎖走。

NAND快閃記憶體重大突破 三星電子有望重新確立其在全球儲存晶片市場的技術主導地位。 據韓國電子新聞報導，三星電子近期成功實現全球首個900層級V-NAND原型系統，並驗證了正常的單元運作特性。這一成果意味著三星在研發階段一舉跨越至900層高地，而當前量產市場的最高紀錄仍停留在321層。消息公佈後，業界普遍認為三星已在下一代NAND技術競爭中搶佔有利位置，同時為應對中國廠商的價格與產能攻勢構築起更高的技術壁壘。 三星不僅在量產端推進第十代V-NAND（V10，400層以上）的準備工作，同時在研發端實現跨代式領先，雙線並進的佈局有助於鞏固其在AI伺服器及端側AI儲存市場的長期競爭力。

在 A 股學習了這麼多年的半導體、儲存股票，天天盯著 SSD、NAND、HBM 的行情漲跌反覆橫跳，K 線圖倒背如流，但你能說清楚它們分別長什麼樣、在硬碟上待在那個位置嗎？ 看似高大上的固態硬碟，拆開薄薄的 PCB 電路板，上面幾顆黑乎乎的晶片藏著整個儲存行業的核心邏輯。 今天教你只憑外觀、位置、長相，帶大家輕鬆看懂 SSD 三大核心角色：主控、NAND 快閃記憶體、HBM 高頻寬記憶體，看完本文後面你看實物一眼就能分清。 01 SSD_主控晶片介紹

三星電子成功實現全球首個900層V級NAND原型技術，向“千層NAND時代”又邁進了一步。在與競爭對手激烈的堆疊技術競爭中，三星電子憑藉這一突破迅速確立了顯著的技術領先優勢，備受讚譽。 據半導體行業25日報導，三星電子近期成功實現了採用“單元多重鍵合（CMB）”技術的900層V級NAND整合系統，該技術將兩片450層單元晶圓鍵合為一體。 NAND快閃記憶體是人工智慧伺服器、智慧型手機和資料中心固態硬碟（SSD）的核心元件，用於儲存資料。如同建造公寓樓一樣，堆疊層數越多，容量越大，在有限的晶片尺寸內即可儲存更多資料，同時最大限度地提高能效。這項技術被認為是三星電子在人工智慧伺服器和終端人工智慧市場佔據主導地位的關鍵，因為在這些市場中，高容量和高效率的元件至關重要。 目前，SK海力士憑藉其321層的4D NAND快閃記憶體在量產市場佔據層數最高的地位。然而，三星電子通過同時推進其第十代V-NAND（V10，超過400層）的量產，並在研發階段迅速突破900層大關，從而在下一代NAND市場中佔據了有利地位。

5月25日行業最新消息，三星電子完成全球首款900層V級NAND快閃記憶體原型晶片研發。 這次技術突破，直接改寫全球3D NAND快閃記憶體堆疊賽道的競爭格局。 三星本次採用單元多重鍵合CMB工藝，將兩片450層晶圓鍵合整合，成型900層完整整合系統。 3D NAND快閃記憶體可以類比高層樓宇，堆疊層數越高，單顆晶片儲存容量越大。

據Blocks & Files報導，華為於5月20日至21日在巴黎舉行的ID Forum 2026活動上展示了基於自研Die-on-Board（板上裸片封裝，DoB）封裝技術的大容量SSD系列。 其中一款面向AI推理和資料中心的全新SSD提供61.44TB與122.88TB兩種容量，而且華為未來還計畫推出245TB版本。 據此前報導，華為在去年 8 月發佈了三款全新 AI SSD 產品，其中 LC560 就曾承諾推出最大 245TB 的容量。 DoB封裝技術的創新背景