坐等根據瑞銀（UBS）近期發佈的一份報告，中國半導體裝置領軍企業北方華創（NAURA）在關鍵的深孔刻蝕技術上取得了重大進展。北方華創成功攻克了 90:1 高縱橫比（HAR）深孔刻蝕技術，這為國記憶體儲晶片廠商實現300層以上3D NAND快閃記憶體的製造奠定了裝置基礎。3D NAND技術是當前儲存晶片提高密度的核心路徑，廠商通過不斷堆疊儲存單元層數來提升容量。隨著層數從128層邁向200層乃至300層，對製造工藝的要求也達到了極致。晶片製造商需要在數微米厚的多層材料中，垂直打出直徑僅幾十奈米的“通孔”，以連接各層儲存單元。當層數達到300層以上時，所需的深寬比（即深度與直徑之比）將達到90:1或更高。深孔刻蝕正是實現這一目標的最苛刻工藝之一，長期以來由美國泛林（Lam Research）和日本東京電子（TEL）等國際巨頭主導。在美國對華實施半導體裝置出口管制、先進儲存裝置禁運的背景下，國記憶體儲廠商對核心裝置的中國國產化需求已上升為“必選項”。北方華創此次的技術突破，正是在這一戰略關鍵期的重要進展。值得一提的是，中國另一家刻蝕裝置龍頭中微公司此前也已宣佈具備90:1深孔刻蝕能力，並正在加速攻克100:1技術，顯示出中國裝置廠商在這一領域整體的奮起直追態勢。瑞銀分析指出，如果北方華創的90:1刻蝕裝置能順利獲得中國NAND晶圓廠的訂單，預計將為公司打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，由於中國邏輯晶片廠商對先進製程裝置的需求持續旺盛，北方華創來自邏輯客戶的收入也有進一步增長潛力。基於對市場需求的樂觀判斷，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠裝置（WFE）收入預測分別上調1%和8%。事實上，北方華創的業務佈局已覆蓋多個高增長領域。公司近期在投資者互動平台上透露，隨著 HBM（高頻寬記憶體）市場需求的爆發，公司在HBM晶片製造領域已形成完整的解決方案。這包括深矽刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心裝置。面對投資者關於“美系裝置斷供下訂單情況”的提問，北方華創回應稱，目前公司在儲存裝置和成熟製程裝置方面的訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用於中國主流晶片廠商的生產線。當前，AI、雲端運算等新興應用正在推動儲存晶片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025 年至2027年全球HBM產能將增長超過300%。中國作為全球最大的儲存晶片消費市場，本土製造的迫切需求為北方華創等中國國產裝置商帶來了歷史性的發展機遇。此次突破，使得國記憶體儲晶片廠商在關鍵裝置採購上擁有了可靠的本土選項，極大地降低了外部管制帶來的風險。配合中微公司的同步進展，中國國產刻蝕裝置正在形成強大的叢集效應，這對於儲存器產業實現自主可控具有里程碑意義。目前中國市場對儲存晶片的依賴度，仍以韓國的三星和 SK 海力士為主，美光也佔據重要地位，有大量的市場等待開拓。當下中國國產DRAM佔據全球市場份額僅3~5%，而NAND快閃記憶體領域也不過是5~8%。而中國是全球雲端運算和 AI 基礎設施增長最快的市場之一，對高性能伺服器記憶體的需求巨大，同時也是全球最大的智慧型手機和 PC 製造及消費市場，對DRAM的需求佔比預估為30~40%。隨著資料中心和 PC 市場對固態硬碟的需求增加，NAND快閃記憶體的需求量持續攀升，在手機儲存上也需要大量的UFS儲存晶片，因此對NAND快閃記憶體的產能需求同樣巨大，佔全球產能1/3左右。而若要實現中國國產裝置儲存全面自主化，這些待開拓的市場價值超過三千億元，這對於我們的企業既是機會也是挑戰。希望我們的儲存晶片企業能夠抓住這次機會，趁上行期好好擴充產能，為全面自主添磚加瓦。 (AMP實驗室)

近日儲存大廠向終端客戶更新DDR、LPDDR、NAND、eMMC最新價格,漲幅20%-46%不等，具體如下：DDR4:16Gb最新價格18$,漲幅20%8Gb最新價格8.1$,漲幅11%4Gb最新價格3.7，漲幅19%LPDDR4/4x最新價格$1.1/Gb，漲幅46.7%LPDDR5/5x最新價格$0.62/Gb，漲幅29.2%V-NAND:128GB 最新價格11.4$,漲幅30%64GB 最新價格7.2$,漲幅33%32GB v6 最新價格6.5$,漲幅39%eMMC:64GB最新價格13.2$,漲幅20%32GB最新價格7.2$,漲幅20%16GB最新價格6.2$,漲幅29%8GB最新價格4.55$,漲幅38%4GB最新價格4.45$,漲幅39% (儲存圈)

