2023 年 10 月，佳能發佈了一台很不像光刻機的光刻機。它沒有 EUV 那套錫滴、雷射、真空腔和蔡司反射鏡，也不靠鏡頭把電路圖案縮小投到晶圓上。它的辦法更直接，把刻好電路圖案的石英模具壓到晶圓表面的樹脂上，再用紫外光固化，揭開模具，圖案就留在了晶圓上。 像蓋章。 這台機器叫 FPA-1200NZ2C，佳能把它歸入奈米壓印光刻。嚴格說，它沒有擺脫所有光，因為樹脂固化還要用紫外光；它擺脫的是傳統投影曝光裡的光源、透鏡和縮小成像。EUV 要先造出 13.5 奈米極紫外光，再用一組反射鏡把圖案轉移過去。奈米壓印繞開了這條路，模具上是什麼尺寸，晶圓上就儘量複製什麼尺寸，中間少了一套昂貴的光學系統。 佳能官方說，FPA-1200NZ2C 可以形成最小 14 奈米線寬圖案，相當於現有 5 奈米節點邏輯晶片製造所需水平。如果繼續改進掩模，未來有望做到 10 奈米線寬，對應 2 奈米節點。DNP 也說，在佳能、Kioxia 和 DNP 的合作開發中，奈米壓印可把曝光環節功耗降到傳統方法約十分之一。對於一台 EUV 機器動輒上億美元、整套工藝耗電驚人的行業來說，這個路線當然有吸引力。

晶片製造的核心機器：光刻機 晶片領域的每一次突破最終都會遇到同樣的瓶頸：如何將其列印出來？晶片製造涉及數百種工具和數千個步驟，但其中光刻技術佔據了核心地位。極紫外光EUV光刻機是人類建造過最複雜、最昂貴的製造工具。雖然它的工作描述很簡單——將電晶體特徵列印到矽片上，但它實際上決定了晶片能有多小、多緻密以及多強大。 晶片製造的限制因素：光 光刻機的原理是讓光線穿過掩範本，照射在塗有光敏化學物質的矽片上。光照到的地方化學性質發生變化，未照到的地方則被去除，通過層層堆疊，晶片便顯現出來。雖然概念簡單，但在奈米尺度上實現卻極難。隨著電晶體縮小，光成為了限制因素。

在晶片行業摸爬滾打了大半個世紀，摩爾定律一直是所有人心裡那根準繩。它的邏輯很簡單：每18到24個月，把電晶體尺寸縮小一半，同樣大小的晶片上塞進兩倍的電晶體，性能翻番，成本還能往下走。這麼多年，大家都照著這條鐵律往前走，拚命把電晶體往小了刻。 但幹著幹著，大夥兒慢慢發現，這條路越走越窄了。當電晶體尺寸逼近原子等級，量子隧穿效應開始搗亂，繼續縮小已經不是咬咬牙就能搞定的事兒了。更要命的是，先進製程太燒錢了，造一座3奈米等級的晶圓廠，動輒數百億美元的投入，一顆2奈米晶片的設計預算已經突破10億美元，單位電晶體的成本不但沒降，反而開始反向上漲了。 其實，說白了就是，摩爾定律那套老玩法，撞上了物理和經濟的兩面牆。 這種背景下，2026年5月25日，華為半導體業務部總裁在上海召開的國際電路系統研討會（ISCAS 2026）上，拋出了一個全新的思路——韜定律。消息一出，整個半導體圈子都震了一下。

都知道，荷蘭ASML公司曾以4億美元/台的天價，賣出了全球第一台且是目前最先進的High-NA EUV光刻機。但這台光刻機交付已經有段時間了，卻遲遲沒能開始工作。 就在最近，ASML的CEO克里斯托夫·福凱終於官宣了好消息，用這台光刻機生產的首批晶片，幾個月後就能交付落地了，這批晶片主要涵蓋了儲存器和邏輯晶片兩大品類。 這個消息一出，就引起了業內熱議，它標誌著目前最先進的光刻技術，徹底告別測試階段，進入商業化落地的關鍵期，絕對算得上是晶片行業的大事件！ 可能有人對High-NA EUV沒概念，簡單說就是現有EUV光刻機的“加強版”。咱們都知道，現在的EUV已經是工業界的“精密天花板”了，而這台High-NA版本，直接把光刻精度拉到了新高度。它能把晶片電路的特徵尺寸縮小66%，說白了就是在同樣大小的矽片上，能塞下更多更小的電晶體，晶片性能自然也能跟著飆升。

