Future Horizons 認為，全球半導體行業未來一年將面臨高度不確定性，預計2026 年市場增長率將在正負 12% 左右。該研究公司最新發佈的市場報告指出，2025年22%的增長率過於集中，並不代表整個行業的全面復甦。Future Horizons 表示，如果人工智慧基礎設施需求疲軟，智慧型手機和汽車等傳統市場未能反彈，半導體行業今年可能面臨急劇下滑。雪上加霜的是，關於晶片出貨量何時恢復、平均售價能否繼續上漲以及對傳統節點晶圓廠（尤其是在中國）的過度投資將如何影響市場等問題仍懸而未決。該研究公司將當前的AI熱潮與2020-2021年疫情引發的激增相比較，並警告稱，正如那輪周期戛然而止一樣，這一輪也可能如此。全球最大的晶片製造商台積電本周發表了更為樂觀的言論，稱人工智慧的繁榮是“真實的”，人工智慧驅動的需求“無論如何都將在未來很多年裡持續下去”。AI泡沫，可能在兩年內破裂目前強勁的半導體市場正受到人工智慧應用的推動。麥肯錫的一項調查顯示，到2025年，88%的企業將使用人工智慧，而2023年這一比例僅為55%。據Inc.com報導，在2025年第三季度財報電話會議上，標普500指數成分股公司中有306家提及了人工智慧，而三年前的2022年第三季度，提及人工智慧的公司僅有53家。世界半導體行業協會（WSTS）2025年12月的預測顯示，繼2024年增長20%之後，2025年半導體市場將增長22%，2026年將增長26%。這一增長主要由儲存器和邏輯器件兩大類別推動。儲存器預計在2025年增長28%，2026年增長39%；邏輯器件預計在2025年增長37%，2026年增長32%。剔除儲存器和邏輯器件類別後，半導體市場其他類別在2024年下降了3%，預計2025年僅增長6%。過去兩年，所有儲存器公司都將人工智慧（AI）視為其主要增長動力。最大的AI半導體公司輝達（Nvidia）在2024年的收入增長了114%，並預計2025年將增長63%。輝達的大部分AI半導體產品都屬於邏輯器件類別。人工智慧熱潮能持續多久？半導體市場又將走向何方？我們可以從以往半導體市場的泡沫中尋找線索。PC氣泡1981年IBM PC的問世引發了PC市場的繁榮。由於IBM為PC硬體和軟體樹立了標準，企業紛紛放心投資PC。1983年PC出貨量增長了85%，1984年增長了29%。PC的繁榮帶動了半導體市場的蓬勃發展，尤其是記憶體和英特爾微處理器。然而，PC的繁榮在1985年戛然而止，PC出貨量下降了11%。1985年的疲軟是由多種因素造成的。康柏、戴爾和惠普等廠商推出的IBM PC相容機擾亂了市場。此外，美國GDP增速也從1984年的7%放緩至1985年的4%。1985年個人電腦市場崩盤導致半導體市場下滑17%。記憶體銷量下降38%，英特爾營收下降16%。但這種下滑趨勢是短暫的。1986年，個人電腦出貨量增長22%，半導體銷量增長23%。1987年，記憶體和英特爾的營收恢復強勁增長。網際網路泡沫20世紀90年代，隨著大型企業建立網路連線，全球資訊網制定標準並實現瀏覽，網際網路的使用開始呈爆炸式增長。1995年和1996年，網際網路使用者數量幾乎每年翻一番。從1997年到2000年，使用者數量每年增長約50%。2001年，網際網路使用者增長率放緩至21%。網際網路的快速發展催生了眾多由風險投資推動的網際網路公司。到2000年初，利率上升以及大多數網際網路初創公司缺乏盈利能力導致投資大幅下滑。納斯達克100指數（該指數權重主要由網際網路公司構成）從2000年3月到2002年10月下跌了78%。許多網際網路公司的倒閉導致電信公司在網際網路基礎設施方面出現產能過剩。作為最大的網際網路基礎設施硬體供應商，思科的收入在1999年和2000年實現了超過50%的增長，但在2001年卻下降了23%。2001年，半導體市場下滑了32%，其中儲存器市場下滑了49%。半導體和儲存器市場在2003年恢復了兩位數的增長。人工智慧泡沫？下圖展示了個人電腦泡沫時期（藍線）、網際網路泡沫時期（紅線）以及當前人工智慧時期（綠線）半導體市場的變化。在個人電腦和網際網路泡沫時期，半導體市場經歷了兩年強勁增長，增速在19%至46%之間，隨後泡沫破裂，市場大幅下滑。在當前周期中，預計2024年半導體市場增速為20%，2025年為23%，2026年為26%。問題不在於人工智慧泡沫是否會破裂，而在於何時破裂。基本上，所有重大的新技術在最初幾年都會經歷一段強勁的增長期。許多新公司湧現出來，試圖利用這項新技術，這主要得益於風險投資基金的推動。最終，新技術的增長速度會放緩甚至下降。投資資金也隨之減少。支撐這項新技術的硬體公司的收入下降，導致半導體市場下滑。歷史經驗表明，人工智慧泡沫可能在未來一兩年內破裂。泡沫並非新技術的終結，而是一種調整。誠然，個人電腦和網際網路是重要的經濟驅動力，它們已經徹底改變了企業和消費者的生活方式。人工智慧也有望帶來重大變革。然而，這種變革能否順利實施，還有待觀察。 (半導體行業觀察)

昨日，有媒體引述第三方購物平台獲悉，海力士和三星的256G DDR5伺服器內存一根超過4萬元，有的甚至高達49999元/根。如果以1盒100根來計算，其價格將近500萬元，這已經超過上海不少房產。這也正是昨天熱文「一盒內存條價格堪比上海一套房」的核心觀點。昨天，半導體產業觀察也報導了閃迪從去年四月到現在，股價已經上升十倍。具體參考文章《閃迪股價，飆漲1080%》。從三星今天發布的數據看來，儲存巨頭也的確已經數錢數到手軟。三星利潤，首次突破20兆根據韓媒報導，受全球對人工智慧伺服器需求激增，導致記憶體晶片價格大幅上漲的推動，三星電子公司利潤成長了208%，遠超預期。財報顯示，三星電子去年第四季合併銷售額達93兆韓元，營業利潤達20兆韓元。這是三星電子季度營業利潤首次突破20兆韓元大關。先前的季度營業利潤紀錄為2018年第三季的17.57兆韓元，此次業績較先前紀錄高出約14%，創下7年4個月以來的新高。該盈利遠超市場普遍預期（約18 兆韓元），分析師表示，全球人工智慧(AI) 基礎設施投資的擴大推動了儲存半導體周期的反彈，這一結果證實了這一點。根據三星電子1月8日發布的數據，2025年第四季銷售額較上季成長8.06%，較去年同期成長22.71%。營業利潤季增64.34%，較去年同期成長208.17%。按季度計算，這是自2018年以來的最高水準。通報進一步指出，儲存半導體業務是此次獲利改善的核心。儘管各業務部門的官方業績尚未公佈，但業內人士和證券界普遍預期，半導體（DS）部門第四季度的銷售額約為40兆韓元，營業利潤為15兆至16兆韓元，扭轉了去年同期的虧損局面。分析表明，DS部門的營業利潤可能占到總營業利潤的70%以上。隨著人工智慧伺服器的普及，伺服器DRAM的出貨量激增，而生產結構向HBM的轉變限制了普通DRAM的供應，從而維持了價格堅挺並推動了盈利增長。因此，DRAM業務的營業利潤率似乎已恢復到50%左右。NAND快閃記憶體似乎也已經擺脫了大部分獲利拖累。隨著NAND需求的復甦，尤其是在人工智慧基礎設施中嵌入式固態硬碟（eSSD）的需求成長，營運虧損可能已縮小至1兆韓元以下，甚至接近損益平衡。高頻寬記憶體（HBM）業務也被認為是DS部門獲利成長的關鍵支柱。市場預期三星電子第四季HBM相關銷售額將達6兆至7兆韓元。 HBM3E出貨量增加和平均售價（ASP）上漲的雙重效應，以及高附加價值產品佔比的提升，共同增強了經營槓桿效應。HBM份額的提升正推動整個記憶體產品組合的品質改善，這被視為公司已進入結構性獲利復甦階段，而非簡單的周期性反彈的證據。儘管下一代HBM4尚未達到能夠顯著提升銷售額的階段，但它被認為是提升未來業績預期的重要因素。數據顯示，三星股價在2025年已上漲超過一倍，本月再次飆升，反映出市場對其季度業績的預期，此前競爭對手美光科技公司發布了樂觀的業績預測。光是上周，彭博社追蹤的10多位分析師就上調了三星的目標股價。本周，三星高層在CES消費電子展上強調了記憶體晶片供應短缺的嚴重性，該公司總裁Wonjin Lee表示，消費性電子產品的價格已經開始上漲，「半導體供應方面將會出現問題」。在三星半導體業務中，非記憶體和成品業務也正逐步復甦。系統級晶片（LSI）和代工業務部門第四季度可能錄得1兆至2兆韓元的營業虧損，但考慮到訂單成長和製程遷移的影響，市場普遍認為虧損較上一季有所縮小。業內人士也認為，這些部門在觸底後已進入復甦階段。Micron，也遠遠超出預期去年12月中，美光科技表示，本季營收約187億美元，高於倫敦證券交易所集團（LSEG）先前預期的142億美元。該公司還表示，調整後每股收益約為8.42美元，遠超過先前預期的4.78美元。美光科技執行長桑傑·梅赫羅特拉在與分析師的財報電話會議上表示：「人工智慧資料中心容量的成長正在顯著推動對高效能、高容量記憶體和儲存的需求成長。伺服器單元的需求已顯著增強。」他還補充說，該公司預計到2025年，伺服器單元的成長將達到「接近10%」。美光科技第一財季淨利為52.4億美元，合每股4.60美元，去年同期淨利為18.7億美元，合每股1.67美元。總營收年增57%。美光公司生產電腦記憶體和固態儲存設備。近幾個月來，由於人工智慧基礎設施的蓬勃發展需要大量此類晶片，這些半導體一直處於短缺狀態。市場對記憶體的高需求推動美光科技股價上漲。數據顯示，這家半導體巨頭的股價在過去一年飆升了238%，目前接近52周高點344.55美元。美光是三家為人工智慧應用提供高頻寬記憶體的公司之一。例如， AMD大量使用美光的記憶體。的最新人工智慧晶片。美光科技表示，其雲端儲存銷售額達52.8億美元，較去年同期成長一倍。這家晶片製造商報告稱，其核心資料中心銷售額為23.8億美元，年成長僅4%。該公司表示，這兩個業務部門的成長均得益於價格上漲。本月初，美光表示將停止直接向消費者銷售記憶體和其他零件，以確保人工智慧晶片和資料中心的供應。美光科技處於多項變革性技術趨勢的核心地位。其在人工智慧、高性能資料中心、自動駕駛汽車和工業物聯網領域的佈局，使其在可持續的長期成長方面擁有獨特的優勢。