鎧俠首發BiCS10 3D NAND 332層選擇背後的真實算盤 7月2日到3日之間，鎧俠（KIOXIA）連續對外公佈了一件事：其第10代BiCS FLASH 3D NAND技術，也就是行業俗稱的BiCS10，已經開始向客戶送樣。產品形態是1Tb（terabit）TLC顆粒，生產地點鎖定在岩手縣北上工廠Fab2。日經隨後補充了一個更關鍵的時間點——量產目標定在2027年。 這條新聞表面上是又一次工藝代際升級的例行播報，但拆開看，裡面藏著鎧俠在層數競賽裡的一次公開表態，也藏著整個NAND行業在AI儲存需求爆發下的結構性變化。 參數速覽

韓國剛公佈一筆規模驚人的儲存投資，Meta又說要把閒置算力賣給外部客戶。市場很快聯想到擴產和算力過剩，但短期內不會多出一片晶圓，也不會少裝一台伺服器。 這兩個消息看起來都指向“資源太多了”：韓國企業準備投入巨額資金建設產能，Meta的資料中心已經有算力可以對外出租。但晶圓廠從規劃到出貨要走很多年，算力出租也只是把伺服器的空閒時段填起來。韓國談的是十年後的產能，Meta處理的是今天機房裡的利用率，眼前的DRAM、NAND和HBM供需沒有因此鬆動。 01| 韓國的錢很多，新晶圓還要等很久 韓國儲存企業、關聯公司與政府公佈的中長期投資合計約4800兆韓元，其中約3700兆韓元直接與儲存有關。公告沒有列出清晰的投產表，資金也不會一次性變成廠房和裝置。新的生產基地要先找到土地，拿到穩定的電力與水，再建設無塵室、搬入裝置、偵錯產線，最後才輪到良率爬坡。

1.三星的交易錨變寬了。 近期材料同時給出3條新證據：高盛披露三星到2040年國內投資W2,450tn，其中約W2,100tn投向半導體；花旗把64GB DDR5 RDIMM 4Q26E價格上修到1805美元；韓國出口資料又顯示三星HBM相關材料進口同比增長76%。這說明三星不再只靠HBM認證修復折價，伺服器DRAM、NAND/eSSD和長期資本開支也在一起進入估值框架。 2.伺服器DRAM是短期利潤鑰匙。 花旗把2026年全球DRAM和NAND均價增速上修到234%和236%，並把三星2026/2027年營業利潤預測上調到W401tn/W517tn。真正重要的不是目標價從W460k升到W530k，而是64GB DDR5 RDIMM從2Q26E的1310美元走向4Q26E的1805美元，給未來2個季度利潤表提供了最直接的驗證線。 3.W2,450tn投資不是簡單擴產利空。 高盛估算，如果包含研發支出，三星未來15年國內資本開支和研發約合每年W163tn，隱含2029-2040年約5-6%的長期增長率，並不算激進。風險不在於投得多，而在於錢是否投向HBM、先進DRAM、SOCAMM2、eSSD和客戶鎖供產能；一旦普通產能先釋放，重估會重新被周期折價壓住。 4.HBM材料進口給追趕故事增加實物證據。 韓國科技出口追蹤顯示，日本至華城/平澤的塑料薄膜進口5月同比增長76%、年初至5月同比增長61%，高盛把這視作三星HBM出貨規模的代理指標。這個資料不能替代關鍵客戶認證，但它讓“HBM只停在故事裡”的反方壓力下降，也解釋了為什麼2027年HBM價格預期被上修到同比增長44%。

當地時間7月3日，鎧俠宣佈，其第十代BiCS FLASH 3D NAND晶片已送樣。 據日經新聞報導，鎧俠預計在2027年啟動量產。 第十代NAND是鎧俠迄今技術規格最高的快閃記憶體產品，將應用於資料中心的固態硬碟產品線中，以滿足日益增長的AI儲存需求，並將採用鎧俠位於日本岩手縣北上工廠Fab2的先進裝置進行生產。 鎧俠介紹，通過利用CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術以及OPS（間距選擇柵極漏極）技術，新產品實現了4.8Gb/s的NAND介面速度。與第八代產品相比，性能提升了33%；通過堆疊332層並提高橫向密度，新產品位密度提高了59%（產品密度是指產品內部儲存晶片的密度，而非終端使用者可用於資料儲存的記憶體容量）；此外，寫入和讀取的功耗效率分別提高了18%和30%，有助於降低資料中心和企業基礎設施的能耗。