11月18日消息，中芯國際表示，該公司的產線非常滿，三季度產能利用率達到95.8%，訂單很多，產線供不應求。四季度指引沒有大的躍升的原因之一是手機市場現在儲存器特別緊缺，價格也漲得非常厲害。“中芯國際承接了大量模擬、儲存包括 NOR/NAND Flash、MCU 等急單，為保障交付，主動將部分非緊急手機訂單延後，這也使得手機業務佔比短期有所下降。”該公司稱。據中芯國際財報顯示，該公司前三季度營收約495.1億元，同比增加18.2%；歸屬於上市公司股東的淨利潤約38.18億元，同比大增41.1%；毛利率為 23.2%，同比增長5.6個百分點。單看第三季度，中芯國際營業收入171.62億元，環比增長6.9%；實現淨利潤15.17億元，同比增長43.1%；毛利率為25.5%，環比上升4.8個百分點；產能利用率上升至95.8%，環比增長3.3個百分點。財報顯示，中芯國際的產能利用率進一步提升，從第二季度的92.5%上升至95.8%，折合8英吋標準邏輯月產產能達到百萬片。整體來看，儲存的影響是雙向的。對當前是提拉訂單，對來年是看不清。據觀察，儲存供應短缺或過剩5%就有可能給價格帶來成倍的影響。目前行業供應存在缺口，預計高價位態勢將持續。此外，NOR Flash、NAND Flash及MCU等產品驗證周期長、替代門檻高。即便有新廠商嘗試進入，從流片到規模化量產也需至少16個月。這意味著在未來一段時間內，現有供應商的市場地位將保持穩定，難以被快速替代。在11月4日舉行的業績說明會上，中芯國際聯合首席執行官趙海軍表示，公司產量上升“主要是因為產業鏈切換加速進行，以及管道還在備貨補庫存，公司積極配合客戶保證出貨”。晶圓平均銷售單價環比增長3.8%，是由於產品組合變化，製程複雜的產品出貨增加。趙海軍提到，四季度雖然是傳統淡季，客戶備貨有所放緩，但產業鏈切換迭代效應持續，淡季不淡。因此，公司給出的四季度收入指引為環比持平到增長 2%；產線整體上繼續保持滿載；毛利率指引為 18%到20%，與三季度指引相比持平。據此預測，公司全年銷售收入預計超過90億美元。 (國芯網)

隨著人工智慧（AI）資料中心的擴展，NAND產品在AI記憶體市場的重要性正迅速增長。儘管與DRAM相比，AI帶來的益處曾較為有限，但企業級固態硬碟（eSSD）能夠快速處理和儲存大量資料，使得NAND價格和銷售額進入上升軌道。據外媒報導，SanDisk（閃迪）公司首席執行官David Goeckeler在三季度財報的發佈中表示：“明年將是資料中心NAND需求首次超過移動領域的第一年。”他指出：“NAND的需求正超過供應，這一趨勢將持續到明年年底之後。”其他主要NAND供應商也對市場做出了類似評估。三星電子在上個月的財報中談及NAND市場狀況時表示：“即使考慮到我們明年生產能力的擴張，客戶需求仍將超過供應，導致供需之間存在顯著缺口。”SK海力士也表示，其明年的NAND產量已經“全部售罄”，並補充道：“一些供應商現在正尋求籤署長期供應合同。”NAND供需之間的不平衡導致產品價格不斷上漲。用於儲存卡和USB 隨身碟的128Gb MLC NAND快閃記憶體固定交易價格在9月上漲了10.6%，10月進一步上漲14.9%，創下十年來的最大漲幅。據報導，三星電子和閃迪最近決定將NAND供應價格提高10%。此外，一種被稱為“HBF”的下一代儲存技術也備受關注。該產品通過類似高頻寬記憶體（HBM）的方式堆疊NAND晶片，旨在保持HBM的優點，同時利用NAND的特性來解決HBM的容量限制問題。SK海力士和閃迪已開始聯合開發HBF，並計畫於2027年開始生產。 (芯聞眼)

顯示卡很快就要受到影響集邦諮詢最新市場報告顯示，DRAM和NAND快閃記憶體市場均持續強勁的漲價勢頭，其中一個關鍵指標預示著記憶體模組價格即將迎來新一輪大幅上漲。目前，現貨市場上 DDR4 和 DDR5 產品的晶片（顆粒）報價正在持續攀升。更值得注意的是，DRAM 晶片的報價已經顯著超過了同容量記憶體模組的整體報價——這一消息實際上已經在約兩周前我從上游管道確認。集邦諮詢分析認為，晶片與模組之間價差的拉大，意味著現貨市場中的記憶體模組價格在短期內將迅速上漲，以縮小與晶片成本之間的差距。對於DRAM晶片，本周主流 DDR4 晶片（1GB×8 3200MT/s）的平均現貨價格相比上周上漲了 7.10%，達到了 11.857 美元。儘管由於賣方惜售和貨源有限，實際交易量目前偏低，但價格上漲的趨勢非常明確。正如很多論壇、討論組流傳的那樣，不少廠商已經停止報價，等待進一步價格變動。而在NAND晶片上，現貨市場同樣受到合約市場價格強勁拉動的帶動，報價的上漲幅度和頻率都在增加。由於供貨緊張，部分中小型買家開始轉向現貨市場採購，而現貨貿易商也因貨源稀缺而延遲出貨、惜售。在報價方面，本周512Gb TLC晶圓的現貨價格出現了17.07%的暴漲，達到 6.455 美元。