眾所周知最近全球儲存晶片漲出了天價。普通儲存晶片價格漲了 4 倍，甚至又漲到 6 倍，儲存晶片企業賺了大錢，股價一路上漲，甚至韓國要投入兆美元發展儲存晶片。整個產業進入了瘋狂狀態。 我看這是作死的節奏，這些儲存晶片企業正在把自己搞死。3~5 年，我們就會看到結果。 這件事情基本上是 2021 年全球晶片產業的重現。大家都記得 2021 年的時候全球晶片短缺。並不是晶片產能不足，也不是晶片需求大規模增加。而是美國打亂了世界晶片產業的節奏。在這樣的背景下企業大規模囤貨。其實當時我自己也囤了 100 萬片晶片。同時也有炒家囤貨，就造成了晶片短缺。 其實原來晶片缺口也不過是 30% 左右，因為炒家的加入和大量的囤貨，晶片缺口變成了百分之百，甚至更高，一塊 2 元的晶片，價格漲到了 20 元。

根據TrendForce最新記憶體產業研究，由於記憶體大廠的產能規劃持續傾向HBM、高層數3D NAND等高附加價值產品，排擠NOR Flash、SLC NAND依賴的成熟製程產能，然因需求穩定，已激勵上半年NOR Flash、SLC NAND累積合約價漲幅分別突破100%。由於供應商未有大規模擴產計畫，預估下半年兩項產品的價格將隨供需緊張而繼續調升。 TrendForce說明，NOR Flash的核心價值為即時執行（XIP）能力與高穩定性。在汽車電子領域，隨著自動駕駛輔助系統、智能座艙等功能升級，車載韌體容量快速膨脹，高密度NOR Flash已成關鍵元件。邊緣AI裝置部分，過去容量僅需數十MB的系統程式，因AI模型本地化運算需求增加，需求往往倍數成長，帶動256Mb以上高容量NOR Flash需求快速提升。此外，在工控、衛星通訊及航太裝置等領域，NOR Flash的高可靠特性難以由其他技術取代，形成穩定且高毛利的需求基礎。 SLC NAND則因高P/E壽命、極低錯誤率、長期資料保存能力、寬溫運作特性，成為許多高可靠度系統的唯一選擇。近年智能工廠、機器人、自主移動裝置以及高階網通交換器等產品大量匯入即時推論（Inference AI）功能，推升對高可靠度儲存系統需求。企業級server與資料中心則持續使用SLC NAND作為作業系統開機碟（Boot Drive）及高頻寫入緩衝區（Write-intensive Buffer）。在醫療影像裝置、軍工電子、航太系統等對資料錯誤幾乎零容忍的環境，SLC NAND更有不可替代的市場地位。 TrendForce表示，2026年上半年終端對記憶體產品需求逐步恢復，加上AI相關應用快速成長，大幅消耗市場有限的供給，NOR Flash率先出現交期延長與配貨（Allocation）現象，合約價平均累積漲幅將達100-120%，高容量產品漲勢更顯著。 SLC NAND則因部分國際大廠陸續退出小容量及成熟製程產品，供給明顯萎縮，工控、車用及網通客戶又開始建立長期安全庫存，導致第2季出現明顯的恐慌性備貨潮，上半年價格平均累積漲幅將達130-150%。

一、價格走勢：2026年全面進入加速通道 2026年儲存晶片漲價已非普通行業周期波動，而是由AI算力需求引爆的"儲存超級周期"持續深化。在2025年第四季度儲存價格飆升40%以上的基礎上，2026年各品類價格進一步全面跳漲。 按季度拆分，機構預測價格走勢如下： Q1實際漲幅超出原預期。TrendForce最初預計DRAM季增55%–60%、NAND季增33%–38%，後在1月全面上修至90%–95%和55%–60%。華爾街投行Wedbush指出，2026年上半年價格漲幅將達"三位數"，部分產品半年漲幅或超150%。