SK海力士計畫在忠清地區投資100兆韓元，建立NAND快閃記憶體生產基地和先進封裝基地。該公司認為，隨著人工智慧（AI）服務的普及，不僅對高頻寬記憶體（HBM）、伺服器DRAM，而且對企業級固態硬碟（SSD）和NAND快閃記憶體的需求都在增長，因此計畫將清州打造為新的投資中心。 SK海力士首席執行長兼總裁郭魯正於2日出席了在忠清南道三星顯示器峨山園區舉行的“忠清地區先進產業發展願景國家簡報會”，並公佈了包含上述細節的“忠清地區半導體和人工智慧投資計畫”。郭魯正總裁宣佈該計畫後，SK海力士通過其新聞中心進一步闡述了在忠清地區建設清州M17晶圓廠、P&T7工廠以及人工智慧資料中心的計畫。 SK海力士將在清州投資100兆韓元。其中80兆韓元將用於建設M17工廠，該工廠將生產NAND快閃記憶體；另外20兆韓元將用於建設P&T7工廠及其他先進封裝設施。M17工廠計畫於明年開工建設，目標是在2029年上半年投產。P&T7工廠預計將於2027年底竣工，屆時將成為先進封裝中心。 郭社長表示：“NAND快閃記憶體的需求正在迅速增長，但供應不足，因此一定規模的擴張勢在必行。”他還補充道：“清州是建設NAND快閃記憶體工廠最快捷、最高效的地方。”

🧠 核心洞察 儲存行業正在經歷一場由算力霸權主導的“硬通貨化”洗禮，過去數十年周而復始的“價格暴跌-減產-暴漲”循環已被AI算力吞噬，儲存器正在從大宗商品蛻變為軍備競賽的底層基建。 美光科技（Micron）最新披露的財報資料徹底撕碎了市場的傳統認知。IDC長久以來預測的儲存市場結構性轉型，如今已不再是PPT上的預測曲線，而是直接砸在利潤表上的真金白銀。美光連續第五個季度刷新歷史紀錄，單季營收飆升至415億美元，同比暴漲346%，毛利率更是達到了令人咋舌的84.9%。 這絕非傳統意義上的“周期見頂”，而是一場深刻的超級重定價。

前面幾篇，我們主要在講 DRAM。DRAM 是運行記憶體。電腦開機後，程序和資料會被載入到 DRAM 裡，CPU、GPU 再從裡面快速讀取。它速度快，適合程式執行，但有一個很明顯的特點：斷電後資料會消失。 那另一個問題就來了。手機關機以後，照片為什麼還在？電腦斷電以後，SSD 裡的檔案為什麼不會丟？U 盤拔下來放幾個月，再插回電腦，裡面的資料為什麼還能讀出來？這背後依賴的，就是另一類非常重要的儲存晶片：NAND Flash。 如果說 DRAM 是執行階段的工作台，那麼 NAND Flash 就更像長期倉庫。DRAM 負責讓程序跑起來，NAND 負責讓資料留下來。 這篇我們就從最基礎的角度講清楚：NAND Flash 到底怎麼存資料？為什麼它斷電後還能保存資料？為什麼 SSD、U 盤、手機機身儲存都離不開它？

1000兆韓元，約等於韓國一整年GDP的一半。擴產=過剩？資料告訴你恰恰反過來。 周一下午，青瓦台。 李在明把三星會長李在鎔、SK會長崔泰源叫到一起，宣佈了一個數字：未來十年，1000兆韓元。 換算成美元是6480億。這個數字大到什麼程度？約等於韓國一整年GDP的一半。一個國家，押上半個家底去賭晶片。