荷蘭光刻機巨頭艾斯摩爾首席執行長克里斯托夫·富凱，最近談及美國不斷升級的對華晶片限制時，打了個意味深長的比方。 “如果我把你放到沙漠裡，告訴你以後再也沒有食物來源了——你需要多久才能自己開墾出一塊菜園？”他說，“這是存亡問題。” 當地時間5月20日，富凱在比利時安特衛普參加科技活動間隙接受英國路透社採訪時，作出了上述表態。他這番話，在某種程度上反映出當下美西方半導體產業內部的複雜情緒，即擔心美國進一步收緊限制措施，擾亂市場的同時，還會倒逼中國加速自研替代裝置。 近幾年，美國不斷推動盟友收緊對華半導體出口，而艾斯摩爾始終站在風暴中心。從極紫外（EUV）光刻機被美國禁止對華銷售，到如今連部分深紫外（DUV）光刻機也面臨新的限制壓力。

下半年，真正的麻煩不是需求，而是成本AI沒有“熄火”，但2026年的科技行情可能沒那麼順了。摩根士丹利最近發了一份年度展望，把今年的節奏掰成了兩段：上半年還能吃AI基建的紅利，到了下半年，成本上漲的壓力會開始考驗真實需求。誰有定價權，誰才能活得好。1.6兆美元的半導體大餅報告裡給了一個很猛的數字：2026年全球半導體收入衝到1.6兆美元，同比增速差不多96%。這個增速要是真能兌現，資金一定會往那些“最卡脖子”的地方擠。不是隨便買個晶片股就能賺錢，得找準瓶頸在那。過去大家只盯著GPU，但現在情況變了。記憶體重新站上C位，而且EUV光刻機和CPU，正在成為下一輪瓶頸。HBM緊到離譜，供給充足率只有2%先看記憶體。DRAM價格有望突破歷史高點，合約價和現貨價已經出現明顯錯配，說明供需關係非常緊張。更誇張的是HBM（高頻寬記憶體）。大摩根據供應鏈資料算了筆帳：HBM市場規模從2023年的30億美元，到2026年會飆到510億美元，2027年衝到720億。但供給呢？充足率被壓到只有2%左右。也就是說，只要AI推理需求還在，記憶體就會一直緊下去。緊到什麼時候？報告甚至說，2028年前後可能出現“前所未有”的資本開支，到時候EUV光刻機這些上游裝置會被徹底推上風口。CPU成為新瓶頸，光刻機跟著受益這輪AI不只是訓練大模型，接下來要往Agentic AI（智能體AI）走。AI從“生成內容”進化到“自主行動”，系統瓶頸就不只是堆GPU了。CPU的編排作用變得關鍵。大摩給了個測算：到2030年，Agentic AI會帶來325億到600億美元的CPU增量機會，同時新增15到45EB的DRAM需求。換句話說，GPU還是重要，但決定上限的可能變成CPU、記憶體、基板、裝置和代工。短板會輪換，誰卡住位置誰受益。先進製程代工這邊，台積電被點名。AI需求能支撐它未來五年每年20%的收入增長。前道裝置（SPE）在2026年下半年會再加速，尤其是那些DRAM暴露高、跟著先進節點擴張的公司。ABF基板、MLCC、散熱全都要緊ABF載板的供需拐點就在眼前。2027年起會持續短缺，T型玻璃基板甚至緊到2028年。AI GPU和網路晶片用的ABF載板，在整個需求裡的佔比會從2020年的18%漲到2030年的75%以上。MLCC更直接。一台AI伺服器的MLCC用量是普通伺服器的20倍以上。GB200 NVL72機架單機高達4635美元。當前MLCC庫存處於歷史低位，需求還在加速。散熱方面，2026年第二季度預計會是熱管理公司的單季出貨紀錄，液冷滲透率持續往上走。下半年的麻煩：成本太高，需求扛不住大摩把下半年的風險直接指向“科技通膨”。晶圓代工、封測、記憶體的成本往上走，會一層層壓到整機和晶片設計公司頭上。終端不一定能把漲價全部轉嫁出去，結果就是需求被擠壓，利潤率更難守。最慘的是邊緣AI。手機和PC本來想搞AI算力升級，但因為BOM成本飆升，大機率被推遲。對很多靠消費電子出貨的公司來說，2026下半年會很難熬。大摩還提了一個熊市情形：第一輪投資容易過度，後面大家會更理性。一旦發現“錢花出去了但方向不清晰”，回報率會被反覆質疑。再加上電力牆和資金約束，部署節奏會明顯放慢。 硬體這邊，靠近資料中心的活得滋潤，貼近消費電子的就難受了。 (世界半導體技術論壇)