隨著人工智慧的加速普及，對DRAM和NAND等先進儲存解決方案的需求也呈現爆炸性成長。美光科技對下一代DRAM和3D NAND的投資，確保其在提供現代運算所需的高效能方面保持競爭力。美光的多角化策略也取得了積極成效。美光科技透過將業務重心從波動性較大的消費性電子市場轉移到汽車和企業IT等更具韌性的垂直領域，從而打造了更穩定的收入基礎。這種平衡增強了公司抵禦周期性經濟衰退的能力，而這在半導體產業至關重要。美光科技也受惠於高頻寬記憶體（HBM）市場的強勁需求。其HBM3E產品憑藉著卓越的能源效率和頻寬，成為人工智慧工作負載的理想之選，因此備受關注。2025年，NVIDIA確認美光科技是其GeForce RTX 50 Blackwell GPU的核心HBM供應商，這標誌著該公司在人工智慧供應鏈中實現了深度整合。此外，美光科技在新加坡建造的HBM先進封裝工廠（計劃於2026年投產，並於2027年進一步擴建）也凸顯了該公司致力於擴大產能以滿足人工智慧市場需求的決心。SK海力士，最大受益者雖然SK海力士還沒有公佈最新的財報，但從第三財季的表現看來，他們無疑是最大的受益者。韓國SK海力士公司在十月底公佈了創紀錄的第三季營收和利潤，這得益於其用於生成式人工智慧晶片組的高頻寬記憶體的強勁需求。與去年同期相比，9 月季度的營收成長了約39%，而營業利潤較去年同期成長了62%。與上一季相比，營收成長10%，營業利潤成長24%。該公司在財報中指出，季度營業利潤首次突破10兆韓元大關。通報發布後，SK海力士在韓國的股價上漲近5%。截止今日，SK海力士過去一年的股價漲幅超過300%。SK海力士生產的記憶體晶片用於儲存數據，從伺服器到智慧型手機和筆記型電腦等消費性電子設備，都能找到它們的身影。作為高頻寬記憶體（HBM）晶片的主要供應商，該公司受益於人工智慧的蓬勃發展，這些晶片被用於為人工智慧資料中心伺服器提供動力。SK海力士在一份聲明中表示：“由於客戶對人工智慧基礎設施的投資不斷增加，整個記憶體領域的需求飆升，SK海力士憑藉高附加價值產品的銷售增長，再次超越了上一季度創紀錄的業績。”HBM 屬於動態隨機存取記憶體（DRAM）這一大類－DRAM 是一種半導體記憶體，用於儲存資料和程式碼，常見於個人電腦、工作站和伺服器中，這也是成就SK海力士目前業績的重要產品。根據Counterpoint Research 的數據，SK 海力士在2025 年第二季和第三季在整體HBM 市場（按收入計）分別佔64% 和57% 的市場份額。該公司表示，在與未透露名稱的客戶進行談判後，將於本季開始供應其下一代HBM4晶片。這些晶片代表了第六代HBM技術。SK海力士的一位高層在財報電話會議上表示，該公司的HBM產品自2023年以來一直處於售罄狀態，預計到2027年，隨著公司努力提高產量，其HBM供應仍將緊缺於需求。在11月底，KB Securities分析師Jeff Kim和Dahyun Kang報告稱，SK海力士(SK Hynix)有望錄得創紀錄的第四季度收益，因這家韓國晶片製造商受益於DRAM產品持續供應緊張和晶片價格上漲。他們預計，在10月至12月期間，該公司的營業利潤將年增87%，達到創紀錄的15.1兆韓元。他們說，DRAM供應短缺的狀況可能會持續至2027年底，SK海力士的營業利潤預計將在2025年增長84%，在2026年增長89%。他們預計，該公司將繼續主導高頻寬儲存(HBM)市場，到2026年將佔據約60%-65%的份額。考慮到三星如此出色的表現，這個預測可能比較保守。而且，鑑於目前普遍預測今年儲存半導體市場將比上年保持約50% 的高速成長，SK 海力士於1 月5 日在其公司新聞中心強調，公司將保持其在高頻寬記憶體(HBM) 市場的領先地位，該市場是人工智慧(AI) 領域推動成長的主要動力。關於市場前景，該公司解釋說，HBM4 的需求將逐步成長，而HBM3E 則將確立其市場主導地位。其策略是透過不斷增加第五代產品（HBM3E）的供應，同時及時建立第六代HBM（HBM4）的量產體系，來維持其作為全球領先HBM 供應商的優勢。SK海力士表示：“隨著用於人工智慧訓練和推理的伺服器投資不斷擴大，每台伺服器的DRAM和HBM容量也在穩步增長”，並補充說，“內存和存儲在整個人工智能基礎設施中所佔的比例正在結構性地增長”。好日子，還在後頭？其實除了上述巨頭以外，國內的長存和長鑫，台灣的南亞和華邦點等也成為了儲存的大贏家。展望2026年，如三星所說，儲存將會繼續推高各大廠商的業績。根據台灣市場研究公司TrendForce的預測，繼2025年第四季上漲45%至50%之後，預計2026年第一季（1月至3月）傳統DRAM的合約價格將季增55%至60%。這是因為DRAM供應商預計將繼續將其先進製程和新增產能重新分配給伺服器和高頻寬記憶體（HBM），以滿足人工智慧伺服器的需求。 TrendForce指出：“這種轉變將顯著限制其他市場的供應，導致傳統DRAM的合約價格環比上漲約55-60%。”TrendForce指出：「儘管DRAM整體供應趨緊，但消費者買家仍願意支付額外費用，以確保在2026年第一季度獲得優先採購權，並降低未來供應短缺的風險。然而，由於部分DRAM供應商謹慎擴張產能，且需要將產能分配給高密度產品，預計短期內供應將無法滿足需求，導致價格持續上漲。」同時，各大廠商也將在加緊擴張。美光科技公司剛宣布，將於1月16日正式動工，興建美國史上最大的半導體製造廠。位於紐約州奧農達加縣的這座耗資1000億美元的巨型晶圓廠，是紐約州史上最大的私人投資項目。隨著環境評估的完成和必要許可證的獲批，美光公司現在可以開始場地準備和建設工作了。該設施將包括至多四個製造廠，專注於生產先進的儲存晶片，以滿足日益增長的人工智慧系統需求。建成後，它將成為美國最大的半導體工廠。身為領頭羊，韓國雙雄也來勢洶洶。根據韓媒報導，隨著人工智慧帶動儲存半導體產業走向火熱，三星正在推動其韓國半導體工廠擴張產能。在決定重啟建設平澤市P5 產線後，公司已進入招標基礎設施階段，同時平澤P4 工廠也有了擴充產能的新動向。據介紹，三星平澤P4 工廠的擴建工程也呈現加速趨勢，這家工廠主要生產10nm 級第六代1c DRAM，相關設備導入與試運行相比原計劃提早2-3 個月，產出的1c DRAM 將用於明年的HBM4 晶片。至於P5 晶圓廠,是生產高頻寬記憶體（HBM）等記憶體，或是會為客戶提供晶圓代工服務，目前尚未確定，但該晶圓廠預計將於2028年投產。全球記憶體晶片巨擘SK海力士位於韓國清州的M15X晶片廠將比原計畫提早四個月投入量產。該廠原定於2026年6月啟動生產，現調整至2026年2月即可量產用於高頻寬內存HBM4的核心組件1b DRAM晶圓，初期月產能約1萬片，預計到2026年底將實現數倍產能擴張。韓媒進一步支出，三星電子和SK海力士在2026年預計將分別實現接近100兆韓元（約680億美元）的空前營業利潤。半導體產業的持續上漲，加上美光科技創紀錄的業績，提振了市場信心，認為這輪上漲行情仍有巨大的上漲空間。大信證券和Kiwoom證券分別預測，三星電子2026年的年度營業利潤將達到110兆韓元和107.6兆韓元。同期，iM證券和未來資產證券分別預測SK海力士的營業利潤將達到93.8兆韓元和91.1兆韓元。外國證券公司的預測則較為樂觀。摩根士丹利預測三星明年的營業利潤將達到116.4兆韓元，而野村證券則預期SK海力士的營業利潤將達到99兆韓元。 儘管如此，投資者對高成本人工智慧投資回報時間表的不確定性。其中，HBM無疑是核心的核心。根據美光CEO預測，，全球HBM 市場規模將從2025 年的350 億美元增長到2028 年的1000 億美元，並指出，1000 億美元的里程碑預計將比之前預測的提前兩年實現。 「中期內，我們只能滿足幾家主要客戶約50%到三分之二的需求，」該公司CEO在先前網路電話會議上表示。 “在這種環境下，包括HBM在內的所有DRAM的供需缺口，確實是我們迄今為止見過的最大缺口。”總而言之，一個屬於儲存的大時代，正在走來。(半導體產業觀察)

阿斯麥(ASML)股價創新高、泛林(Lam)強勢領漲！市場押注2026半導體裝置支出再擴張，AI晶圓廠軍備競賽升檔。華爾街金融巨頭花旗集團近日發佈研報稱，在全球範圍AI算力基礎設施建設浪潮如火如荼以及“儲存晶片超級周期”宏觀背景之下，半導體裝置廠商們——尤其是阿斯麥(ASML.US)、泛林集團(LRCX.US)以及應用材料(AMAT.US)這三大半導體裝置巨頭們，將是AI晶片(AI GPU/AI ASIC)與DRAM/NAND儲存晶片產能急劇擴張之勢的最大規模受益者。花旗在這份研報中預測，全球半導體裝置類股將迎來“Phase 2 牛市上行周期”，也就是說繼2024-25年的超級牛市之後有望迎來新一輪牛市軌跡。華爾街知名半導體行業分析師Atif Malik領導的花旗分析師團隊預測，隨著AI晶片與儲存晶片需求持續激增，台積電、三星電子以及英特爾這三家全球最大規模的晶片製造巨頭，以及儲存晶片製造商SK海力士在即將到來的財報披露中將對2026年以及之後半導體資本開支(capex) 指引顯著上調，進而預判2026年全球晶圓廠半導體裝置(WFE)支出更加可能向其“最樂觀預測前景”靠攏。股價走勢方面，美股半導體裝置類股自開年以來無比強勁。阿斯麥美股ADR價格在2026年開年已經創下歷史新高，1月2日單日漲幅超過8%，2026年開年以來漲幅高達16%，市值接近5000億美元;泛林集團美股市場股價則自2025年下半年以來可謂屢創歷史新高，2026年開年以來漲幅高達20%;應用材料股價在2026年開年同樣屢創新高，開年以來漲幅高達15%。花旗分析師團隊重點指出，SK海力士與三星電子的最大儲存晶片競爭對手美光科技已經在2025年12月的業績電話會議上將2026財年(截至2026年8月)資本開支從此前的180億美元上調至200億美元，意味著同比大幅增長45%，其中晶片製造工廠建設資本開支幾乎翻倍。美光還表示2027財年資本開支也將繼續增長。