集邦諮詢預計，短期內現貨市場供應將保持緊張，漲價動能有望持續到下一季度。當下，晶片製造商在上游環節擁有絕對的議價權，惜售心理和 AI 需求導致的產能擠壓，使得晶片成本被急劇抬高。記憶體模組廠商的利潤空間被嚴重壓縮甚至倒掛，這必然會促使模組廠商在短期內大幅上調成品價格，以彌補成本並確保利潤。而在更上游，近日摩根士丹利（Morgan Stanley）近日發佈了一份名為《記憶體——最強定價權》（Memory–Maximum Pricing Power）的行業報告，明確看好儲存晶片行業的未來走勢，並基於此上調了韓國兩大儲存晶片巨頭三星電子和 SK 海力士的目標股價。摩根士丹利在報告中指出，驅動這輪“儲存晶片超級周期”的核心力量，是超大規模人工智慧（AI）營運商之間日益激烈的競爭。這些 AI 巨頭對元件成本的敏感度較低，持續推動著動態隨機存取儲存器（DRAM）和 NAND 快閃記憶體價格的上漲。該行強調，儲存行業投資邏輯簡單明了：“在周期上行階段，利潤率會擴大、股價會上漲、企業創造巨額利潤，投資者則從中獲得高回報。”當前 DRAM 價格已經超越了歷史最高水平，而新的價格峰值通常會伴隨著新的股價峰值。摩根士丹利評估認為，本輪上漲有強勁的盈利作為支撐，且 AI 的長期增長動力依舊強勁，因此記憶體價格上漲已進入“前所未有的領域”。摩根士丹利預測，DRAM 價格在接下來的幾周內將繼續大幅上漲。此外，受強勁的企業級固態硬碟（eSSD）訂單推動，NAND 合約價格在第四季度也可能上漲 20% 至 30%。該行判斷，考慮到 AI 基礎設施投資的規模，本輪價格峰值將超過 2018 年雲端運算超級周期的高點。本輪超級周期本質是由於AI行業爆火使得HBM擠佔了通用DRAM產能，為了生產高利潤的 HBM，三星、SK 海力士等儲存晶片巨頭將產能從傳統的 DDR/GDDR 生產線轉移。雖然GDDR視訊記憶體和DDR記憶體屬於不同類型，但它們共享大部分基礎晶圓產能和製造資源。當通用 DRAM 供應被 HBM 大量擠壓時，GDDR 視訊記憶體的供應同樣會受到衝擊，成本自然水漲船高。前天我已經從管道收到消息，G7 2GB顆粒報價已經提升了10美元，也就是說當下16GB的RTX 50顯示卡預計價格要上漲700元左右。而結合此前消息稱RTX 50SUPER延期至明年Q3季度，加上輝達或將視訊記憶體採購轉移給AIC夥伴，這一消息大機率是真的，只是目前資訊傳達具有遲滯性，加上市面上庫存還較多，但是預計最多一個季度，這一漲價潮就要傳播到顯示卡類目上。 (AMP實驗室)

受最新的漲價消息刺激，疊加多家投行上調目標價，美國快閃記憶體龍頭晟碟股價周一大幅上漲。受最新的漲價消息刺激，疊加多家投行上調目標價，美國快閃記憶體龍頭晟碟（SanDisk）股價周一大幅上漲。截至周一收盤，晟碟股價上漲11.89%，報267.95美元，盤中一度觸及270.91美元的歷史新高。近兩個月，該股股價已經翻了5倍，主要原因是AI 熱潮催生NAND快閃記憶體需求激增，而與此同時供應端受限加劇供需失衡。與此同時，美股儲存概念股周一也悉數大漲，除晟碟一騎絕塵外，美光科技漲超6%，希捷科技漲超5%，西部資料漲近7%。▌接連獲上調目標價周末有消息稱，晟碟11月大幅調漲NAND快閃記憶體合約價格，漲幅高達50%。值得注意的是，這是晟碟今年以來至少第三次漲價，其在4月宣佈全系漲價10%之後，又在9月初針對全部管道和消費類產品執行10%普漲，打響儲存漲價“第一槍”，並引發了美光等儲存龍頭跟進漲價。近日，包括高盛在內的多家投行機構上調了晟碟目標價。高盛將晟碟2025-2027財年的每股盈利預期分別提高69.2%、83.6%和85%，同時將公司未來12個月的目標價從140美元提高至280美元。而研究機構伯恩斯坦法興集團（Bernstein SocGen Group）比高盛還猛。周一將晟碟目標價從120美元上調至300美元（上調幅度高達150%），同時維持"跑贏大盤"評級，此舉是基於該公司強勁的季度業績。上周，晟碟公佈了2026財年第一季度業績，營收、利潤率及每股收益均大幅超出市場預期，並給出了顯著強於預期的2026 財年第二季度業績指引。伯恩斯坦將晟碟出色的業績表現歸因於需求強勁導致庫存減少和銷量增加，同時指出更強勁的銷售定價也促成了這一佳績。該機構還指出，當前的定價環境仍然"極具韌性"。基於這些因素，伯恩斯坦大幅提高了其預估，主要是由於預計強勁的定價將持續至2026年第三季度末。該機構將晟碟2026財年每股收益預估上調至14.10美元，2027財年每股收益預估上調至28.15美元。此外，傑富瑞和瑞穗證券等投行近日也紛紛上調了晟碟目標價，理由是有利的定價環境和不斷增長的人工智慧伺服器需求。有行業研報指出，AI浪潮席捲全球，儲存晶片短缺愈演愈烈，一場由需求驅動的擴產大幕正徐徐拉開。隨著三星、SK海力士、美光等儲存海外原廠將資本開支傾斜於HBM（高頻寬儲存器）為代表的高端儲存產品，傳統儲存的供需缺口預計將至少持續至明年。 (科創板日報)