前沿導讀中國通訊專家、復旦大學特邀研究員汪濤在做客東方衛視《今晚》欄目中指出，雖然美日荷三國的晶片裝置佔主導地位，但中國的裝置也起來得很快。乾式DUV光刻機已經交付，浸潤式光刻機也已經交付並進入測試階段。美國最新的match法案對於我們來說，已經感到有些麻木了，美國製裁的次數太多，而且沒有真正起到對中國的遏製作用，但他們還是要這麼幹。這樣只會傷害到美國和盟友國企業，這是非常不理智的。參考資料：復旦大學特邀研究員汪濤：不但害人而且害己 已經感到麻木https://www.douyin.com/video/7632246521911594249法案影響美國對中國晶片產業的制裁，經歷了以下幾個階段：1、重啟對中興的制裁，開始對華為實施晶片斷供。禁止台積電用一定比例的美國技術為華為製造晶片，隨後又完全禁止台積電為華為製造晶片。2、在切斷華為晶片供應之後，開始將華為、中芯國際、北方華創、拓荊科技等中國本土企業拉入實體清單，實施尖端技術禁運。3、美國持續將中國本土企業以及多所高校拉入實體清單，並且不斷收緊出口管制，對EUV、浸潤式DUV、刻蝕機、離子注入等製造裝置實施更加苛刻的限制。多輪制裁下來，製造14nm及以下邏輯晶片、128層及以上快閃記憶體晶片、18nm記憶體晶片所需的裝置材料已經被美國封鎖了一大圈。除美國企業之外，美國還聯合日本、韓國以及台灣地區台積電在內的60多個企業組成四方聯盟，禁止這些企業為中國大陸地區提供技術支援。雖然美國的制裁手段步步緊逼，但中國企業依然使用曾經採購的浸潤式DUV光刻機，通過自對準多重圖案化技術成功量產了國產7nm晶片，在先進晶片領域實現了技術突破。時任美國商務部長的雷蒙多對此表示稱，美國沒有證據能夠證明中國企業擁有量產晶片的能力，也沒有證據能夠證明華為可以源源不斷的推出產品。但是隨著華為不斷推出搭載升級款麒麟晶片的產品，雷蒙多最終承認之前的制裁是徒勞，還呼籲美國政府將未來的眼光重點放在支援本土企業的技術發展上，在技術領域拉開與中國的差距。此次最新的match法案，要求在之前制裁標準的基礎上，對華為、中芯國際、華虹集團、長鑫儲存、長江儲存這五家中國企業實施全面的制裁限制。無論這些企業是製造先進晶片還是成熟晶片，均不允許繼續獲得來自於美國的製造裝置。而且美國政府要求荷蘭ASML、日本東京電子等企業在150天內對齊美國的制裁標準，ASML對浸潤式DUV光刻機實施全面限制，東京電子對刻蝕機實施全面制裁，否則美國將動用“外國產品直接規則”強制性對盟友國企業實施限制。在實施制裁的同時，還要對以上五家企業手中此前已購的裝置實施售後限制政策，禁止相關企業的技術人員為中國企業手中的裝置提供售後服務和技術支援。該法案看似針對性很強，但實際上與美國之前的制裁方法如出一轍，依然還是在裝置領域實施限制，並沒有想出新招式。這也對應了汪濤研究員所表達的觀點：美國這麼做，我們已經感到有些麻木了。國產技術從華為發佈搭載國產7nm工藝的終端產品後，中國半導體產業進入快速發展時期。許多國產製造裝置開始進入商業化發展，國內晶圓廠建設新生產線，也是以國產裝置作為首要採購目標，推動自主技術的市場佔比及滲透率。2024年，中國工信部正式公佈了兩台全新的國產DUV光刻機，一台是KrF裝置，一台是ArF裝置。並且ArF光刻機的解析度來到了65nm，套刻精度為8nm，對比之前的國產裝置進步明顯。而更加先進的浸潤式DUV光刻機，則是在2026年的產業報告當中透露了相關消息。包括中國半導體行業協會第八屆理事長陳南翔、副理事長趙晉榮、劉偉平、魏少軍在內的13位中國半導體產業從業者，在2026年撰寫了一篇名為《建構自主可控的積體電路產業體系》報告。據報告指出，在自主可控與國產替代的大背景下，中國晶片的本土化趨勢愈發明顯。上海微電子公司推出的28nm浸潤式DUV光刻機已經進入測試階段，其他國產裝置也已經陸續進入生產線上，對同類型的海外裝置實現了部分替代。雖然國產EUV光刻機目前沒有精準消息，但是浸潤式DUV光刻機已經提上商業化發展的日程，重點解決在前端光刻機領域被卡脖子的困境。 (逍遙漠)