作為三星電子與SK海力士在儲存晶片市場最直接競爭的對手，美光的大幅擴產舉措可能促使這兩家位於韓國的儲存晶片製造巨頭採取相應資本開支擴張行動以維持市場地位。值得注意的是，市場對於台積電的晶片產能擴張強勁預期不僅聚焦於輝達、AMD以及博通這三大AI晶片領軍者們帶來的堪稱天量級資料中心AI晶片訂單，以及蘋果公司每年都能夠帶來的龐大消費電子晶片訂單，在資料中心企業級高性能SSD(隸屬於NAND終端應用)領域，面向高性能NVMe(尤其 PCIe Gen5/Gen6)的SSD主控晶片可謂極度依賴台積電高端製程產能——這意味者台積電當前產能必然遠遠無法滿足AI算力與儲存帶來的“永無止境訂單”，大舉擴張產能可謂迫在眉睫。Google在11月下旬重磅推出Gemini3 AI應用生態之後，這一最前沿AI應用軟體隨即風靡全球，推動GoogleAI算力需求瞬間激增。Gemini3 系列產品一經發佈即帶來無比龐大的AI token處理量，迫使Google大幅調低Gemini 3 Pro與Nano Banana Pro的免費訪問量，對Pro訂閱使用者也實施暫時限制，疊加韓國近期貿易出口資料顯示SK海力士與三星電子HBM儲存系統以及企業級SSD需求持續強勁，進一步驗證了華爾街所高呼的“AI熱潮仍然處於算力基礎設施供不應求的早期建設階段”。隨著微軟、Google以及Meta等科技巨頭們主導的全球超大規模AI資料中心建設處理程序愈發火熱，全方位驅動晶片製造巨頭們3nm及以下先進製程AI晶片擴產與CoWoS/3D先進封裝產能、DRAM/NAND儲存晶片產能擴張大舉加速，半導體裝置類股的長期牛市邏輯可謂越來越堅挺。在華爾街巨頭摩根士丹利、花旗、Loop Capital以及Wedbush看來，以AI算力硬體為核心的全球人工智慧基礎設施投資浪潮遠遠未完結，現在僅僅處於開端，在前所未有的“AI推理端算力需求風暴”推動之下，持續至2030年的這一輪整體AI基礎設施投資浪潮規模有望高達3兆至4兆美元。2026年，晶片製造巨頭們產能擴張大浪潮來襲花旗發佈的這份研報顯示，2026年的晶片股主線投資策略絕對不是“泛泛看多半導體”，而是明確落在股票市場半導體裝置龍頭領域(即WFE相關)。花旗的半導體投資策略鎖定“晶片製造大廠們capex激增到WFE總市場規模擴大，再到半導體裝置領軍者們訂單/營收/利潤擴張”的這一價值傳遞鏈條，押注2026年半導體裝置景氣度繼續上行。花旗最新測算顯示的2026年全球WFE市場規模模型約為1150億美元(意味著將同比+10%，遠遠高於過去十年平均增長水平)，並指出三晶片製造大廠(台積電、三星與英特爾)合計約佔其中的59%;同時強調其觀察到的增長趨勢顯示2026年整體WFE將“更加接近”其1260億美元的牛市預測情景。尤其是對於全球晶片代工之王台積電，花旗預計台積電2026年capex指引區間約為460–480億美元，並判斷全年可能大幅上修(花旗與機構投資者們的交流口徑“可到500億美元”)。台積電在去年10月的業績電話會議上已將2025年資本開支區間從此前的380億至420億美元區間下限上調至400億至420億美元。在花旗看來，AI基建狂潮所拉動的“算力—儲存—先進晶片製造”鏈條決定了半導體裝置capex粘性比以往任何周期都強勁：基於AI訓練/推理的海量算力需求不僅推高先進製程邏輯晶片需求，也顯著抬升高端儲存晶片(尤其HBM/企業級SSD相關)的需求強度;在晶片製造工藝複雜度上升背景下，單位晶圓的裝置“前沿先進工序數/步驟數”增加，裝置端更容易體現為需求的持續性與訂單能見度提升。花旗的WFE模型拆分假設裡明確給出NAND +30%、DRAM +12%、Foundry/Logic +10%(其模型口徑)，說明該機構認為2026年不是單一的AI算力類股托舉，而是更均衡的先進晶片製程擴張，這往往更利多覆蓋面廣、產品組合完整的半導體裝置龍頭(比如聚焦沉積/刻蝕/清洗/量測/先進封裝等多環節)。世界半導體貿易統計組織(WSTS)近日公佈的最新半導體行業展望資料顯示，全球晶片需求擴張態勢有望在2026年繼續強勢上演，並且自2022年末期以來需求持續疲軟的MCU晶片以及模擬晶片也有望踏入強勁復甦曲線。WSTS預計繼2024年強勁反彈之後，2025年全球半導體市場將增長22.5%，總價值將達到7722億美元，高於WSTS春季給出的展望;2026年半導體市場總價值則有望在2025年的強勁增長基礎之上大舉擴張至9755億美元，接近SEMI預測的2030年1兆美金的市場規模目標，意味著有望同比大增26%。WSTS表示，這種連續兩年的強勁增長趨勢將主要得益於AI GPU主導的邏輯晶片領域以及HBM儲存系統、DDR5 RDIMM與企業級資料中心SSD所主導的儲存領域持續強勁的勢頭，預計這兩個領域都將實現無比強勁的兩位數增長，這得益於人工智慧推理系統與雲端運算基礎設施等領域持續強勁擴張需求。光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置邁向需求激增周期花旗分析師團隊表示，“Phase 2 上行周期”意味著估值錨從“估值觸底修復”轉向“盈利持續上修”：當WFE總盤子從基準情景往牛市情景偏移時，半導體裝置領域龍頭公司盈利彈性甚至有可能大於營收彈性(規模效應+產能利用率提升+高端工藝佔比提高)，因此花旗選擇用 阿斯麥、泛林集團以及應用材料的半導體裝置組合來表達“上行斜率”前景。阿斯麥、泛林集團以及應用材料，這三大半導體裝置巨頭，可謂覆蓋了光刻、刻蝕、薄膜沉積與先進封裝裝置，而這些半導體裝置細分領域正是受益於AI基建狂潮與儲存超級周期的最佳半導體裝置領域。總部位於荷蘭的光刻機巨頭阿斯麥(ASML Holding NV)所推出的EUV光刻機器，可以說是自2023年以來的史無前例全球AI熱潮之下，台積電、三星電子等最大規模晶片製造商們打造出為ChatGPT、Claude等全球最前沿AI應用提供最核心驅動力的AI晶片的必備半導體裝置，同時也是在當前這輪可能持續到2027年“儲存超級周期”宏觀背景之下，SK海力士與美光科技等儲存巨頭們打造HBM儲存系統、資料中心企業級SSD/DDR等核心儲存裝置所必需具備的機器系統。AI GPU/AI ASIC加速器的性能躍遷高度依賴先進邏輯節點(3nm到2nm，或者更先進的1.8nm、1.6nm)，而這些節點的關鍵層必須使用EUV甚至High-NA EUV來實現更小線寬與更高良率;阿斯麥的EUV/High-NA EUV裝置明確面向3nm以及sub-2nm 邏輯與全球性能領先的DRAM的量產需求，是先進製程擴產的“瓶頸型資本品”。與此同時，AI訓練/推理還把“儲存側”同步點燃：與AI GPU/AI ASIC搭配的HBM儲存系統既要求DRAM製造節點繼續微縮，又要求刻蝕、薄膜沉積、CMP工藝，以及最為關鍵的堆疊封裝與互連環節(TSV/混合鍵合先進封裝等)顯著增加製造步驟與裝置密度。應用材料在其最新的技術解讀中指出HBM製造流程相對傳統DRAM額外增加約19個材料工程步驟，並聲稱其最先進的半導體裝置覆蓋其中約75%的步驟，同時也重磅發佈面向先進封裝/儲存晶片堆疊的鍵合系統，因此HBM與先進封裝製造裝置可謂是該公司中長期的強勁增長向量，GAA(環繞柵極)/背面供電(BPD)等新晶片製造節點裝置則將是驅動該公司下一輪強勁增長的核心驅動力。相比於應用材料，泛林集團(Lam Research)的優勢則全面集中在先進HBM儲存所需的高深寬比(HAR)刻蝕/沉積與相關工藝能力，並且3D NAND/先進DRAM結構與互連也都高度依賴泛林獨家的HAR工藝。 (invest wallstreet)

2024年924以來，新一輪大牛市拉開序幕，振奮人心，萬眾矚目。近期，外資紛紛看好中國、紛紛加倉，居民存款搬家、跑步進場，基金銷售再現火爆，券商開戶大幅增長，00後也開始現身股海。去年924之前市場一片悲歌之中，筆者鮮明提出“信心牛”和“東昇西落”， 預判未來將啟動新一輪大牛市，引發廣泛關注和討論。時隔一年，牛市氣貫長虹，在爭議中迭創新高。這是繼2014年“5000點不是夢”之後，再次從宏觀層面成功預測牛市。筆者在一年前提出：未來是一輪什麼牛市？我認為是“信心牛”，由於政策大幅超預期，帶來對中國資產和經濟前景信心的大幅扭轉，是對看多中國的獎賞，是對看空中國的打擊。物極必反，否極泰來。股市總是在絕望中重生，在爭議中上漲，在狂歡中崩盤。此牛市十年一遇，有三大驅動力、三大使命和兩大前景。一、此輪牛市將是十年一遇，堪稱史詩等級自2000年以來，我們經歷了三輪量級較大的牛市，帶來了史詩級的機遇，分別是：2004-2007年由於經濟繁榮帶來的超級“周期牛”，2014-2015年由於改革轉型預期和流動性充裕帶來的超級“改革牛”，以及2024年924以來由於政策放鬆大幅超預期、流動性充裕和新一輪科技革命帶來的超級“信心牛”。從過去三輪大牛市來看，中國量級較大的牛市大約十年一輪，分別啟動於2004、2014、2024年，與經濟周期的“朱格拉周期”節奏一致。經濟周期主要是三大周期：50年左右的長周期康德拉耶夫周期、10年左右的中周期朱格拉周期、3年左右的短周期庫存基欽周期。周期即宿命，反對和贊同者共同的宿命。經濟潮起潮落，人性像山嶽一樣古老。中周期朱格拉周期主要受裝置更替和資本投資驅動，表現為經濟周期輪迴和新舊產業迭代。與2004-2007年的超級“周期牛”、2014-2015年超級“改革牛”不同，這一輪超級“信心牛”主力龍頭類股主要是以人工智慧、晶片半導體、機器人、創新藥、軍工等新質生產力為代表的新經濟，呈現出完全不同的時代浪潮。為什麼此輪牛市將是十年一遇？從牛市時間長度來看，自2024年9月以來，此輪牛市持續時間已超過一年，與2014-2015年的牛市時長持平，筆者預計此輪牛市持續時長有望超過上一輪牛市。從漲幅來看，上證指數從去年最低點到12月22日漲幅高達45%，創業板指數從去年最低點到12月22日漲幅高達108.6%。這種量級的漲幅為十年一遇。