根據《科創板日報》、《電子時報》、Tom's Hardware等媒體報導：閃迪（SanDisk），作為快閃記憶體領域的龍頭廠商之一。11月將大幅調漲NAND快閃記憶體合約價格，漲幅高達50%。這是閃迪年內的至少第三次漲價，此前在4月和9月初已分別執行過約10%的漲價。這次大幅漲價已在供應鏈中引發了一系列連鎖反應：供應鏈震動：突如其來的大幅漲價導致多家記憶體模組廠，如創見（Transcend）、宜鼎國際（Innodisk）和宇瞻科技（Apacer Technology）等，決定暫停出貨並重新評估報價。其中，創見自11月7日起已暫停報價和交貨。報導中提及的幾家模組廠在2025年第三季度的財務資料非常亮眼，從側面印證了儲存市場正處於高景氣周期。例如：創見：第三季度營收同比增長63%，淨利潤同比飆升334%。宜鼎國際：營收同比增長64%，淨利潤跳增近250%。本輪漲價的核心驅動力是AI資料中心需求爆炸式增長，同時晶圓供應受限，導致行業供需缺口迅速拉大。此外，儲存原廠將大量產能轉向利潤更高的HBM（高頻寬記憶體）和DDR5，也加劇了傳統NAND快閃記憶體的供應緊張。SanDisk將NAND價格上調50%”，它並非孤立事件，而是當前由AI驅動、供需失衡導致的全球儲存市場結構性變化的一個集中體現。 (儲存圈)

記憶體晶片產業進入AI驅動的超級周期2025年下半年，全球記憶體晶片市場正經歷一場前所未有的變革。從2024年底開始的價格復甦已經演變為全面的"超級周期"，DRAM和NAND Flash價格持續上漲，庫存水準降至歷史低位，產能利用率接近滿載。這場由人工智慧需求爆發驅動的產業景氣度提升，不僅重塑了傳統的供需格局，也加速了技術創新和產業競爭格局的演變。根據最新市場數據，2025年第三季DRAM市場綜合價格指數上漲19.2%，NAND Flash上​​漲5%。進入第四季，漲勢進一步加劇，DRAM整體價格預計季增13%-18%，部分產品價格調漲幅度高達30%。更令人矚目的是，這種漲價潮已經持續超過半年，打破了記憶體晶片產業3-4年一輪的傳統周期規律。本文旨在深入分析DRAM和NAND Flash在2025年11月至2027年11月這段關鍵時期的市場趨勢，並聚焦在供需結構變化、技術發展趨勢和競爭格局演變三大核心維度。透過全球主要廠商產能規劃、AI驅動需求成長、技術路線圖以及地緣政治影響的綜合分析，為產業參與者提供參考。一、DRAM市場中期走勢分析（2025-2027年）1.1 供需結構：產能擴張受限與需求爆炸性成長供給端呈現結構性緊張格局。截至2025年第三季度，全球DRAM月產能約150萬片（12吋晶圓），其中三星66萬片、SK海力士43.5-48.5萬片、美光41.8-42萬片，三大廠商合計佔比超過90%。目前產能利用率已達82%，處於正常供需區間（80%-85%）的上限。然而，供給端面臨多重約束。首先，DDR4產能加速退出成為供給緊張的重要原因。三星已於2025年6月停止DDR4接單，12月完成最後出貨；SK海力士將DDR4產能壓縮至20%，計畫2026年4月全面停產；美光第四季停止DDR4供應，僅保留工業客製化訂單。其次，產能向高階產品傾斜，原廠將資源優先分配給HBM和DDR5，導致標準DRAM（DDR5、LPDDR）供應短缺。展望未來1-2年，主要廠商的產能擴充計畫相對保守：需求端呈現爆發式成長態勢。 AI伺服器成為最主要的成長驅動力，單一AI伺服器DRAM容量是一般伺服器的8倍。根據瑞銀預測，2025年DRAM位元需求成長20.6%，2026年成長19.1%。 SK海力士更是預計2026年DRAM出貨量較去年同期成長超20%，且已鎖定2026年所有產能的顧客需求。供需缺口將持續擴大。根據產業分析，2026年DRAM整體供給與需求預計有近3個百分點的缺口。這種供需失衡的根本原因在於：一方面，HBM等高階產品消耗的晶圓容量是標準DRAM的三倍以上，嚴重擠佔了傳統DRAM產能；另一方面，AI應用的快速普及推動了對高效能儲存的需求呈指數級增長。1.2 需求驅動：AI伺服器引領，多情境需求共振AI伺服器需求呈現爆發式成長。 2025年全球AI伺服器出貨量預計達13.3百萬台，佔14%。到2027年，AI相關應用將佔據DRAM市場53%的份額。以輝達H100為例，單一伺服器需搭配640GB HBM、2-4TB DDR5，相較傳統伺服器儲存容量提升4-8倍。HBM需求尤為強勁。 2025年HBM總需求年增89%，2026年預計成長67%。更值得關注的是，三星、SK海力士與美光的2026年HBM產能已基本預訂完畢。 SK海力士2025年全年HBM產能較2024年翻倍，M15X新廠專門生產面向HBM4的第五代10nm級DRAM晶片。