3月5日上午，據中國青年報報導，全國人大代表、小米集團創始人雷軍表示，AI需求暴漲引發儲存晶片價格暴漲，他說：“我們的手機業務面臨很大壓力，會想各種辦法，儘量降低消費者的接受難度。”圖片來源：視覺中國這已經是近期雷軍在公開場闔第三次談晶片漲價。2025年10月在回應Redmi K90系列手機漲價問題時，雷軍就曾表示“最近記憶體漲價實在太多”，直言產品價格調整源於上游儲存晶片成本上漲，作為手機廠商難以完全消化成本壓力，需通過價格調整應對。公開資訊顯示，去年10月，Redmi發佈K90全系售價較上一代上調300-600元不等，引發使用者討論。面對市場反饋，小米此後迅速調整策略，宣佈K90標準版12GB+512GB版本在首銷月內直降300元，售價調整為2899元。2026年1月在直播中，談及新車型成本時，雷軍再次直言，儲存晶片價格按季度上漲，2025年第四季度漲幅達40%-50%，預計2026年第一季度繼續上漲，若按此趨勢，僅車用記憶體全年成本可能增加數千元。國家發展改革委價格監測中心2月28日發佈的資料顯示，截至2026年1月，全球儲存晶片兩大主要產品DRAM（記憶體）和NAND快閃記憶體價格均創下自2016年有統計資料以來的最高值。以主流型號DDR4 8Gb顆粒為例，部分型號的現貨價格更是從2025年低點的3.2美元飆升至15美元，累計漲幅高達369%。據供應鏈的最新消息，兩大儲存巨頭三星電子與SK海力士已向客戶下發通知，2026年第二季度或繼續大幅上調DRAM記憶體價格，DDR5顆粒統一漲價約40%。而兩者產量合計佔據全球DRAM市場超七成份額。自2025年9月以來，儲存晶片價格便開啟了持續攀升模式，其中DRAM（記憶體）和NAND快閃記憶體兩大核心產品價格漲幅尤為驚人。小米集團合夥人、總裁盧偉冰在2025年11月的財報電話會上表示，此次儲存價格上漲是“偏長的周期”，主要驅動力來自AI技術革命帶來的HBM（高頻寬記憶體）需求激增，而非傳統的手機、筆記本行業周期波動，預計要到2027年才可能有新的產出。據藍鯨新聞報導，多位業內人士表示，“今年3月是手機漲價的關鍵節點，此前上市的機型調價幅度相對溫和，但3月之後發佈的新品，漲價幅度將明顯擴大，最低漲幅不會低於1000元，中高端旗艦機型漲幅可能達到2000-3000元。”另據21世紀經濟報導，儲存晶片漲價或導致千元手機減產。一名儲存行業從業者稱，規模較小、產品定位多集中在千元價位段的廠商會面臨更大壓力。Omdia分析師鐘曉磊也表示，儲存漲價對於物料成本影響較大，導致100美元以下機型可能不得不面臨漲價的情況。而對於200美元以上的機型而言，雖然可以通過外圍配置的取捨，以及對管道補貼、行銷等費用的調整抵消成本上漲，但配置上的取捨也意味著在一定程度上會影響2026年AI手機的進一步下沉。富國銀行分析師在一份研究報告中也表示，由於資料中心和人工智慧（AI）應用的需求飆升，全球範圍內記憶體晶片短缺加劇，手機和汽車製造商可能面臨新的成本壓力和潛在的供應中斷。富國銀行還預計，明年全球DRAM需求將增長約26%，而供應預計僅增長約21%，這意味著供應缺口約為14%。報告稱，“隨著手機和汽車行業最大的供應商美光科技、三星和SK海力士等半導體製造商將產能分配給增長更快、利潤更高的資料中心市場，手機和汽車製造商、供應商可能被迫支付更高的價格以確保供應。”摩根士丹利在今年1月發佈的研究報告中指出，傳統儲存晶片供需缺口正持續擴大，2025年第二季度至2026年，行業將迎來新一波超級周期，DDR4等記憶體產品供應緊張態勢加劇。“2026年1月，頭部企業對DDR4採購態度積極，受供應限制，其一季度價格漲幅可能達50%，漲勢將延續至二季度，將波及手機、汽車等行業。”上述研究報告顯示。 (介面新聞)