從交易量看，去年924之前，股市交易量萎縮至幾千億，近期交易量曾突破3兆。從股市市值看，從去年最低谷的70兆上漲到超100兆，帶來超過30兆財富效應。二、三大驅動力造就十年一遇的“信心牛”總體判斷，這一輪牛市有三大強勁驅動力：政策持續放鬆，新一輪科技革命，流動性充裕，屬於政策牛+科技牛+水牛疊加的信心牛。根據DDM估值模型，一輪牛市的驅動力量來自企業盈利、風險偏好和無風險利率。顯然這一輪牛市的驅動力並非來自分子層面的企業盈利。那麼，這一輪牛市的驅動力來自分母的風險偏好提升和無風險利率下降，這兩個因素是相互強化的。政策牛：去年924是宏觀政策放鬆的歷史性拐點，貨幣政策持續降息降准，樓市持續放鬆限購，財政10兆化債，不斷加強民營經濟保護，兆水電站基建投資推出，發展新質生產力重磅措施持續推出，等等。政策大幅超出市場預期，帶來了風險偏好的大幅提升，無風險利率的持續下降，進而引爆了此輪牛市。同時，2025年5月前後，中美關稅戰緩和、中國新質生產力發展取得重大突破、政策層面鼓勵資本市場併購重組等也一起提升了市場風險偏好。924是分水嶺，之前宏觀政策處於觀察周期，之後處於持續的放鬆周期，我們仍處在宏觀政策的放鬆周期之中。科技牛：每次全球經濟社會大周期的低谷都會醞釀一輪科技革命，當前以人工智慧、機器人、晶片半導體、創新藥、軍工、新消費等為代表的全球新一輪科技革命如火如荼，中國在發展硬科技、卡脖子技術等方面取得積極進展，在資產市場上表現為高風險偏好成長股類股領漲這輪牛市。水牛：924宏觀持續放鬆以來，無風險利率持續下降，房地產市場銷售不振，居民出現“資產荒”，儲蓄率大幅上升，企業不願意貸款，流動性淤積在銀行體系內，出現“堰塞湖”效應。在賺錢效應帶動下，5月以來出現了散戶跑步入場、存款搬家的跡象。9月上交所開戶數量相比8月增加28.7萬戶；9月M1同比增長7.2%，較8月回升1.2個百分點，銀行存款定期化趨勢逆轉。A股成為全球資本市場亮眼的星，一掃過去數年跑輸全球的低迷行情，國際機構紛紛進場。所以，這一輪十年一遇的大牛市，內在動力強勁：政策持續放鬆，新一輪科技革命，流動性充裕。筆者在2024年9月提出“信心牛”：未來是一輪什麼牛市？我認為是“信心牛”，由於政策大幅放鬆超預期，帶來對中國資產和經濟前景信心的大幅扭轉，是對看多中國的獎賞，是對看空中國的打擊。物極必反，否極泰來。在2024年9月23日提出“東昇西落”：如果推出大規模經濟刺激計畫，加強對民營經濟的保護，則“東昇西落”可期，“西落”是指美國經濟從過熱走向衰退，美元資產回落；“東昇”則是指中國經濟重啟復甦，重振雄風，中國資產再度受到全球追捧。回顧這些觀點，依然激情澎湃，作為一名學者，充滿了筆者對國運的期待和祝福，拳拳赤字之心。沒有人可以靠做空自己的祖國致富，越是在困難時期越要跟她站在一起。三、此輪牛市承擔三大歷史使命：發展新質生產力，助力大國博弈，修復居民資產負債表此輪資本市場牛市不簡單是一次財富機會，更重要的是承擔著三大歷史性使命，具有重要的戰略性意義：1、支援新質生產力大發展。中國經濟正處於從傳統增長模式向高品質發展轉型的關鍵期，以新基建、新質生產力為代表的新經濟發展具有重大戰略意義，對內推動經濟增長引擎的升級，對外搶佔大國競爭科技的制高點。股市繁榮發展，有利於為新經濟和硬科技提供資本市場融資支援，大量新經濟硬科技企業由於高科技、輕資產和缺少抵押物的特點，難以從以銀行主導的傳統金融體係獲得融資，需要資本市場的大力支援。事實上，924以來資本市場的繁榮發展，一大批硬科技和新經濟企業紛紛上市，為新質生產力和大國重器的大發展提供了有力支援。2、助力大國博弈。2018年以來，逆全球化愈演愈烈，美國對中國持續加征關稅，限制對中國高科技產品出口。以人工智慧、晶片半導體等為代表的卡脖子技術在大國博弈中的重要性日益凸顯。新質生產力的大發展對於中美博弈、大國競爭等具有重大意義，而資本市場繁榮發展是支援新質生產力的關鍵力量。要從這個戰略高度來看資本市場的繁榮健康發展。3、修復居民資產負債表。2021年以來，由於房地產市場長周期拐點出現，一二線城市房價跌幅為20%-30%，三四線城市房價跌幅為20%-40%，以頂峰時期房地產市場450兆市值計算，5年間居民財富縮水100兆左右，居民資產負債表嚴重受損，影響消費和經濟復甦。股市繁榮發展，有助於修復居民資產負債表和帶動財富效應。過去一年，A股市值從不到70兆增長到超過100兆，創造了30多兆的財富，將會大幅避險由於房地產市場貶值帶來的缺口，也會有助於財富效應下的消費復甦。在中國香港，由於港股牛市帶來的財富效應，香港開始出現了消費復甦和地產築底的跡象。那麼，這一輪A股牛市如果能夠持續的時間夠長，走出市場期待的“慢牛”行情，會否帶動居民消費和核心城市房地產市場復甦？近期北京、上海出台了郊區放鬆限購的新政。四、兩大前景與展望：長牛慢牛還是暴漲暴跌？如果此輪牛市能夠實現長牛慢牛，對於發展硬科技、經濟復甦、信心提振、居民財富效應等都具有重大意義。此輪牛市的驅動力主要是924以來宏觀政策放鬆周期帶來的風險偏好提升。因此，未來如果這輪牛市能夠在足夠長的時間持續，需要宏觀政策繼續處於放鬆周期，貨幣政策繼續降息降准，尤其聯準會可能在下半年降息以後；財政政策繼續加大化債和以工代賑，大力投資新基建，擴大總需求；樓市政策需要採取有力措施鞏固止跌回穩態勢；更重要的是，加強對民營經濟的保護，促進民間投資復甦。同時，考慮到A股散戶為主、暴漲暴跌等特點，此輪牛市要監管好槓桿資金，實現健康發展。漲上去的是風險，跌下來的是機會，從事宏觀經濟和投資二十年，作者也提醒相關的估值、槓桿等風險，未來將隨著市場邏輯演變進行觀點更新。資本市場承擔著增加居民財富效應、激發經濟活力、推動科技創新的重任。但是，20多年來，A股市場長期牛短熊長、暴漲暴跌，2015年的瘋牛股災、2007-2008年的牛熊轉換，仍歷歷在目。如此體質的A股如何承擔起重大使命？如何通過基礎性的變革實現A股長牛慢牛？根據筆者2019年的測算，中國股市牛短熊長、暴漲暴跌，美國股市牛長熊短、漲多跌少。平均來看，A股熊市27.8個月，跌幅56.4%，牛市12.1個月，漲幅217.2%，熊市持續時間是牛市的2.3倍，呈典型的牛短熊長、暴漲暴跌特徵；美國熊市持續18個月，跌幅31.5%，牛市47個月，漲幅122.5%，牛市持續時間是熊市的2.6倍，呈典型的牛長熊短、漲多跌少特徵。我們需要通過深層次改革，完善資本市場基礎制度，提高直接融資特別是股權融資比重，打造一個規範、透明、開放、有活力的資本市場，實現股市繁榮、居民財富效應和創新驅動高品質發展之間的良性循環，進而實現股市的長牛慢牛。五、復盤：A股三次大牛市的七大發現我們在《A股三次大牛市：啟動、上漲與終結》中復盤A股三次大牛市，1999-2001年的519行情、2005-2007年的周期牛、2014-2015年的改革牛和水牛，有七大發現：一是A股大牛市啟動需要三大條件，政策轉向、資金流入、估值低位，最初充滿爭議，伴隨估值逐漸修復，投資者的熱情被點燃後開啟牛市。牛市總是在絕望中重生，爭議中上漲，狂歡中崩盤。二是A股牛市一般經歷三個階段，政策驅動-資金驅動-基本面驅動，牛市啟動初期與經濟基本面關聯較小，但牛市的持續和演繹與經濟基本面有關，若無基本面和企業盈利支撐，則終究會回吐漲幅。三是A股政策市和散戶為主的特徵導致牛短熊長，大起大落，三輪大牛市平均持續時長為17.35個月，相對較短，相比之下，A股熊市平均持續時長為27.12個月，美國20次牛市平均持續時長為43.68個月。四是牛市上半場主要靠政策驅動、情緒驅動、資金驅動，平均時長6.3個月，平均漲幅59.41%，領漲類股為國防、金融、周期類股，普漲為主，快速上行。五是牛市過程中會經歷調整，進行方向的博弈、籌碼的交換。調整的原因在於市場資金難以保持長期大流量流入，槓桿工具調整、政策變化、市場風格切換等。但市場調整也是對下半場的積澱，調整越充分，資金儲備越足，下半場漲幅越大。六是牛市下半場主要靠基本面和企業盈利驅動，隨著經濟的復甦和上市公司利潤的反轉，市場迎來戴維斯連按兩下——估值提升和盈利增長同時發生，則投資者將紛紛湧入股市，追逐更高的收益，股市徹底瘋狂。下半場伴隨類股輪動，平均時長12.5個月，平均漲幅130.25%，領漲類股為電腦、消費等當時概念炒作火熱、政策利多明晰的成長屬性類股。七是牛市的終結，一般源於估值過高、政策轉向、沒有增量資金流入、經濟復甦證偽等，往往在最瘋狂時熄火，踩踏式出逃。六、重啟中國經濟復甦，關鍵在於“債務大挪移”今年7月去日本遊學，去之前重讀野口悠紀雄《失去的三十年》，大前研一《低慾望社會》，辜朝明《資產負債表衰退》，以及達里奧新作《債務大周期》。結合學者經典著作和實地調研，基本印象：90年大泡沫破裂以後，日本整個社會巨變，長期通縮，資產負債表衰退，人口老齡化少子化，從原來信心滿滿的“日本第一”到壓抑的低慾望社會，不結婚，不生孩子，不交友，不買房，不買車，不消費，不創業，對未來沒有安全感，孤獨，儲蓄，尋求穩定的工作和理財。日本落入失去的三十年和低欲望社會，按照達利歐的債務大周期理論和辜朝明的資產負債表衰退理論，不應該由居民和企業部門獨自化解房地產大泡沫破裂以後的債務，而應該通過財政政策擴張和債務貨幣化實現溫和通膨的和諧去槓桿，擴張中央政府和央行的資產負債表，減輕居民和企業的債務壓力，從而恢復消費和投資的能力與動力。可對比的是美國在2008年次貸危機和2020-2022年疫情期間，擴張美國聯邦政府財政和聯準會資產負債表，來化解市場主體的債務壓力，居民和企業資產負債表得以恢復，所以現在美國居民消費旺盛，企業投資積極，股市連創新高多年牛市，同時，美國聯邦政府債務規模空前，聯準會資產負債表大幅擴張。簡言之，房地產大泡沫破裂以後，如果由居民和企業部門獨自化解債務，將導致債務通縮循環、資產負債表衰退和低慾望社會，如果由政府和央行擴張資產負債表來減輕居民和企業債務壓力，就有望恢復消費和投資的活力。出路在於“債務大挪移”。重啟中國經濟復甦，關鍵在於實施以“債務大挪移”為戰略思路的宏觀政策，具體三大抓手：1、全力拚經濟。