消費級需求同步成長。 AI手機、AI PC等終端產品推動記憶體容量提升，如iPhone 17標準版記憶體最低8GB。筆記型電腦平均DRAM容量從2023年的10.5GB成長到2024年的11.8GB（成長12%），2025年隨著AI筆電滲透率從1%提升至20%，預計容量將持續成長7%以上。企業級需求穩健成長。資料中心伺服器儲存需求年增超50%，單一容量需求提升3-5倍。隨著AI推理的持續落地，KVCache逐步從HBM卸載至DRAM和SSD，進一步帶動DDR5、eSSD等整體儲存需求成長。1.3 技術發展：DDR5/DDR6演進與HBM技術突破DDR5技術快速普及。 DDR5初始資料速率從4.8 Gbps起步，高階模組可達6.4 Gbps，單一頻寬較DDR4提升2.6倍。 2025年DDR5在伺服器市場的滲透率快速提升，預計2026年將成為主流。 DDR6技術也在研發中，預計2027-2028年開始量產，將帶來更高的頻寬和更低的功耗。HBM技術迎來重大突破。 HBM4預計2025年第四季開始初步出貨，2026年大規模量產。 HBM4將採用單層24Gb DRAM元件，12層或16層堆疊，單顆容量從HBM3e的36GB提升至48GB。三星計畫2025年下半年量產HBM4，採用4nm邏輯製程與10nm DRAM製程，目標良率突破80%。技術路線分化明顯。在製程選擇上，三星選擇1c DRAM用於HBM4，而SK海力士和美光選擇繼續使用1b DRAM。這種差異化策略反映了各廠商在技術路徑和量產時間上的不同考量。 SK海力士正全力推動第5代1b DRAM的產能提升，計畫將月產能從年初的1萬片激增至年底的9萬片，到2026年上半年進一步提升至14-15萬片。新興技術嶄露頭角。 CXL（Compute Express Link）互連技術的發展將改變傳統的儲存架構，實現CPU、GPU和記憶體之間的高速互連。儲存層級記憶體（Storage Class Memory）技術如Intel的Optane雖然已經停產，但其技術理念將推動新一代非揮發性記憶體的發展。1.4 競爭格局：三強壟斷加劇與中國廠商崛起三強壟斷格局進一步強化。三星以35%的市佔率穩居第一，SK海力士約20%，美光約15%，三家合計佔近70%。在HBM市場，這種壟斷更為明顯，2025年HBM產能分配為：三星14萬片/月、SK海力士15萬片/月、美光6萬片/月。中國廠商加速追趕。 CX作為國內唯一能大量生產DDR4、DDR5記憶體的企業，市佔率快速提升。根據CounterPoint測算，CX DDR5市佔率將從2025年初的1%提升至年底的7%，LPDDR5從0.5%提升至9%。預計2025年市佔率達10%，2026年達15%。地緣政治影響加劇。美國的技術封鎖政策對市場格局有深遠影響。 2024年12月，美國將140多家中國企業列入限制名單，重點打擊晶片製造工具和高頻寬記憶體。 2025年8月，美國撤銷了三星和SK海力士在中國工廠的設備許可。作為反制，中國對用於14奈米以下邏輯晶片、256層以上記憶體晶片的稀土物項實施逐案核准。產業鏈本土化趨勢明顯。中國正在加速建構自主可控的儲存產業鏈。 YM的設備國產化率已達45%，首條全國產化產線將於2025年下半年導入試產。工信部印發指導意見，明確提出2027年國內記憶體晶片自給率要從目前的8%提升至25%，並設立1,000億元產業基金支援發展。二、NAND Flash市場中期走勢分析（2025-2027年）2.1 供需結構：產能利用率提升與結構性短缺供給端呈現恢復性成長。截至2025年第三季度，全球NAND月產能約170萬片（12吋晶圓），其中三星60萬片、SK海力士30.8-36.8萬片、美光23萬片、鎧俠/西部數據合計約40萬片。目前產能利用率為78%-80%，預估2025年第四季提升至90%（接近滿產）。回顧2024年，由於市場供過於求，三星、SK海力士、美光、西部數據和鎧俠等五大原廠紛紛採取減產措施。美光、海力士2025年計畫整體減產幅度均為約15%。但隨著需求復甦，減產措施正逐步退出，產能利用率快速提升。YM成為重要增量。 YM目前月產能約140-15萬片，佔全球3D NAND市佔率約8%-12%。根據規劃，YM將透過三期計畫實現產能躍升：2025年底前將月產能提升至15萬片，2026年啟動三期擴產5-6萬片，2028年三期達產後總產能將達30萬片/月，目標佔據全球15%的市場份額。需求端呈現結構性成長。 2026年NAND需求成長率預計為13.8%-20%，快於DRAM的15%左右。需求成長主要來自以下幾個方面：供需平衡趨於緊張。根據TrendForce預測，2026年NAND Flash需求成長率為13.8%，生產成長率為14.0%，供需基本平衡。