台北時間8月25日，蘋果發佈新一代M6和M5 Ultra晶片。其中，M6首次採用2奈米製程，面向日常辦公、開發、創作和端側AI任務；M5 Ultra則通過全新的四晶片封裝架構，將蘋果桌面晶片的性能、記憶體容量和本地AI能力推向新高。 兩款晶片分別搭載於全新Mac mini和Mac Studio。蘋果稱，M6帶來了更高的單線程性能、更強的圖形處理能力和更快的端側AI計算；M5 Ultra則面向3D渲染、專業視訊製作、科學計算以及運行超大規模本地AI模型等工作負載，成為蘋果迄今最強大的M系列晶片。 01 M6首次進入2奈米時代

台積電還在贏 韓媒 ETNews 8 月 18 日報導，台積電已成功開發並驗證了業界首個採用“超級供電軌”（Super Power Rail，SPR）背面供電技術的埃米級 CMOS 平台 A16。這一突破的核心在於，A16 在引入背面供電的同時，保留了此前 N2P 工藝的柵極密度與設計靈活性（NanoFlex），實現了與現有設計生態的高度相容。 隨著半導體工藝向 2 奈米及以下演進，晶片內部的“交通問題”日益嚴峻。在傳統晶片中，供電線路與訊號線路共同擠在晶片正面：工藝越微縮，兩條線路在狹窄空間中的相互干擾就越嚴重，導致布線擁塞加劇、電阻增大，進而引發電壓下降（IR Drop）問題。 背面供電技術正是為瞭解決這一瓶頸而生——將供電網路移至晶片背面，為正面訊號布線騰出空間。然而，這一技術路線長期面臨一個難題：要改為背面供電，通常需要對電晶體佈局和單元結構進行大幅改動，往往意味著要犧牲部分現有的設計庫和工藝經驗。

三星晶圓代工業務因HBM Base Die出貨擴大和4nm良率提升至80%，今年6月實現扭虧，為2023年以來首次單月盈利，三季度有望季度轉正。台積電產能飽和促使特斯拉、Groq及Meta等回流三星以分散供應鏈。但三星市佔率仍大幅落後台積電。 $三星電子 (005930.KR)$晶圓代工業務在經歷長達數年的虧損後，終於迎來轉折信號。 據韓國半導體行業消息，三星電子晶圓代工事業部今年6月實現單月盈利，這是該部門自2023年以來首次錄得月度盈利。HBM（高帶寬內存）基礎晶片（Base Die）出貨量的持續擴大，疊加4nm工藝良率的顯著改善，共同推動了這一轉變。 上述改善勢頭令三星內部對三季度實現季度盈利轉正持樂觀態度。與此同時，公司在人工智慧晶片代工領域的客戶佈局也在加速推進——繼特斯拉AI6晶片訂單之後，Groq晶片生產以及與Meta、Anthropic的潛在合作相繼浮出水面，市場對三星晶圓代工業務復甦的預期進一步升溫。

Q：玻璃基板的整體工藝流程是怎樣的？ A：玻璃基板加工首先需要採購玻璃原片，然後進行TGV雷射打孔，在超薄玻璃上打出微米級孔，再將銅填充至孔內並確保上下貫通（即保證通孔率），之後進行布線和製作多層結構。 Q：其中最大的增量環節在那裡？ A：增量主要集中在玻璃基加工環節，但該環節涉及多個步驟，並非由單一廠商完成。玻璃原片主要由海外C、A、S等海外廠商供應，國內K、C、Q等也在驗證和研發中。雷射打孔裝置方面，海外主要使用L，國內有D1、D2、D3等，個別企業佈局較早，但各家差距不大，未來格局尚不確定。此外，孔內填銅及提高銅與玻璃附著力的工藝也是難點。

三星電子近日宣佈，已成功生產出基於10a工藝的DRAM工作晶片（working die），標誌著其正式邁入10奈米以下的儲存技術新時代。技術突破核心：4F²單元結構與垂直溝道電晶體此次突破的關鍵在於兩項核心技術的融合應用：4F²單元結構和垂直溝道電晶體（VCT）。傳統的DRAM單元採用6F²佈局，而全新的4F²結構將單元密度提升了30%至50%，顯著提高了晶片的儲存容量和能效。同時，VCT技術通過將電容器堆疊在電晶體上方，實現了更緊湊的佈局和更高的整合度。量產時間表與技術路線圖根據三星的規劃，10a DRAM技術將於2026年完成開發，2027年進行質量測試，並計畫在2028年實現大規模量產。此外，三星還計畫在10a、10b、10c三代產品中持續應用4F²和VCT技術，並在10d節點時過渡到3D DRAM架構，進一步提升儲存密度和性能。挑戰：材料難題與對手競爭儘管技術前景廣闊，但三星在材料選擇上仍面臨挑戰。例如，通道材料從矽轉向IGZO以減少漏電，但字線材料仍在評估中。此外，鉬（Mo）作為替代TiN的材料，雖具有較低電阻，但在腐蝕性和固態處理方面存在難題，需要重大工藝基礎設施調整。與此同時，SK海力士也在積極佈局4F²和VCT技術，計畫在10b節點應用，但其面臨邏輯工藝線建設的權衡問題。這表明，全球儲存市場正進入新一輪的技術競賽，各廠商都在爭奪下一代DRAM技術的主導權。 (銳芯聞)