貨幣政策持續降息降准，降低企業和居民的負債成本。財政政策繼續推動大規模地方政府化債，尤其地方拖欠企業的工程款等，實施以新老基建為代表的大規模基建擴大內需，提高就業和居民收入，以工代賑；保護民營經濟，提振民營經濟信心。重視資本市場的繁榮發展，對發展新經濟硬科技、修復居民資產負債表等居民戰略意義。2、住房收儲保障銀行。組建5兆以上的大型住房收儲保障銀行，收購開發商的土地和商品房庫存，用於租賃房保障房，利率要低、期限要長、規模要大、分配要公平。地方政府獲得住房收儲保障銀行資金後支付給房企，緩解房企資金壓力。一舉多得，解決地方財政、開發商現金流、居民“爛尾樓”的問題，同時解決新市民的住房保障體系，將起到各界拍手叫好的效果。（參考《關於組建住房銀行收儲的必要性》）3、新基建。新基建和新質生產力一脈相承，如果說住房收儲保障銀行是化解傳統行業遺留的風險，新基建則是打造中國經濟的新增長點。什麼叫新基建？就是支撐未來20年中國經濟繁榮發展的新型基礎設施，就像20年前鐵路、公路、機場、橋樑幫助中國成為世界工廠一樣。新基建包括人工智慧、新能源、新能源汽車、充電樁、5G、新一代資訊技術、數字經濟、機器人、商業航天、量子計算、生物工程、巨量資料、工業網際網路等。新基建正在挑大樑，短期有助於穩增、長穩就業，長期有助於打造中國經濟新技術、新產業、新引擎。根據1990年以來日本“失去三十年”“資產負債表衰退”的失敗教訓，以及2008年中國和美國應對次貸危機、2020年美國應對疫情的成功經驗，走向復甦關鍵是實施債務大挪移，市場經濟的基本盤是以居民和企業為代表的微觀主體，只要居民和企業的資產負債表修復健康，則消費和投資就有望復甦，就業、財政收入等就有望改善，從而國民經濟就有望走向全面復甦。中國經濟潛力大，只要全力拚經濟，啟動新一輪大規模經濟刺激，發力新基建和新質生產力，加強保護民營經濟，實施“債務大挪移”的宏觀戰略思路，重啟經濟復甦，則東昇西降和信心牛可期。 (澤平宏觀展望)

未來十年可能是人類歷史上創新的黃金時代，而賣鎬和鏟的股票顯然會從中獲利。聯合國經濟專家預測，到2033年，人工智慧（AI）市場的價值將增長到4.8兆美元，在接下來的十年裡，它的增長可能會遠遠超過這個數字。在此過程中，它將產生一些改變生活的投資機會，就像之前的網際網路時代一樣。此外，你並不一定需要成功地預測下一個大事件來從中獲利。一些人工智慧股票已經成為未來顯而易見的贏家。台積電（TSMC）就是其中之一。可以說，它是人工智慧時代的理想股票，該公司具有巨大的增長潛力，並且已經開始顯示出實現這一潛力的跡象。主宰2兆美元的市場機會雖然看起來還不像，但人工智慧系統註定會被嵌入到比資料中心更多的地方。在未來幾年，我們可以預期人工智慧將滲透到許多現有的行業，並創造新的行業。自動駕駛汽車和人形機器人已經在路上了。資料中心、人工智慧模型、機器人、自動駕駛汽車和其他正在發展的技術之間的共同點是什麼？半導體，也就是晶片。德勤（Deloitte）的研究估計，全球半導體產業的規模將從2024年的6270億美元增長到2030年的1兆美元，到2040年將增長到2兆美元。大多數出售晶片的公司實際上並不生產晶片。相反，他們自己設計，但將生產外包給生產製造專家。台積電長期以來一直是該業務的全球領導者，截至2025年第三季度，其市場份額估計為72%。自幾年前人工智慧熱潮開始以來，台積電的市場份額實際上有所增加。該公司先進的生產技術和生產大量高端晶片的能力使其與其他代工廠相比具有巨大的競爭優勢。這也意味著，隨著未來幾年全球半導體需求的增長，台積電應該會抓住流入該行業的新增長的很大一部分。投資周期可能還沒有結束半導體行業歷來是周期性的，經歷了繁榮和蕭條階段，因為晶片投資波動，產能滯後，然後超過需求。你可以看到台積電的收入增長是如何隨著時間的推移而遵循這種模式的。想知道當前的人工智慧投資周期將持續多久是合理的，尤其是在一些科技公司面臨如何為其雄心勃勃的資料中心計畫提供資金的問題時。雖然目前的人工智慧晶片周期最終會出現轉機，但它似乎還沒有走到最後。輝達宣稱，到明年年底，其目前的頂級Blackwell gpu和明年將接替它們的Rubin架構晶片的訂單將達到5,000億美元。亞馬遜（Amazon）和Alphabet等一些超大規模企業已經開發了自己的定製人工智慧加速器晶片。然而，台積電也生產它們。簡而言之，無論那個晶片製造商在銷售特定的人工智慧晶片，都有可能是台積電製造的。如何在潛在波動中獲利即使人工智慧基礎設施投資放緩，也不意味著長期投資者應該放棄台積電。儘管其增長有短期波動，但該公司的收入在過去十年中增長了335%。只要該行業持續長期增長，台積電就會隨之增長。該股的市盈率為全年預期收益的28倍。對於一家分析師預計未來三到五年將以每年28%的速度增長的公司來說，這是一個令人信服的合理估值。誠然，它的收益也有可能接近當前投資周期的峰值。如果人工智慧支出下降，台積電的收入增長放緩，這將損害該公司股票的估值和股價。那些希望將台積電納入投資組合的投資者，與其試圖把握時機，不如使用平均成本法（dollar-cost averaging），慢慢建立投資，降低在短期見頂時買入的風險。除非人工智慧大趨勢完全消失（考慮到公共和私營部門對開發人工智慧技術的承諾，這似乎不太可能），否則台積電很可能在未來十年看到足夠的增長，使其值得度過不可避免的高峰和低谷。 (北美財經)

2025年晶片設計產業銷售預計為8,357.3億元，相較於2024年成長29.4％。全年銷售約1180.4億美元，首次超過千億美元。中國積體電路設計產業正迎來新一輪發展高潮。2025積體電路發展論壇（成渝）暨三十一屆積體電路設計業展覽會（ICCAD-Expo 2025）於11月20-21日成都舉辦。論壇上，來自半導體EDA、IP、設計、封測等多個產業鏈龍頭企業代表深入探討了行業前沿技術、應用場景落地、產業政策與宏觀趨勢等關鍵方向。中國半導體產業協會積體電路設計分會理事長魏少軍表示，2025年中國晶片設計產業銷售額預計將突破1,180.4億美元，首次跨越千億美元里程碑，較去年同期成長29.4%，展現強勁的成長韌性。在快速成長的背後，中國半導體產業在產品結構等方面的挑戰同樣凸顯，AI的爆發式成長也推動著從先進製程、先進封裝到晶片架構的全方位技術革新。產業規模：歷史性突破中國半導體產業協會執行秘書長王俊傑在致詞中表示，全球半導體產業成長已經有70多年，未來10年依然會好。而合作是基本準則，為中國市場而合作，為產業永續發展而合作，合作方向應來自五大洲四大洋。魏少軍在《技術創新驅動設計產業升級》的演講中表示，2025年晶片設計產業銷售預計為8,357.3億元，相比2024年成長29.4％。以美元與人民幣1:7.08的平均兌換率，全年銷售約1180.4億美元，首次超過千億美元，佔全球積體電路產品市場的比例與上年相比會有一定上升。魏少軍也提到，2006年至2025年的20年間，中國晶片設計產業的年均複合成長率為19.6%，是唯一一個自有統計數據以來沒出現過衰退的細分產業領域。 「在人工智慧和電動車大發展的背景下，有理由相信晶片設計業的新一輪發展高潮正在到來，不排除在2030年前，中國晶片設計產業的規模達到或超過兆元。”在亮眼的成長數據背後，產業的活力和韌性進一步顯現。 《技術創新驅動設計產業升級》報告顯示，2025年中國預計有831家企業的銷售額超過1億元，比2024年的731家增加100家，成長率達13.7%。以地區來看，長三角地區有418家企業銷售額超過1億元，佔全國比例50.30%；珠三角地區有138家企業，佔全國比例16.60%；京津環渤海地區有133家，佔全國比例16.00%；中西部地區有142家，佔全國比例17.10%。從領域來看，通訊晶片和消費性電子晶片的份額佔了全部銷售的66.48%。電腦晶片佔比只有7.7%，與國際上25%的佔比還有不少差距，由此看出中國晶片產品整體水準還處在中低階。AI發展成為半導體產業最強勁的驅動力。台積電（中國）總經理羅鎮球在題為《半導體發展趨勢》的演講中表示，2025年AI正快速改變產業未來，推動半導體產業成長，預期半導體市場規模在2030年將突破1兆美元。羅鎮球表示，台積電承諾提供最先進的技術，包括三個方面：一是先進工藝，N3E、N3P以及衍生的N3X、N3A、N3C，滿足不同產品的需求；二是先進封裝，SoIC技術支援6μm bond pitch的異質晶片堆疊；三是矽基光子，與銅縮電纜相比，數據「3nm是最終也是最優異的FinFET技術。」羅鎮球透露，「台積電N3E已實現旗艦移動及HPC/AI產品的量產，N3P已按計劃於2024年第四季度投產，接替N3E。台積電已提供多種N3變體以滿足特定應用需求，N3X面向客戶端CPU，N3A面向汽車領域，N3C面向價值級產品。產業協同：挑戰猶存與生態共築然而，在高歌猛進的同時，產業的深層挑戰不容忽視。魏少軍在《技術創新驅動設計產業升級》報告中提到，2025年，831家銷售過億的企業的銷售總和達到7,034億元，佔全產業銷售收入的84.17%。即便把IDM的資料全部剔除，這個比例仍低於去年。因此可以得出中國晶片設計業的產業集中度並沒有改善，企業小、散、弱的基本面沒有改觀。魏少軍認為，「目前，人工智慧企業高額成本的影響還不十分明顯，但隨著企業產品入市或走向資本市場就會逐漸暴露出來。所以，尋找降低企業成本的任務已經是刻不容緩。建議企業一是要提高勞動生產率，透過提高產出來分擔高額成本；二是提高產品的競爭力，透過高成本來抵銷高成本來抵銷高負面影響」。聯華電子股份有限公司Asia AVP林偉聖在題文《成風踏浪－打造韌性半導體價值鏈》的演講中表示，預計全球半導體市場整體成長16%，AI/HPC運算晶片成長35%，記憶體市場（DRAM/NAND）估計反彈幅度約30%。“前述增長來自3nm，2nm等尖端過程需求爆炸性增長，成熟過程相對穩定。”同時，林偉聖也提到當前半導體產業面臨地緣政治、物流和原材料等供應鏈危機、氣候暖化與零碳目標要求等多方面壓力與挑戰。面對挑戰，產業鏈的協同正變得前所未有的重要。