但考慮到AI市場對儲存需求的快速上升，以及大容量QLC SSD的爆發性成長，實際上可能出現結構性短缺。閃迪高層更是表示，預計整個2026年NAND快閃記憶體市場將面臨供應不足。2.2 需求驅動：AI與資料中心引領，多情境需求共振資料中心成為最重要成長引擎。 AI訓練和推理對大容量、高速NAND的需求呈指數級增長。企業級SSD（eSSD）市場表現特別突出，2025年第四季價格漲幅預計超過10%。大容量QLC NAND在資料中心的應用快速成長，主要雲端服務供應商正在加速引入和驗證高容量QLC eSSD。AI手機推動儲存容量升級。隨著AI功能在智慧型手機的普及，對儲存容量的需求大幅提升。以iPhone 17為例，標準版儲存最低256GB，比前代有顯著提升。預計2025-2027年，AI手機將推動智慧型手機平均儲存容量從目前的128GB提升至256GB甚至512GB。汽車電子需求爆發。自動駕駛和ADAS系統對高可靠性、高頻寬NAND的需求快速成長。汽車級NAND需要滿足AEC-Q100等嚴格標準，具有更高的技術門檻和利潤率。預計2025-2027年，汽車電子將成為NAND成長最快的應用領域之一，年增率超30%。PC和筆電需求穩健成長。隨著作業系統和應用程式功能的不斷增強，對儲存容量的需求持續提升。特別是AI PC的興起，將推動筆記型電腦儲存容量從目前256GB/512GB向1TB甚至2TB升級。邊緣運算帶來新機會。隨著5G和物聯網的普及，邊緣運算設備對儲存的需求快速成長。這些設備通常需要高可靠性、低功耗的NAND解決方案，為NAND廠商提供了新的成長空間。2.3 技術發展：3D NAND堆疊層數突破與QLC/PLC演進3D NAND堆疊層數持續突破。 3D NAND技術正從200多層向400層以上快速演進：三星的技術路線最為激進。計劃在2030年實現1000層NAND，將引入"多BV"（multi-BV）NAND結構，透過堆疊四片晶圓來突破結構限制。為實現這一目標，三星將與長江儲存合作，使用其混合鍵結專利技術。QLC技術加速普及:QLC（四層單元）技術將密度增加到每單元4 bit，相比TLC可提供多33%的每單元bit。 QLC價格較TLC低10-20%，雖然壽命約為TLC的50%，但在資料中心等對成本敏感的應用上具有明顯優勢。目前QLC佔比約20%，未來3-5年可望升至50%，成為NAND主流。PLC技術嶄露頭角:PLC（五層單元）技術每單元可儲存5 bit訊息，將進一步提升儲存密度。雖然PLC在可靠性和壽命方面面臨更大挑戰，但在特定應用情境下具有成本優勢。預計2027-2028年PLC將開始在部分產品中試用。介面技術持續升級:ONFI 5.0標準實現2400MT/s速率，PCIe 5.0 x4介面頻寬達16GB/s。下一代介面標準將支援更高的速率，預計2026-2027年推出的新產品將支援3200MT/s以上的速率。2.4 競爭格局：國際巨頭主導與中國廠商快速崛起國際巨頭仍佔據主導地位:三星、SK海力士、美光、鎧俠/西部數據四大廠商合計佔據全球NAND市場約85%的份額。其中，三星憑藉技術領先及產能優勢，市佔率約35%；SK海力士約20%；美光約15%；鎧俠/西部數據合計約15%。YM成為最大變數:YM的快速崛起正在改變全球競爭格局。 2025年第三季度，YM全球市佔率首次達到9%，距離兩位數僅一步之遙。根據規劃，YM目標在2026年底佔據全球15%的市場份額，超越美光（目前16%）進入前三名。技術突破輔助競爭力提升:YM在技術上取得重大突破，其自主研發的Xtacking架構透過垂直分離儲存單元與外圍電路，將等效儲存密度提升至294層，位密度達15.03 Gb/mm²，超越三星、SK海力士的14.5-14.75 Gb/mm²，成為全球15909m0909099mm。地緣政治重塑競爭格局:美國的技術封鎖政策對NAND市場有重要影響。美光大連工廠的VEU豁免撤銷，2025年NAND資本支出下調。同時，中國透過政策支援與資金投入，加速推動NAND產業自主化。 YM第三廠實現全線國產設備，預計2026年建成投產，總產能將達30萬片/月。產業整合帶來新變數:鎧俠與西部數據的合併談判仍在進行中，雖然這一過程充滿不確定性，但一旦完成合併，將創造一個市值超過600億美元的儲存巨頭，對全球競爭格局產生深遠影響。三、技術發展趨勢：儲存架構變革與新型技術突破3.1 AI驅動的儲存架構革新HBM成為AI計算的關鍵使能技術。 HBM透過3D堆疊架構和矽通孔（TSV）技術實現多層DRAM晶片的垂直整合，徹底重建了記憶體頻寬的物理極限。相較於傳統DDR內存，HBM的頻寬可提升數倍至數十倍，能夠高效匹配AI晶片（如GPU、TPU）的海量資料吞吐需求，避免"算力強、儲存拖後腿"的瓶頸問題。CXL互連技術推動儲存架構變革。 