華虹半導體擬更名。華虹半導體發佈2025年年報，銷售收入約24億美元，同比增長19.9%，毛利率11.8%，營收逐季攀升，Q3、Q4 創歷史新高；歸母淨利潤5488.1萬美元，財務及其他費用分別同比降低29.8%和80.5%，成本最佳化成效顯著。華虹半導體聚焦 “特色工藝” 核心戰略，嵌入式非易失性儲存器、獨立式非易失性儲存器、模擬與電源管理、邏輯與射頻、功率器件五大平台協同發力，各工藝線均實現技術迭代與規模量產。嵌入式非易失性儲存器平台，2025年銷售收入同比增長16.2%，消費電子與汽車電子MCU市場需求增長，40nm eFlash客制化平颱風險量產、55nm eFlash工藝平台大規模量產；獨立式非易失性儲存器平台，持續推進NORD快閃記憶體與ETOX快閃記憶體工藝的技術迭代，銷售收入同比增長44.2%；模擬與電源管理平台，得益於AI周邊強勁需求以及消費、工業等領域的復甦驅動，2025年銷售收入同比增長41.4%，90nm BCD平台大規模量產；邏輯與射頻平台，40nm超低功耗特色工藝進入量產，向低功耗細分市場滲透，55/40nm特色工藝&RFCMOS工藝大規模穩定量產；功率器件平台，1.6um IGBT產品投入佔所有IGBT產品的比例快速提升，同時持續推出迭代工藝。2025年華虹半導體研發投入19.94億元，佔比11.53%，累計獲授權專利4913件；付運晶圓538.4萬片（折合 8 英吋），同比上升18.5%，總體產能利用率達106.1%，居行業領先水平。2025年，華虹半導體產能擴張穩步推進，12英吋產線第一階段產能建設已達成目標，加速產能釋放，第二階段產能擴展裝置持續搬入中，計畫於2026年三季度達成規劃產能目標；華力微收購事項有序推進。本次交易有利於釋放“1+1>2”的乘數效應，進一步豐富工藝平台覆蓋滿足客戶多元化代工需求，強化公司整體盈利能力與規模優勢。回顧2025年，華虹半導體董事會主席、總裁兼執行董事白鵬博士表示，全球半導體行業格局急速演變，人工智慧與周邊應用驅動市場加速進階，成熟製程晶片市場亦迎來穩健復甦。值此之際，華虹半導體以卓越的技術與管理為引領，積極推進產能增長計畫，踏上轉型跨越的新征程。展望2026年，白鵬博士表示，全球半導體市場有望繼續保持增長。面對新機遇，華虹半導體將持續強化工藝能力與產能兩大核心競爭力，堅持研發投入、深耕市場拓展、深化客戶合作、共築產業生態，共赴長遠未來。值得一提的是，華虹半導體在港交所公告，華虹半導體有限公司（華虹公司：688347.SH；華虹半導體：01347.HK）擬變更公司名稱為“華虹宏力半導體有限公司”，變更證券簡稱為“華虹宏力”，證券程式碼保持不變。以上變更待有關單位批准後實施。此次更名後，公司名稱將與旗下核心營運子公司名稱統一，滬港兩地股票簡稱統一，實現品牌協同，減少市場識別成本。該事項尚需提交股東大會審議，公司主營業務及發展方向均不發生改變。 (半導體產業縱橫)