林偉聖表示，打造半導體韌性離不開以下三大支柱：敏捷與多元的供應鏈、技術領導與營運韌性、人才儲備與永續發展。短期內，推動本士化、增加多源供應必然帶來額外成本。但在當前國際環境下，「全球+本土」的雙軸韌性已成為保障長期生存、獲得戰略訂單和避免巨額斷供損失的必要投資。在林偉聖看來，目前積體電路產業的核心瓶頸開始從晶圓轉移至先進封裝與關鍵耗材；確保極限技術供應鏈的穩定性，包括高純度化學品、EUV光罩、先進封裝產能，成為產業的策略重點。北京華大九天科技股份有限公司副總經理郭繼旺在題文《EDA統一大平台》的演講中表示，目前，半導體產業三大支柱裝備、EDA、材料正在互相交融，從原來相對獨立的發展，互相之間正在建立愈加深入而多元化的技術聯繫。上海概倫電子股份有限公司董事、總裁楊廉峰在題文《深化設計與工藝協同，共建EDA與IP生態》的演講中表示，如今積體電路的發展趨勢是越來越注重製程與設計的協同。產業鏈更緊密的協同，亦趨向EDA邁向DTCO（設計製程協同最佳化）與STCO（系統技術協同最佳化）。技術前沿：AI驅動與端側崛起產業的爆發性成長，與科技的顛覆性創新緊密相連。 AI正快速重塑產業格局，成為半導體產業最強勁的驅動力，而AI的算力需求正從雲端向終端下沉。芯原股份創辦人、董事長兼總裁戴偉民在《芯原AI ASIC平台賦能端側AIGC》主題演講中預測，2028年，中國基礎大模型的數量將少於10個，用於端側微調卡和推理卡的銷售額將超過用於雲側的訓練卡。2035年，AI相關晶片將佔據77.7%的半導體市場份額，邊緣端AI設備的廣泛普及將成為半導體市場成長的核心驅動力。上述預測基於目前AI向終端下沉的趨勢及算力需求結構變化。戴偉民表示，隨著AI應用場景不斷向邊緣延伸，端側AI的重要性正日益凸顯。就在上周，芯原股份宣佈與Google聯合推出面向始終在線、超低能耗端側大語言模型應用的Coral NPU IP。戴偉民介紹，GoogleGemma 3提供從超輕量級（0.27B）到高效能（27B）的多種規模，滿足從端側到雲端的多元需求。芯原股份提供企業級IP、晶片設計及量產服務，為智慧眼鏡、穿戴式裝置、AI玩具等提供「輕量級、始終在線、超低能耗」的算力基礎。近年來，隨著AI技術在EDA領域的應用逐漸成熟，為晶片設計領域帶來了革命性的變化。 AI加持顯著提高了晶片設計的效率與質量，降低了開發成本，加速產品上市進程。西門子EDA全球副總裁、中國區總經理凌琳在《Are We Ready？ — 用AI 重構世界，用軟體定義未來》報告中重點介紹了該公司已推出跨產品的「EDA AI System」平台。他表示，該平台整合了自有數據、知識庫及客戶授權數據，支援客戶透過API連結自有AI模型，也引進Agentic AI，可智慧提示操作。此外，該平台也支援NVIDIA NIM微服務和NVIDIA Llama Nemotron模式。他表示“EDA和發展的趨勢是軟體定義、晶片賦能、AI加持，這是未來的趨勢。”除了賦能外，AI領域的快速發展也對晶片產業提出了新的挑戰。齊力半導體CEO謝建友在題文《先進封裝在大規模AI智算晶片領域當中的發展路徑》的演講中認為，AI對晶片行業的挑戰集中在數據量、功耗與散熱、頻寬能效比、馮諾依曼架構的拖累以及不同場景下AI模型的適配性等方面。他表示，應對海量資料需要採用更多電晶體和更大的晶片面積；透過優化晶片材料、結構設計和供電方案，例如採用晶圓背部供電結構和低電壓大電流異質整合模組，可有效緩解功耗與散熱問題；針對馮·諾依曼架構的限制，可採用DSA（結構和新架構等新型結構領域需要從新維度等新結構領域中提升需要其他新結構。區域格局：西部高地加速崛起值得一提的是，縱觀全國產業版圖，成長動能正從傳統優勢區域擴散到中西部地區。作為本次論壇的舉辦地，成渝地區展現出驚人的成長潛力，成為產業發展的高地。魏少軍在報告中特別提到，從目前積體電路設計產業企業數量來看，成渝地區的成長很快，這也是這次論壇暨展覽會選擇在成都召開的原因。成都市積體電路產業協會最新數據顯示，成都作為中西部地區產業發展的重要引擎，表現亮眼－2025年成都IC設計產業營收預計達到486.5億元，年比大幅成長74%，成長率七位全國第七，成長速度位列全國第二；銷售過億元企業數量達到59家，位居全國第七家。設計業作為積體電路產業的核心引擎，在成都呈現結構優化、動能增強的良好態勢。近年來，成都圍繞著「強設計、優製造、擴充、延鏈」的發展思路，以設計端的強勢突破帶動全產業鏈協同升級，產業發展成效顯著。《科創板日報》記者獲悉，目前，成都已聚集積體電路企業420餘家，培育國家專精特新「小​​巨人」企業56家，2024年全產業營收達830億元，2025年即將突破千億元大關，形成IC設計、晶圓製造、封裝測試以及元設備材料等較為完整的產業體系。可以預見，在技術突破、應用驅動與區域協同的多重因素作用下，中國積體電路設計產業正駛入發展的快車道，朝向兆規模的全新里程碑穩步邁進。 （科創板日報）

01 前沿導讀據美國晶片工程師巴勃羅·瓦萊里奧在美國電子工業雜誌《EE Times》上發佈的專欄報告指出，中國對半導體產業獨立自主的願景，是國際上最具雄心壯志的目標。雖然中國已經通過大基金扶持中國國產供應鏈多年，但中國企業面臨的是以美國為首，經過數十年技術研發和產業融合的全球生態體系。想要在這個體系下，頂著美國的出口管制建立一個完全獨立自主的晶片產業鏈，其投入成本預估在10000億美元左右，這個金額可要比目前中國的投資金額高出一個數量級。參考資料：China Invests Billions to Close Critical Chokepointshttps://www.eetimes.com/china-invests-billions-to-close-critical-chokepoints/02 產業攻堅中國在2014年，聯合財政部、菸草局、三大營運商、工商銀行、農業銀行等19個國家力量成立了國家積體電路產業投資基金，該投資基金被簡稱為大基金，目前已經進行了三期的大型投資。在前兩期的投資中，中國對國產晶片的設計和製造環節進行重點扶持，其次是封裝產業和裝置材料產業。在去年的三期投資當中，中國將重點目標放在了先進的光刻裝置、EDA工具、軟體材料以及基礎的生態系統上面，繼續在被卡脖子的薄弱環節進行大力度的政策扶持。在前兩期的產業扶持中，我們取得了長足的進步，拿下了不少自主可控的製造裝置和晶片技術，但是在製造高端晶片上面所需的EDA工具、光刻機、配套材料領域，還有著較為明顯的薄弱點。其中最為困難的環節，就要屬前端的先進光刻機裝置。EUV光刻機被荷蘭的ASML所壟斷，而ASML背後有美國資本幾十年的注入，在美國政府的出口管制下，ASML的EUV光刻機不被允許出口到中國大陸地區，那怕是大陸地區的中外合資工廠，也不被允許獲得。雖然EUV被禁止，但浸潤式的DUV裝置還可以出口。中國企業通過採購ASML的浸潤式光刻機，使用自對準多重圖案化等技術，製造出來了等效7nm工藝的中國國產先進晶片並成功實現了量產。這是一個振奮人心並具有里程碑意義的技術壯舉，但是這種技術所消耗的資源極其龐大，所付出的經濟代價也是天文數字。根據Trend Force集邦諮詢機構所發佈的產業報告顯示，使用浸潤式DUV光刻機製造7nm晶片，需要總共34個光刻和刻蝕工藝的交替。更多的技術步驟，所帶來的直接問題就是良品率的下降，成本的上升，甚至是造成裝置的故障。而使用EUV光刻機製造7nm晶片，只需要9個步驟。相對於DUV光刻機來說，EUV裝置對晶片產業的技術提升是質變的影響，這也是美國想方設法對中國封鎖EUV光刻機的主要原因。參考資料：[News] Huawei Faces Production Challenges with 20% Yield Rate for AI Chiphttps://www.trendforce.com/news/2024/06/28/news-huawei-faces-production-challenges-with-20-yield-rate-for-ai-chip/03 技術挑戰EUV光刻機不同於一般的工業裝置，目前只有ASML一家企業可以製造出商業化的EUV光刻機，其涵蓋了美國西盟公司的雷射發射器、德國蔡司半導體的鏡頭組等獨家零部件。每一個核心零件都是經過20多年的發展開發出來的，單是蔡司為EUV光刻機提供的鏡頭元件和光學系統，蔡司半導體部門就已經拿下了1500多項技術專利，這些專利成為了其他製造商最難踰越的壁壘。儘管輿論層面多次聲稱，中國上海微電子將要推出28nm浸潤式光刻機，但直到現在並沒有精準的消息來證實這個說法。據產業分析師分析指出，該裝置對於中國乃至全球的晶片產業來說有著極其深遠的影響，在沒有做好大規模生產和廣泛的商業交付之前，該裝置要繼續保持隱蔽性，避免引起騷動。在研發中國國產裝置的同時，中國企業也正在尋找繞過EUV裝置製造先進晶片的方法。目前中國企業平行研究的方案有兩個，使用DUV裝置+自對準多重圖案化，或者採用壓印光刻機+奈米壓印技術。前一個技術在理論上可以製造5nm晶片，但是其能效和良品率不可控，商業化發展極為困難。而後一個技術使用機械壓印和紫外固化來實現晶片的圖案化刻印，日本佳能已經在2023年製造出了FPA-1200NZ2C奈米壓印光刻機，並且在儲存晶片上實現了規模化量產，但由於其無法在先進製程下保證壓印的均勻性，所以並沒有大規模到先進的邏輯晶片製造中。現階段的中國晶片技術，一方面正在不斷的推動中國產供應鏈的自主技術發展，涵蓋了材料、軟體工具、製造裝置等多個領域。另一方面就是在嘗試多種技術路線，同時研發不同方案的製造技術，以便在受到不穩定因素的時候多一種路線選擇。 (逍遙漠)