2月28日，國家發改委價格監測中心發文《儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導》2025 年 9 月至今，受 AI 需求爆發、儲存巨頭減產保價、產能緊缺及下游囤貨推動，DRAM、NAND 價格暴漲並創歷史新高。漲價已傳導至電腦、手機等終端，年內漲勢或延續，將帶動電子製造 PPI 走穩、通訊工具 CPI 回升，需持續關注下游價格影響。全文如下：標題：儲存晶片價格持續上漲並向下游傳導2025年9月至今，受需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球儲存器市場缺口擴大，儲存晶片價格持續上漲，近1個月多以來，漲幅呈現擴大態勢，建議關注儲存晶片對下游價格的影響。一、近期儲存晶片價格大幅快速上漲調研反映，截至今年1月，儲存晶片兩大主要產品DRAM和NAND快閃記憶體價格均創2016年有資料以來最高。以主流型號為例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比上月上漲約24%，比2025年9月上漲約83%；NAND快閃記憶體（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比上月上漲約65%，比2025年9月上漲近1.5倍。從上漲原因來看，儲存晶片價格上漲主要受到需求“爆發式”增長、產能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。一是AI算力增長帶動高端儲存需求增加。集邦諮詢預計，2026年全球AI伺服器出貨量同比增長超28%，加上單台AI伺服器的記憶體需求達到傳統伺服器的8倍左右，AI伺服器、資料中心對高頻寬、大容量儲存晶片的需求將呈“爆發式”增長。同時，2025年四季度以來，智慧型手機等電子產品新款集中上市，對消費級儲存需求有所支撐。二是儲存巨頭生產策略疊加產能周期的剛性約束，加劇市場供應緊張。三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產能，頭部廠商採取“減產保價”“棄低追高”策略，將80%以上先進產能轉向高毛利率的高頻寬記憶體，減少成熟製程的產能比重，導致消費級儲存晶片供應緊缺。同時，儲存晶片擴產周期長，晶圓廠建設需1.5~2年，新增產能短期內難以釋放。三是矽片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。2025年，12英吋矽片、六氟化鎢、銀、銅等晶片製造原材料價格不同幅度上漲。此外，隨著市場看漲情緒升溫，消費電子、AI伺服器廠商、智能汽車等下游領域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。二、儲存晶片價格上漲將向下游傳導當前，儲存晶片正處於上漲周期。年內來看，在AI伺服器算力需求持續增長的帶動下，全球儲存晶片市場供不應求局面仍將持續，儲存晶片價格將延續上漲態勢。儲存晶片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端產品。隨著AI應用滲透率提升，消費者對高端化、智能化的消費電子產品的偏好增強，消費升級趨勢明顯，對記憶體性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調終端價格將成為普遍趨勢。目前聯想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發佈調價函，漲幅普遍在500~1500元之間，小米、vivo等國產新發售機型相同儲存配置版本價格較上一代上漲300~500元。受儲存晶片價格上漲及對下游的傳導影響，PPI方面，電腦、通訊及其他電子裝置製造業分項價格有望止跌走穩，對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面，疊加提振消費政策效果持續顯現，通訊工具分項價格將繼續回升。 (芯榜)