CXL 3.0標準支援高達25.6 GT/s的互連速率，比PCIe 5.0快4倍，能夠實現CPU、GPU和記憶體之間的超低延遲互連。這種技術將推動儲存架構從傳統的"儲存-運算"分離模式朝向"記憶體池化"方向發展，大幅提升系統整體效能和資源利用率。儲存層級記憶體（SCM）技術商業化加速。雖然Intel的Optane已經停產，但其開創的儲存層級記憶體概念正在被新的技術路線繼承。 MRAM（磁阻隨機存取記憶體）、ReRAM（阻變記憶體）、FeRAM（鐵電隨機存取記憶體）等新型非揮發性記憶體技術正在快速發展。特別是ReRAM技術，已通過中芯國際28nm製程驗證，量產良率突破90%，標誌著國產ReRAM技術進入商用階段。3.2 製程製程與封裝技術進步先進製程推動性能提升。記憶體晶片的製程製程正從1z/1α向1β/1γ演進。三星、SK海力士、美光都在加速推進更先進的製程節點，預計2026-2027年將普遍採用1γ及更先進的製程。這些先進製程不僅能提升儲存密度，還能降低功耗、提高效能。先進封裝技術成為關鍵差異化因素。 3D堆疊、混合鍵結、扇出型封裝等先進封裝技術的應用，使得記憶體晶片能夠在有限的晶片面積內實現更高的容量和更好的性能。特別是在HBM領域，封裝技術的創新直接決定了產品的競爭力。三星計劃在400層NAND中引入晶圓鍵合技術，此技術可用於實現1000多層堆疊。存算一體架構嶄露頭角。隨著AI應用對算力需求的指數級增長，傳統的"馮諾依曼"架構面臨嚴重的"儲存牆"問題。存算一體（Computing in Memory）架構透過將運算功能整合到儲存單元中，能夠大幅減少資料搬移，提升運算效率。這種架構在AI推理、影像處理等領域具有巨大潛力。3.3 新型儲存技術的潛在影響相變記憶體（PCM）技術持續改進。 PCM技術具有高速讀寫、低功耗、高密度等優勢，特別適合作為儲存層級記憶體使用。隨著材料科學的進步和工藝技術的成熟，PCM的性能和可靠性不斷提升，預計在2026-2027年實現大規模商用。磁阻隨機存取記憶體（MRAM）市場快速成長。 MRAM具有非揮發性、高速讀寫、無限擦寫次數等優點，在汽車電子、工業控制等領域有廣泛應用。隨著自旋軌道力矩（SOT）技術的成熟，MRAM的密度和性能都有了顯著提升，預計2025-2027年市場規模將實現翻倍成長。阻變記憶體（ReRAM）迎來突破。 ReRAM憑藉其奈米級製程、低功耗、高密度等優勢，被認為是最有潛力的下一代儲存技術之一。 2025年8月，工信部發布《記憶體晶片產業三年行動計畫》，明確將ReRAM納入"卡脖子"技術攻關清單。預計未來2-3年，ReRAM將在特定應用場景實現商業化。鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）穩中有進。 FeRAM具有高速讀寫、低功耗、抗輻射等特性，在航太、JG等特殊領域具有不可取代的優勢。雖然市場規模相對較小，但在特定應用情境下具有獨特價值。四、競爭格局演變：市場集中度提升與區域化趨勢4.1 國際巨頭的策略調整與產能佈局三星：全面領先策略。三星在DRAM和NAND兩個領域都保持領先地位，透過技術創新和產能優勢鞏固市場地位。在DRAM領域，三星計畫2025年下半年量產HBM4，採用4nm邏輯製程與10nm DRAM流程，目標良率突破80%。在NAND領域，三星V10 NAND將實現420-430層堆疊，並規劃在2030年實現1000層NAND。SK海力士：聚焦高端產品。 SK海力士將策略重點放在HBM和高階DRAM產品上，2025年全年HBM產能較2024年翻倍。公司正在推動第5代1b DRAM的產能提升，計畫將月產能從年初的1萬片提升至年底的9萬片，2026年上半年進一步提升至14-15萬片。在NAND領域，SK海力士計畫將部分產能轉用於生產HBM，321層QLC量產領先其他家，體現了向高價值產品傾斜的策略。美光：技術創新與產能擴張並重。美光在技術創新上投入龐大，2025年資本支出佔營收30%，主要用於DRAM/HBM產能擴充。該公司計劃2027年在新加坡和美國新博伊西建設Fab，同時在紐約州雪城附近的Mega工廠規劃未來20年的HBM產線。鎧俠/西部數據：整合尋求突破。鎧俠與西部數據的合併談判仍在進行中，這項整合將創造一個在NAND和HDD領域都具有強大競爭力的儲存巨頭。合併後的公司將在技術研發、產能規劃、市場拓展等方面實現綜效，可望挑戰三星的市場地位。4.2 中國廠商的崛起路徑與技術突破YM：快速追趕的NAND新星。 YM透過技術創新和產能擴張，正快速改變全球NAND市場格局。公司自主研發的Xtacking架構實現了技術突破，位元密度達到15.03 Gb/mm²，超越國際巨頭。產能方面，YM計畫在2026年底達到30萬片/月的總產能，目標佔全球15%的市佔率。CX：DRAM領域的中國力量。 