近期，全球儲存晶片市場持續釋放積極信號。三星、美光、SK海力士等產業巨頭相繼宣佈提價，DRAM產品漲幅普遍達15%-30%，NAND閃存價格亦上調5%-10%，部分廠商甚至暫停報價以應對供應緊張；從市場端看，DDR4內存半年供累計超200%，HDD、SAI、HBM等產品不應陷入需求累計。與此同時，資本市場反應熱烈，美光近一個月股價漲約60%，鎧俠、閃迪漲幅超100%，A股相關概念股也隨之拉升，展現市場對儲存類股的強烈信心。在此背景下，摩根士丹利研報指出，AI驅動下存儲行業供需失衡加劇，預計將開啟持續數年的“超級周期”，到2027年全球存儲市場規模有望向3000億美元邁進，存儲晶片行業或正迎來新一輪產業周期的起點。01. 半導體行業“風向標”，邏輯生變儲存晶片作為半導體行業的“風向標”，其周期性波動始終是觀察產業景氣度的關鍵窗口。復盤近十年來三輪核心周期可見，儲存產業的典型周期時長約為3-4年，且每一輪周期都由不同需求與技術變革驅動：圖源：野村證券2016-2019年，DDR4技術迭代疊加手機遊戲需求爆發，推動儲存價格累計漲幅超100%；2020-2023年，全球疫情催生的遠端辦公與資料中心需求先拉動價格上漲，後又因需求疲軟與產能過剩陷入調整，累計跌幅超50%；2024年至今，AI算力基建與HBM技術革命成為新引擎，直接改寫了傳統周期邏輯。需要注意的是，與前兩輪周期不同，本輪上行不再依賴個人消費端需求，而是以企業級AI資本開支為核心——HBM價格年內暴漲500%，DDR4價格漲幅超50%，高端存儲產品“量價齊升”的同時，利基市場國產替代也在加速。更關鍵的是，AI數據中心對儲存產能的“吞噬式需求”，讓全產業鏈呈現罕見的全品類普漲態勢：從消費級NVMe SSD、DDR4內存條，到企業級存儲系統與大容量HDD，價格同步攀升。這種結構性變化正在重塑儲存產業的傳統周期模型。根據CFM快閃記憶體市場預測，2025年全球儲存市場規模可望達到1,932億美元，將創下歷史最高紀錄。儲存晶片產業，似乎開啟了由AI驅動的全新產業周期。02. AI重構儲存“供需新規則”AI技術的爆發式演進不僅是儲存需求的“超級引擎”，更在深層次重構全球存儲晶片市場的“供需新規則”，推動行業邁入前所未有的變革周期。從市場供需邏輯來看，AI正以顛覆性力量催生結構性儲存缺口。這種缺口並非簡單的數量增長，而是由性能與容量雙重訴求驅動的質的飛躍。據美光資料顯示，AI伺服器的DRAM容量需求是一般伺服器的8倍，NAND 容量需求則達到3倍，單台AI伺服器儲存需求更是高達2TB，遠超傳統伺服器的設定標準。更關鍵的是，AI大模型「訓練-推理-再訓練」的正循環，使得資料儲存需求呈現持續放大的態勢，一個GPU節點就可能消耗數百GB DRAM和數TB閃存，超大規模資料中心的需求規模更是指數級擴張。這種需求爆發在核心項目上體現得尤為極致，以OpenAI的「星際之門」(Stargate)項目為例，該項目與三星、SK海力士達成合作，每月需採購90萬片DRAM晶圓，這一數字相當於全球DRAM總產量的近40%，這種規模的單一訂單，徹底改變了原有的市場平衡。而四家雲巨頭對AI相關NAND的訂單也已達200EB，遠超2026年150EB的原預期。全球儲存市場已然清晰感知：人工智慧正在重構產業運行的底層邏輯。與此同時，需求激增直接推高了儲存晶片在AI基建的成本佔比，尤其是高效能儲存成為成本核心。以HBM為例，其單價突破5000美元，是傳統DDR5內存的20倍，而毛利率卻高達50%-60%，遠超傳統DRAM 30%左右的水平。由於每一塊HBM都需針對特定AI GPU定製，客戶需提前一年下單鎖定產能，這種「定製化+長周期」的訂貨模式，進一步凸顯了其戰略價值。同時，NAND快閃記憶體的成本權重也在上升，隨著HDD供應短缺導致近線儲存加速向QLC SSD遷移，多家超大規模雲廠商的大額追加訂單，使得企業級SSD成為資料中心建設的剛需，儲存晶片已從原來的輔助元件升級為成本核心，成為左右廠商利潤的關鍵變數。在此背景下，HBM、DRAM與NAND等高效能儲存資源成為業界必爭的策略資源。從市場規模來看，摩根士丹利預測全球HBM市場將從2023年的30億美元飆升至2027年的530億美元，年復合增長率超100%；而NAND市場雖起步，但AI推理需求的爆發使其煥發新生，從上述提到的四家雲巨頭預測變動能看到，供需缺口，但需缺口顯著。產能端的稀缺性更顯突出：美光2026年底前的HBM產能已全部預售完畢，SK海力士12層堆疊HBM3e產品即便良率僅75%，2026年產能也被輝達、AMD等企業鎖定，三星下一代V9 NAND未發布便態。儲存晶片產業劇變：價格、產能與技術的全方位革新供需規則的重構，迅速傳導為產業層面的劇烈變革，儲存價格飆升成為最直觀的市場訊號。自2025年9月以來，全球儲存巨頭密集發佈漲價通知，形成「集體提價潮」：三星宣佈第四季度DRAM價格上調15%-30%，NAND價格上調5%-10%；美光更是將存儲產品價格拉高20%-30%，並暫停報價一周以消化管道漲幅；此外，現貨市場反應更為激烈，DDR4晶片半年累計漲幅超200%，2025年Q2單月漲幅一度達53%，出現與DDR5價格倒掛的罕見現象；NAND晶圓現貨價格在10月環比上漲9%-11%，服務器eSSD價格預計四季度漲幅將超10%。高盛與TrendForce等機構預測，這種漲勢將持續至2026年，DRAM第四季環比漲幅或達8%-13%，NAND則為5%-10%，若計入HBM，漲幅將進一步擴大。進一步來看，價格飆升的背後，是全球儲存巨頭的產能策略性傾斜。三星、SK海力士、美光三大寡頭摒棄了過去“規模優先”的策略，轉向“利潤優先”，將先進工藝產能集中投向高附加價值產品。 DRAM領域，三星率先停止DDR4生產，SK海力士計畫將DDR4產能壓縮至20%，美光與SK海力士年底便停止接收LPDDR4X新訂單，所有資源向DDR5與HBM傾斜；NAND市場，廠商紛紛縮減消費級產能，將產能轉向企業級3D QLC產品。這種結構性傾斜導致了市場「冰火兩重天」：高端HBM與DDR5供不應求，中低端DDR4因減產速度超過需求下降速度，出現嚴重供需錯配。對此，群聯電子CEO直言，這種資本支出轉向將導致NAND未來十年供應持續緊張，2026年便將面臨嚴重短缺。產能傾斜與需求倒逼共同推動了儲存技術的加速突破，成為產業變革的核心動力。其中，HBM領域的技術迭代最為迅猛，據理解，2025年全球HBM總產能已增至54萬片，同比激增105%，但仍難以填補AI帶來的需求缺口。 SK海力士已建成HBM4量產體系，預計將佔據HBM4市場60%以上份額，三星、美光等廠商也在加緊籌備HBM4量產，力爭搶佔輝達、AMD認證先機，而國內相關廠商也在加速突破，國產替代窗口期持續擴大。總的來看，這場由AI引發的產業新變革，徹底打破了儲存產業傳統的「供需博弈」周期邏輯，形成了「AI需求牽引-產能高端傾斜-技術迭代加速-價格結構性上漲」的新閉環。從HBM的一芯難求到NAND的從白菜價到緊俏貨，從巨頭的產能重構到國產廠商的突圍，儲存晶片市場正經歷著新一輪的深度重塑，將存儲晶片從標準化大宗商品，重塑為影響算力發展的戰略性資源，標誌著行業已進入一個由技術迭代與需求爆發共同定義的全新時代。03. 儲存晶片「三維革命」：技術競速與大廠格局重塑目前儲存產業的變革不僅體現在市場供需層面，更在技術維度展開一場深刻的「三維革命」。 HBM的帶寬競賽進入白熱化階段，3D NAND的堆疊層數不斷刷新上限，HBF技術的橫空出世則點燃了新賽道的競爭火種。這場圍繞垂直堆疊、高速互聯與架構創新的技術深耕，正重塑全球儲存產業的競爭格局，巨頭們的每一步佈局都關乎未來數年的產業話語權。HBM：帶寬競賽與標準主導權爭奪HBM作為AI算力的關鍵核心，其核心突破在於2.5D/3D堆疊與矽通孔(TSV)技術的創新應用。透過將多個DRAM晶片垂直堆疊並與GPU/CPU通過中介層互聯，HBM成功突破了傳統封裝技術的限制。以輝達H200搭載的HBM3E為例，其帶寬高達4.8TB/s，完美解決了AI晶片面臨的「記憶體牆」瓶頸。然而，HBM的技術迭代速度與競爭激烈程度遠超傳統儲存領域。2025年4月，JEDEC固態技術協會正式發表HBM4標準（JESD270-4），將這一賽道的技術門檻推向新高度－採用2048位超寬介面，傳輸速率達8GB/s，總帶寬突破2TB/s，較此前SK海力士宣稱的1.5TB/s再提升33%。更關鍵的是，HBM4將獨立通道數量從16個翻倍至32個，同時引入0.7V-0.9V的低電壓選項，在性能躍升的同時實現了能源效率優化，完美適配下一代生成式AI與高效能計算需求。標準確立背後，是國際巨頭的貼身賽局。從市場格局來看，SK海力士憑藉在HBM3和HBM3E領域的領先優勢，目前佔據全球HBM市場約60%的份額，成為輝達H100/H200晶片的獨家供應商。憑藉先發優勢持續領跑，SK海力士在2025年3月率先發佈12層堆疊的HBM4樣品，採用Advanced MR-MUF封裝技術，單堆容量可達64GB，且已啟動與輝達下一代GPU的適配測試，試圖延續其獨家供應優勢。三星則依託垂直整合能力加速追趕，計畫2025年下半年啟動HBM4量產，採用4nm邏輯晶片工藝與10nm DRAM流程，目標在良率與成本控制上形成突破，奪回被侵蝕的市場份額。美光雖暫未公開HBM4進展，但透過聚焦汽車與邊緣計算領域的HBM3E變體產品，正建構差異化競爭壁壘。其1β工藝LPDDR5X晶片已通過特斯拉認證，在該細分領域市佔率達35%。摩根大通指出，技術突破使得HBM在2027年佔DRAM總產值比重將達43%，AI相關應用佔DRAM市場規模更是高達53%，技術紅利正成為超級周期的核心支撐。三大巨頭角力的同時，國產力量的崛起也為這場競爭注入新變數，引領中國在高端儲存領域從「技術跟隨」向「自主創新」跨越。3D NAND的堆疊競賽與現實困境如果說HBM的核心是“速度革命”，3D NAND的突破則聚焦於“空間革命”。堆疊層數的持續提升成為廠商比拚的核心指標，這項技術突破意味著在單位面積內可容納的儲存容量再創新高，為AI資料中心所需的大容量儲存需求提供了保障。TechInsights展示了各大廠商在3D NAND位密度（bit density） 上的演進趨勢，橫軸是堆疊層數，縱軸是單位面積的儲存密度。可以看到，層數越高，代表技術越先進，也能帶來更高的儲存密度。