三星電子和SK海力士近期成功將供應給蘋果的低功耗DRAM價格較上季度提高近一倍，標誌著全球最大智慧型手機製造商之一在記憶體供應緊張局面下也不得不接受大幅漲價。AI圖片分析認為，這一價格調整打破了蘋果長期以來憑藉市場地位獲取低價記憶體的慣例，凸顯當前記憶體市場供需失衡的嚴峻程度。1月27日，據韓國媒體zdnet報導，三星電子在與蘋果的談判中提出一季度LPDDR晶片價格上漲超過80%，而SK海力士的漲幅約為100%。蘋果去年iPhone出貨量約為2.5億部，是LPDDR的關鍵客戶。報告稱，記憶體價格飆升源於全球科技巨頭對AI基礎設施的激進投資推動DRAM需求激增，而供應商將產能重點轉向HBM（高頻寬記憶體），加劇了供應短缺。市場研究機構TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。據報導，業內人士透露，蘋果通常每年簽訂記憶體長期協議，但考慮到當前記憶體危機，今年僅完成了上半年的單價談判。隨著下半年iPhone 18等新品發佈，價格可能進一步上漲。消息出爐之後，SK海力士、三星電子午後漲幅進一步擴大，其中SK海力士漲超8%，三星電子漲近4%。01 供應緊張迫使蘋果接受大幅漲價三星電子和SK海力士在今年一季度與蘋果的談判中取得顯著成果。報導指出，據韓國業內消息人士透露，三星電子提出的LPDDR價格漲幅超過80%，SK海力士的漲幅則達到約100%。這是蘋果作為主要客戶首次在短期內接受如此大幅度的價格調整。據悉，LPDDR是一種相比標準DRAM更注重能效的記憶體類型，對包括智慧型手機在內的IT裝置至關重要。目前第七代LPDDR5X應用最為廣泛。蘋果憑藉每年約2.5億部的iPhone出貨量，一直是LPDDR市場的關鍵買家。報導指出，儘管價格大幅上漲，但蘋果支付的LPDDR價格並非市場最高水平。作為記憶體市場的主要參與者，蘋果長期利用其主導地位以低於其他公司的價格採購LPDDR。業內人士認為，此次談判顯著縮小了蘋果與記憶體供應商之間的價格差距。02 AI需求擠壓傳統記憶體供應記憶體價格急劇上漲的根本原因在於供需結構失衡。報導稱，全球大型科技公司對AI基礎設施的大規模投資推動DRAM需求激增，而三星電子和SK海力士等供應商將產能重點轉向利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM和LPDDR供應緊張。市場資料顯示，LPDDR5價格已在去年四季度上漲約40%。TrendForce預測，一季度通用型DRAM價格將環比上漲55-60%。一位業內人士表示："一季度的漲幅更大，整體漲幅至少達到60%。"如果蘋果的記憶體價格上漲得到全面反映，記憶體供應商一季度的整體盈利能力預計將進一步改善。這對於在去年經歷行業周期低谷的三星電子和SK海力士而言，意味著DRAM業務盈利能力在一季度實現最大化。03 下半年價格或繼續攀升與以往做法不同，蘋果今年僅完成了上半年的記憶體單價談判，而非簽訂全年長期協議。一位半導體業內人士解釋："蘋果通常每年都會簽訂記憶體長期協議，但考慮到最近的記憶體危機，據我瞭解，他們只完成了今年上半年的單價談判。"這一變化為下半年價格進一步上漲留下空間。該人士補充說："隨著下半年新產品的推出，價格可能會進一步上漲。"蘋果預計將在下半年發佈最新旗艦智慧型手機iPhone 18，屆時對LPDDR的需求將顯著增加。分析指出，短期合約的簽訂反映出當前記憶體市場的不確定性，也顯示蘋果在供應緊張環境下議價能力的減弱。對於三星電子和SK海力士而言，這意味著在下半年新一輪談判中可能獲得更大的定價主動權。 (華爾街見聞)