CX是國內唯一能大量生產DDR4、DDR5記憶體的企業，直接填補了國產DRAM的市場空白。公司DDR5市佔率預計從2025年初的1%提升至年底的7%，2026年可望達到15%。透過高階產品量產和技術迭代，CX正在提升國際競爭力。技術自主化取得重大進展。 YM的設備國產化率已達45%，首條全國產化產線將於2025年下半年導入試產,2026年全面量產。五、未來1-2年走勢預測5.1 DRAM市場未來趨勢判斷基於供需結構、技術發展與競爭格局的綜合分析，我們對DRAM市場未來1-2年的走勢做出以下判斷：價格將持續上漲，漲幅逐步縮小。 2025年第四季DRAM價格預計季增13%-18%，2026年上半年仍將維持上漲態勢，但漲幅可能縮小至5%-10%。主要原因是：供給端產能擴張有限，2026年整體bit供給成長率難以超過20%；需求端AI應用持續爆發，2026年DRAM需求成長預計19.1%；DDR4產能退出帶來結構性短缺，DDR4價格可能持續大幅上漲。供需缺口將長期存在。預計2026年DRAM供需缺口約3%左右，2027年隨著新產能逐步釋放，缺口可能縮小至1%-2%。但HBM等高階產品的供需緊張將持續至2027年，甚至更長。技術升級推動產品結構優化。 DDR5將在2026年成為市場主流，DDR4逐步退出歷史舞台。 HBM4將在2026年大規模量產，成為AI伺服器的標準配備。預計到2027年，HBM將佔據DRAM市場15%-20%的份額。市場集中度進一步提升。三星、SK海力士、美光三強的市佔率可能從目前的70%提升至75%以上。中國廠商雖然快速成長，但在高階產品領域仍面臨技術差距。5.2 NAND Flash市場未來趨勢判斷價格溫和上漲，結構性機會突顯。 NAND Flash價格將維持溫和上漲態勢，2025年第四季預計將上漲5%-10%。但結構性機會更為突出，大容量QLC SSD、汽車級NAND、企業級eSSD等產品價格漲幅可能超過20%。供需基本平衡，區域差異明顯。 2026年NAND供需基本平衡，但不同應用領域及不同地區有明顯差異。資料中心和AI相關應用需求旺盛，可能出現短缺；消費級市場相對平衡；中國市場由於本土產能快速成長，供需狀況優於全球平均。技術演進加速，成本持續下降。 3D NAND堆疊層數將從目前的200-300層向400層以上快速演進，2026年主流產品將達到300-400層。 QLC技術快速普及，預計2027年將佔比將達30%-40%，推動NAND平均價格下降。競爭格局重塑，中國力量崛起。 YM預計在2026年底實現15%的全球市佔率目標，進入全球前三名。中國NAND自給率將從目前的少於10%提升至20%以上，對全球供應鏈格局產生重大影響。5.3 產業鏈各環節的因應策略晶片設計公司：加大研發投入，特別是在HBM、先進製程DRAM、高堆疊3D NAND等高階產品領域。同時，加強與客戶的策略合作，鎖定長期訂單。晶圓製造廠商：優化產能配置，優先生產高價值產品。加速先進製程開發，提昇技術競爭力。加強與設備、材料供應商的合作，確保供應鏈安全。封裝測試企業：投資先進封裝技術，特別是3D堆疊、扇出型封裝等。加強與晶片設計公司的協同，提供一站式解決方案。設備材料供應商：加大研發投入，實現關鍵設備與材料的國產化。加強與本土記憶體晶片企業的合作，共同成長。終端應用廠商：提前佈局，透過長期合約鎖定記憶體晶片供應。優化產品設計，提高儲存效率。積極評估新型儲存技術的應用前景。結論：掌握AI時代儲存產業的歷史性機會記憶體晶片產業正站在一個歷史性的轉捩點上。 AI技術的爆發式成長不僅帶來了前所未有的需求機遇，也推動著技術架構、產業格局和競爭模式的深刻變革。從市場走勢來看，DRAM和NAND Flash都將在未來1-2年保持強勁的成長態勢，但成長動力和表現形式有所不同。 DRAM市場將由AI伺服器和HBM需求主導，價格持續上漲，供需缺口長期存在；NAND Flash市場則呈現結構性成長特徵，資料中心和汽車電子成為主要驅動力，整體供需基本平衡但存在區域和產品差異。從技術發展來看，儲存架構正在經歷根本性變革。 HBM、CXL互連、儲存層級記憶體等新技術的出現，將徹底改變傳統的"儲存-運算"分離模式。 3D NAND堆疊層數向400層、500層甚至1000層突破，QLC/PLC技術快速普及，將推動儲存密度和效能的持續提升。從競爭格局來看，全球儲存產業正呈現"強者恆強、新銳崛起"的態勢。三星、SK海力士、美光等國際巨頭透過技術創新和產能優勢鞏固領先地位；YM、CX等中國廠商透過自主創新和政策支援快速追趕，正在重塑全球競爭格局。地緣政治因素加劇了產業的區域化趨勢，推動各國加速建構自主可控的儲存產業鏈。記憶體晶片作為數位經濟的基礎設施，其重要性將隨著AI時代的到來而進一步凸顯。準確掌握產業趨勢，積極應對挑戰，才能在這場歷史性變革中佔據有利位置，實現永續發展。 （儲存圈）