有希望嗎？據日本共同社10日報導，日本半導體公司 Rapidus 計畫在 2027 財年下半年開始生產 2nm 製程晶片、2028 財年開始正式生產。根據 Rapidus 向日本經濟產業省提交的業務規劃，其初期月產能設定為 6000 片晶圓，目標在量產啟動後約一年內將產能提升至約 2.5 萬片，實現四倍增長。，位於北海道千歲市的 Rapidus 工廠將承擔從晶圓製造到晶片切割、封裝的全流程生產任務。技術層面，該項目面臨兩大核心挑戰：一是需同步協調 200 余台精密製造裝置實現穩定運行，二是提升產品良品率。很顯然，良品率直接關係到其晶片性能與生產成本，而作為代工企業，Rapidus 還需確保獲得持續穩定的客戶訂單以維持工廠運轉。該公司計畫以 2nm 製程量產為起點，每兩至三年推進更先進的 1.4 奈米及 1.0 奈米製程量產。 (AMP實驗室)

台積電悄然宣佈已開始量產採用其N2（2nm級）工藝的晶片。該公司並未發佈正式新聞稿宣佈量產啟動，但此前曾多次表示N2工藝有望在第四季度實現量產，因此該計畫已達成。台積電在其 2nm 技術網頁上發表聲明稱：“台積電的 2nm (N2) 技術已按計畫於 2025 年第四季度開始量產。 ”N2工藝採用第一代奈米片電晶體技術，在性能和功耗方面實現了全節點提升。台積電還開發了低電阻重分佈層（RDL）和超高性能金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容器，以進一步提升性能。台積電N2技術在密度和能效方面都將成為半導體行業最先進的技術。憑藉領先的奈米片電晶體結構，N2技術將帶來全節點性能和功耗優勢，以滿足日益增長的節能計算需求。通過我們持續改進的戰略，N2及其衍生技術將進一步鞏固台積電的技術領先地位，並使其在未來很長一段時間內保持領先地位。”從性能提升的角度來看，N2 的設計目標是在相同功耗下實現 10%–15% 的性能提升，在相同性能下降低 25%–30% 的功耗，並且對於包含邏輯、模擬和 SRAM 的混合設計，電晶體密度比 N3E 提高 15%。對於純邏輯設計，電晶體密度比 N3E 高出 20%。台積電的N2工藝是該公司首個採用環柵奈米片電晶體（GAA）的工藝節點。在這種電晶體中，柵極完全環繞由水平堆疊奈米片構成的溝道。這種幾何結構改善了靜電控制，降低了漏電，並能夠在不犧牲性能或能效的前提下實現更小的電晶體尺寸，最終提高了電晶體密度。此外，N2工藝還在電源傳輸網路中加入了超高性能金屬-絕緣體-金屬（SHPMIM）電容器。這些電容器的電容密度是上一代SHDMIM設計的兩倍以上，並將薄層電阻（Rs）和過孔電阻（Rc）降低了50%，從而提高了電源穩定性、性能和整體能效。台積電首席執行長魏成成在10月份的公司財報電話會議上表示：“N2晶片的量產進展順利，有望在本季度晚些時候實現，良率良好。我們預計，在智慧型手機和高性能計算人工智慧應用的推動下，2026年產能爬坡速度將加快。”有趣的是，台積電已開始在其位於台灣高雄附近的Fab 22工廠生產2奈米級晶片。此前，市場預期台積電會在Fab 20工廠（位於台灣新竹附近）開始提升N2工藝晶片的產能，該工廠毗鄰其新的全球研發中心，N2系列製程技術正是在該中心研發的。Fab 20工廠的量產可能會稍晚一些。台積電將在全新的晶圓廠大規模量產N2工藝晶片，這始終存在一定的挑戰性。值得注意的是，該公司將在新晶圓廠同時量產智慧型手機以及更大型的“人工智慧”和“高性能計算”晶片（需要注意的是，高性能計算是一個寬泛的概念，涵蓋了從遊戲主機SoC到高性能伺服器CPU等各種應用），這將增加一些額外的複雜性。通常情況下，台積電會優先量產移動和小型消費級晶片。同時啟動兩座具備N2工藝能力的晶圓廠建設，是因為台積電的眾多合作夥伴對這項新工藝技術表現出濃厚的興趣，因此需要為所有合作夥伴提供充足的產能。此外，從2026年底開始，這兩座晶圓廠將用於生產基於N2P（N2工藝的性能增強版）和A16（N2P工藝的升級版，採用Super Power Rail背面供電設計，專為複雜的AI和HPC處理器打造）的晶片。魏補充道：“秉承持續改進的戰略，我們將推出N2P，作為N2系列產品的延伸。N2P在N2的基礎上進一步提升了性能和功耗，計畫於2026年下半年量產。此外，我們還推出了A16，它採用了我們一流的超強電源軌（SPR）。A16最適合具有複雜訊號路徑和密集供電網路的特定高性能計算（HPC）產品。A16的量產也正按計畫進行，將於2026年下半年投產。” (半導體行業觀察)