過去半年，全球儲存晶片價格持續上漲。特別是最近一個月，漲價消息越發密集。韓國三星電子公司、美國閃迪等主要廠商近期陸續通知客戶調整報價，現貨市場價格也在短時間內快速上行。最近一個月，晶片製造商美光股價累計上漲約60%，鎧俠與閃迪股價累計上漲均超過100%。9月下旬，韓國三星電子向主要客戶發出第四季度提價通知，計畫將部分DRAM價格上調15%至30%，NAND快閃記憶體價格上調5%至10%。美國晶片製造商美光在9月一度暫停部分儲存晶片報價，恢復報價後，新價格普遍上漲約20%。另一儲存晶片巨頭閃迪也已在9月上調NAND快閃記憶體報價，幅度約為10%，消費級與企業級產品均有涉及。隨著近年來生成式AI的快速發展，全球對高頻寬記憶體HBM的需求急劇增加。例如，OpenAI名為“星際之門”的資料中心項目預計每月需要高達90萬片晶圓，可能佔全球DRAM總產量的40%。而隨著儲存晶片產能逐步向計算卡、伺服器等高利潤、高附加值方向傾斜，傳統儲存類別如DDR4反而面臨供給緊張。業內人士分析，由於DDR4產能逐步被邊緣化，加上下游的個人電腦及部分工業裝置仍有穩定需求，短期市場出現供需結構性失衡，推動DDR4價格異常上行。現貨市場的劇烈波動也反映了這一問題。根據集邦諮詢公司彙總的資料，主流DRAM晶片現貨均價已連續三周漲幅超過5%，尤其是供應緊張的DDR4，價格在不到一個月內累計上漲接近30%，半年累計漲幅超過200%。另外，上游廠商的漲價潮已逐漸蔓延至中下游市場。儲存模組大廠威剛日前宣佈，停止DDR4報價，DDR5與NAND快閃記憶體優先供應主要客戶。資本市場對近期儲存晶片行情的變化給出了直接反饋，多家廠商股價持續刷新歷史最高值。最近一個月，美光股價累計上漲約60%，鎧俠與閃迪股價累計上漲均超過100%。分析師指出，隨著AI計算等需求持續強勁，以及儲存產能向高端方向集中，本輪漲價趨勢可能在短期內仍將延續。外資追捧助推三星電子和SK海力士股價大幅上漲作為全球儲存晶片領軍企業，SK海力士和三星電子在這一輪漲價潮中備受矚目。隨著AI技術飛速發展和廣泛應用以及AI伺服器、資料中心等AI基建的需求大增，近來儲存晶片供應緊張，全球儲存晶片市場正在經歷一場前所未有的價格風暴。根據韓國業內消息，三星電子或將於第四季度上調記憶體和快閃記憶體產品價格，部分產品上調幅度約達30%。同樣有觀測認為，SK海力士近期也將加入漲價行列。出於對市場前景和漲價後業績攀升等的高度期待，近期三星電子和SK海力士兩家公司的股價可謂一路高歌。截至節前最後一個交易日（2日）收盤，9月以來SK海力士股價暴漲約47%，公司市值更是首次突破288兆韓元（約合人民幣1.46兆元）；同期，三星電子股價累計漲幅約達28%。兩家公司本輪上漲行情主要得益於外資的追捧，資料顯示，外資對SK海力士和三星電子的持股比例分別在9月末和10月初增至今年以來最高水平。近日，韓國券商紛紛上調三星電子和SK海力士的業績展望，普遍預測SK海力士和三星電子第三季度的營業利潤均將突破10兆韓元，這或將成為SK海力士公司有史以來的單季最高水平。據瞭解，兩家公司將於節後發佈第三季度業績，本輪晶片價格上漲對公司營收和利潤的實際影響成為目前行業關注的最大焦點。值得注意的是，SK海力士和三星電子在全球HBM高頻寬晶片等高附加值晶片領域佔據絕對影響力。目前SK海力士已建成全球首個HBM4量產體系，三星電子也在加速擴建工廠，緊鑼密鼓地為HBM4量產做準備。同時，兩家公司還積極與國際知名AI大企業進行交流，先後在本月初和OpenAI就建構全球人工智慧基建簽署意向書，達成戰略合作關係。行業分析認為，今後兩家公司或將為OpenAI的“星際之門”項目供應晶片及其他裝置，由於規模龐大，預計此次合作或將成為公司股價和業績進一步上升的新引擎。