能看到，三星、美光、SK海力士、鎧俠/WD、Solidigm等儲存巨頭都在穩步提升3D NAND快閃記憶體堆疊層數，整體趨勢非常明顯：從200層到300層的跨越，將帶來更高的容量和更強的競爭力。誰能把層數和密度拉滿，誰就能在NAND這場「堆積木比賽」中領先。未來幾年，276層、300層甚至更高層數的NAND將陸續登場，儲存市場的競爭只會越來越激烈。但從產業實際現狀來看，在DRAM/HBM需求高漲的聚光燈下，NAND產業的生存空間正被擠壓，迫使各大廠商紛紛調整航向，將戰略重心轉向更具潛力的賽道。三星的V10 NAND本是技術皇冠上的明珠，在技術層面，三星的V10 NAND項目在2026年10月正式量產，這款產品被視為技術上的重大飛躍，它將具備400層以上的活性層（據悉為430層），介面速度提升至5.6GT/s，旨在與PCIe Gen6 主悉功能。此外，為應對AI應用對高效能儲存的需求，三星已重啟專為AI優化的Z-NAND開發，目標效能提升最高15倍，功耗降低80%。儘管技術上高歌猛進，但三星在NAND的產能投資和先進技術匯入上顯得頗為謹慎，這與其在HBM領域的激進投入形成對比。據報導，三星與SK海力士計畫放緩2025年對先進NAND的投資步伐，將企業資金更集中於DRAM和HBM領域。例如，三星在西安工廠的第9代NAND轉換投資規模很小，並且推遲了在V9 NAND中匯入混合鍵合技術的計劃。耐人尋味的是，三星將混合鍵合技術在NAND的應用計劃擱置，卻將同類型技術全力押注HBM量產——資源傾斜背後的戰略優先順序不言而喻。而SK海力士憑藉對輝達HBM的近乎壟斷，正採取一種「精耕細作」 的策略發展其NAND業務：在NAND尖端技術研發上持續投入以保持競爭力，但在產能分配和資源傾斜上，確實在一定程度上受到了HBM和DRAM業務的擠壓。SK海力士在NAND技術上取得重大突破，開始量產全球首款321層2Tb QLC NAND快閃記憶體。與之前的產品相比，這款新閃存不僅容量翻倍，還通過架構優化實現了傳輸速度翻倍和顯著的能源效率提升。公司計劃將其首先應用於PC SSD，隨後逐步推廣至資料中心的企業級SSD和智慧手機存儲，並明確瞄準了AI數據中心市場。此外，SK海力士也已著手開發400層以上的NAND技術，計畫在2025年底完成量產準備。儘管技術上高歌猛進，但SK海士在產能和資源分配上確實向HBM和DRAM有所傾斜。為了滿足AI巨頭對HBM的爆炸性需求，SK海力士正全力擴充HBM產能。產能轉換：由於新建晶圓廠周期長，SK海力士選擇透過改造部分現有的NAND產線來增加HBM的後工序產能。這直接表明，在有限的工廠空間內，NAND產能為更高利潤的HBM讓了路。戰略傾向：SK海力士對NAND的資本支出態度相對保守。這主要是因為當前DRAM（尤其是HBM）的利潤率遠高於NAND，且消費性電子市場對NAND的需求相對疲軟。因此，公司將寶貴的資源優先投入了DRAM和HBM的擴產。總而言之，SK海力士並未放棄在NAND領域的競爭，而是選擇透過技術突破來維持其市場地位。但在資源的天平上，當前無疑更傾向於將產能和資本分配給正處於風口、利潤也更豐厚的HBM業務。此外，美日儲存廠商的NAND業務也在收縮戰線與被動承壓。其中，美光退出移動NAND市場的決策震動業界。 「我們必須在AI內存浪潮中搶佔制高點。」其CEO桑傑·梅赫羅特拉在財報會議中的表態，揭開了殘酷的算術題：同等資本投入DRAM/HBM的回報率已是NAND的2.3倍。而日本廠商，鎧俠與西部資料合併案的反複拉鋸，使其在層數競賽中逐漸掉隊，200層以上產能佔比稍顯不足。綜合來看，各家儲存廠商不僅在「層數」上拚命卷，還在架構設計上分出流派。未來，廠商需在技術突破與市場需求間精準把控，同時探索3D NAND與HBM、AI儲存的協同應用，推動儲存產業朝向更高效率、更低成本方向發展。HBF：NAND產業的“HBM時刻”面對HBM在DRAM領域的巨大成功，NAND廠商正在積極尋求技術突破，高帶寬閃存(HBF)技術應運而生，被視為NAND行業的“HBM時刻”，正點燃NAND行業的“第二增長曲線”競爭。據理解，HBF的技術原理與HBM類似，旨在通過顛覆性架構設計打破了傳統NAND的性能瓶頸——採用16顆核心晶片垂直堆疊，通過矽通孔（TSV）技術互連，併疊加專用邏輯晶片實現多子陣列平行訪問，使單堆疊單元容量達到512GB，是8-Hi HBM3E的21倍。其底層基於SanDisk的BICS 3D NAND架構，並採用CMOS直接鍵合技術，將儲存陣列與邏輯晶片緊密整合，為帶寬提升奠定硬體基礎。儘管HBF的單位元訪問延遲仍無法與DRAM相比，但其主要面向高吞吐量、讀取密集型的AI推理任務。HBF的技術定位精準填補了市場空白。針對AI推理場景對「高帶寬、大容量、低成本」的需求，SanDisk提出「匹配HBM帶寬、提供8-16倍容量」的目標，雖未公開具體帶寬材料，但通過平行訪問架構，有望將延遲降至傳統SSD的1/5以下，成為HBM在推理場景的理想補充。同時，為降低客戶遷移成本，HBF採用與HBM相似的機械與電氣介面，僅需小幅協議調整即可適配現有GPU平台，這種「相容創新」策略顯著提升了技術落地效率。從產業現狀來看，一場圍繞HBF的生態卡位戰已悄悄打響。作為SanDisk的母公司，西部資料正將HBF與自身的Ultrastar SSD產品線整合，計畫2026年推出首款搭載HBF的企業級儲存解決方案，目標拿下北美雲服務商30%以上的推理節點儲存訂單。三星與鎧俠也加速跟進，分別啟動「High-Bandwidth NAND」與「Flash-IO Accelerator」項目，前者專注於與HBM的協同調度，後者聚焦低功耗優化，試圖在技術路線上形成差異化。 SanDisk則透過聯手SK海力士推動HBF成為開放標準，成立包含雲端服務商與晶片廠商的技術顧問委員會，試圖以生態主導權壓制競爭對手。在NAND技術紅利消退與需求代際更迭的疊加背景下，當HBF技術嘗試打通“存算邊界”，這場NAND的生存遊戲再次印證了這個更深刻的產業變局——儲存晶片的戰場，終將從層數競賽升維至架構革命。從HBM的帶寬競速到3D NAND的層數突破，再到HBF的架構創新，儲存產業的「三維革命」本質是一場技術深耕的持久戰。國際巨頭憑藉多年技術積累仍佔據主導地位——三星的垂直整合能力、SK海力士的HBM市佔優勢、美光的汽車儲存佈局，共同構成了現有產業格局的基石。未來，技術話語權將成為競爭的核心。 HBM4標準的落地將引發新一輪產能競賽，3D NAND的混合鍵合技術可能成為400層以上產品的標配，HBF則需要在寫入壽命與延遲控制上實現突破。對廠商而言，單純的層數或帶寬比拚已不足夠，只有將技術創新與生態繫結、場景適配相結合，才能在AI驅動的儲存新周期中站穩腳跟。而每一次技術突破，都在重新定義儲存與算力的邊界。04. 周期預判：結構性機遇下的複蘇與博弈目前儲存晶片市場的強勁漲勢，尤其是HBM的爆發性成長，讓「超級周期」成為熱議焦點。對於儲存行業的周期走向，分析機構與巨頭的預判共同指向“非典型復甦”，即這並非傳統3-5年庫存周期的簡單重複，而是AI驅動的結構性增長與行業固有周期屬性交織的新格局，但“超級周期”的成色仍取決於多項因素的考慮與博弈。首先，驅動此周期的核心「定數」在於AI需求引發的產業邏輯重構。這不僅是需求的擴張，更是需求的結構性變革。儲存巨頭們的策略重心已清晰地向HBM、高速DDR5等高附加價值產品傾斜。同時，AI服務器和資料中心的需求激增，也推動了儲存晶片市場的發展。為滿足AI巨頭如OpenAI「星際之門」計畫​​的龐大需求，全球HBM產能正被加速建構。這種產能的「策略轉移」導致傳統儲存類別如DDR4面臨供給緊張，價格出現異常上行。Yole Group資料顯示，2025年全球儲存收入可望達2,000億美元，年增18%，AI服務器的eSSD、伺服器DRAM與HBM需求構成核心拉力。而摩根士丹利指出，「帶寬決定績效」的技術範式轉移，使企業級資本開支的剛性遠超消費端波動，為周期長度與強度提供了關鍵支撐。其次，原廠策略調整與周期屬性，構成了平衡周期節奏的核心「變數」。經歷2023年庫存危機後，三星、SK海力士、美光等巨頭轉向「精準減產+高階傾斜」策略，DDR4等傳統產能收縮與AI儲存需求擴張形成結構性失衡，推動四季DDR5 RDIMM價格上漲10%-15%。這種供需調節使產業從全面過剩轉向緊平衡，但消費端疲軟仍存，智慧手機儲存升級放緩可能壓制中低端產品漲幅，限制周期的全面爆發。另外，地緣政治與供應鏈風險，則為周期增添了最大不確定性。國際巨頭在HBM與先進封裝領域的技術壟斷，疊加供應鏈限制，使國產企業雖獲匯入窗口，卻難以快速突破高端環節。國產替代雖加速，但HBM領域的技術代差仍可能分流周期紅利。更關鍵的是，稀土禁運、先進裝置和材料出口管制、關稅提升等製裁措施或將為儲存晶片產業周期注入顯著不確定性，既可能延緩復甦節奏，也可能加速結構性變革。貿易制裁在短期內可能擾亂正常的市場供需和庫存消化節奏，甚至引發囤貨潮，為產業周期的判斷帶來變數。從中長期來看，地緣政治因素已成為影響儲存晶片產業格局的重要變數，傳統的周期模型需要納入製裁等政策性風險。整體來看，斷言單一的“超級周期”或許過於樂觀，存儲市場更可能步入一個“結構性超級周期”，其特點是AI驅動的高性能存儲晶片領域持續高熱，而傳統市場則在其漣漪效應中波動前行。短期來看，由AI需求和高附加價值產品產能擠佔帶來的漲價動力依然強勁。但長期而言，產業最終會走向新的供需平衡。此次復甦的最終形態，將取決於AI需求的持久力、全球產能分配的調整，以及地緣政治等多重變數的複雜互動作用。對產業參與者而言，競爭的核心已不再是簡單的產能擴張，而是在這場由AI引領的變革中，能否精準掌握技術演進與市場格局重構的節奏，做出前瞻性的戰略佈局。於全球巨頭而言，這是鞏固技術溢價的機會；對國產企業來講，這也是縮小差距的關鍵窗口，儲存周期的最終形態，將由技術突破速度、需求持久力與供應鏈博弈結果共同書寫。 （環球老虎財經app）