人工智慧熱潮下儲存晶片行業將迎來“超級周期”從行業角度來看，摩根士丹利的最新研報預測，人工智慧熱潮下，儲存晶片行業預計迎來一個“超級周期”。市場需求高企的背景下，儲存晶片行業也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。晶片是一個很大的概念，要驅動人工智慧模型運轉，一方面需要負責運算的邏輯晶片，比如CPU、GPU這些處理器；另一方面同樣離不開能夠高速儲存和呼叫資料的儲存晶片。近期，摩根士丹利的最新研報就預測，人工智慧熱潮下，儲存晶片行業或迎來一個“超級周期”。儲存晶片主要分為兩大類：一類是動態隨機存取儲存器DRAM，它類似大腦的筆記本，容量大，可以用來臨時保存和呼叫資料；而在DRAM的類別裡，還有一種採用特殊封裝形式的高性能晶片，高頻寬儲存器HBM，它就像大腦的短時記憶，速度極快，專門用於AI的訓練和推理，因此也格外受到市場追捧；第二類則是NAND快閃記憶體，它類似大腦的檔案庫，也就是長期記憶，負責存放海量資料和模型參數。長期以來，儲存晶片其實一直是半導體行業裡“缺乏光環”的一方，相比之下，輝達、AMD等公司設計的邏輯晶片更受到市場矚目，但是如今情況在悄然變化。生成式AI熱潮導致高容量、高速晶片的需求激增，儲存晶片的兩大龍頭企業——三星和SK海力士正接獲大量訂單。儲存晶片行業也開始出現供不應求、漲價、轉變訂貨模式等一系列連鎖反應。摩根士丹利預測，到2026年NAND快閃記憶體將出現高達8%的供應缺口。摩根士丹利還預計，今年第四季度，動態隨機存取儲存器DRAM的價格將環比上漲約9%。由此摩根士丹利還將韓國半導體行業的評級上調至了“具有吸引力”，並將SK海力士的評級從“保持”上調至了“增持”。而在最受市場追捧的高頻寬儲存器HBM領域，現在每一塊HBM晶片都需針對特定的AI GPU定製，客戶需要提前一年下單，合同通常為一年期。這與傳統DRAM晶片形成了鮮明對比，後者可以隨時採購，甚至當天交付，並且容易更換供應商。新的訂貨模式不僅提升了供應穩定性，也顯著增強了儲存廠商的議價能力。花旗分析指出，HBM的毛利率約在50%到60%，而傳統的DRAM僅為30%左右。得益於市場對HBM晶片的需求，近期SK海力士在相關營收上首次超過了三星，打破了長期以來的行業格局。多數分析認為，未來五年HBM將繼續主導儲存晶片市場。不過也有分析人士提醒，儲存晶片本質上依然是一個強周期行業，價格高度依賴供需變化，未來還需警惕潛在的技術替代和需求波動。 (央視經)

9月17日消息，最近一段時間儲存晶片市場蠢蠢欲動，不論是記憶體還是快閃記憶體都在漲價，美光、閃迪等國際大廠已經行動。中國的儲存廠商也確認了這一波價格要上漲，江波龍公司在日前的電話會議上提到，根據第三方媒體報導，繼閃迪宣佈向所有管道和消費者客戶的產品價格調漲超 10%之後，美光決定暫停對DDR4、DDR5、LPDDR4X、LPDDR5X的報價，或對管道儲存產品大幅度調漲20%-30%。根據CFM快閃記憶體市場預測，隨著AI伺服器出貨規模持續擴大，下半年伺服器NAND市場備貨需求升溫，手機新品發佈將催生新一輪換機需求，疊加儲存晶圓原廠兼顧投入產出比的供應策略影響，四季度儲存市場價格將迎來全面上漲。據IDC資料，2024年中國企業級SATA SSD總容量排名中，江波龍公司位列第三，在國產品牌中位列第一，同時公司企業級PCIe SSD與RDIMM產品已開始批次匯入中國頭部企業。此外，江波龍還提到，截止至7月底，公司主控晶片全系列產品累計實現超過8000萬顆的批次部署，並且部署規模仍在保持快速增長。搭載自研主控的 UFS4.1產品正處於多家Tier1廠商的匯入驗證階段，全年來看，自研主控晶片部署規模將實現放量增長。 (國芯網)