01 前沿導讀據韓國媒體《韓國先驅報》內容指出，美國實施的出口管制正在讓中國加快自主先進光刻機的研發，但韓國漢陽大學材料學教授安振浩對此表示稱：對於中國團隊來說，展示一台他們自己研發的先進曝光裝置是可能的，但是想要在10年內製造出足以商業化運行的裝置，這基本不可能。在實驗室中進行技術演示，跟安裝在生產線上面製造晶片，這是兩個完全不同的概念。02 商業化韓國半導體工業協會董事安基賢指出，在7nm及以下節點，EUV技術是當下主流技術，也是不可或缺的技術，這個技術目前被荷蘭ASML完全統治。如果中國企業真的可以實現極紫外技術的本地化量產製造，那麼這將會重塑全球晶片產業的格局，但是想要達到這一點是很困難的。根據ASML公司發佈的官方資料顯示，ASML第一代EUV光刻原型機在2006年交付給比利時微電子中心以及紐約州立大學進行技術研究。2008年，紐約州立大學利用該原型機製造出了首批晶片產品。2010年，ASML製造出了NXE：3100光刻機。這是一台預生產的EUV光刻機，交付給了韓國三星的研究機構，讓其對製造效率和良品率進行研究，為商業化做準備。2012年，英特爾、三星、台積電這三家晶圓巨頭以購買股權的方式為ASML注資，確保ASML有足夠的資金去研發可商業化的EUV裝置。2016年，NXE：3400系列光刻機進行規模化量產，交付給三星、台積電等企業使用。2019年，使用EUV光刻機製造的7nm晶片正式進入消費市場，首批搭載EUV工藝晶片的產品是三星note10系列，隨後就是華為mate 20X 5G以及mate30系列的5G版本。2020年12月，ASML官方宣佈其製造的EUV裝置已出貨100台，ASML揭開了全球晶片製造的新技術時代。ASML的零件供應商總共有5100家，來自於歐洲、北美、亞洲等全球各地區。這些供應商將特定的零部件交付給ASML，由ASML負責將所有的零件拼裝到一起，最後通過特定的工業軟體讓其穩定運行起來製造晶片。ASML更像是一個方案整合商，負責將所有的零件拼湊在一起，形成一個可製造產品的整機裝置。ASML也同時負責EUV的銷售以及售後服務工作，這也是ASML公司最強大的地方，只有這一家企業知道如何組裝裝置，知道如何維修裝置，EUV光刻機完全就是寡頭壟斷的格局。EUV光刻機是一個非常依賴全球供應鏈合作的技術項目，美國西盟公司提供極紫外光、德國通快公司製造發射極紫外光的發射器、德國蔡司公司製造EUV的整個曝光系統、日本企業負責提供塗覆晶圓的EUV光刻膠、ASML則是提供晶圓對準系統，並且負責整機的製造銷售體系。每一個環節都涉及到光學技術與硬體裝置的緊密連接，還涉及到供應鏈之間的技術適配性，這也是ASML從2006年製造出EUV原型機，一直到2019年才正式進入商業化的主要原因。03 技術壁壘韓國漢陽大學教授安振浩指出，像尼康、佳能這種老牌的光學工業巨頭，也曾投入大量資源嘗試過涉足EUV光刻機領域，但是從未成功過。這個技術領域根本不是依靠蠻力就能進入的，你需要聯合最頂級的供應鏈合作，然後經過數十年的技術積累去提升成功率。對於被美國實施出口管制的中國團隊來說，不能獲得國際頂級供應鏈的支援，這是一個無法迴避的難題。既然提到了尼康，那麼就來說一下尼康的情況。尼康曾投入超過1000億日元用於研發可商業化的EUV裝置，但是直到2018年，尼康只有實驗室內的原型機，無法將其進行商業化量產，最終宣告項目失敗。雖然尼康在EUV領域徹底出局，但是其在2016年發佈了浸潤式光刻機NSR-S631E，單次曝光製造28nm晶片，多次曝光製造7nm晶片，並且採用了氣動軸承系統，提升了對準精度，尼康也因此成為了全球繼ASML之後，第二家擁有先進浸潤式光刻機製造能力的企業。如今的光刻機市場格局已經變成了ASML一家獨大，ASML掌控著EUV、浸潤式等先進裝置的市場統治權，總市場佔比超過70%。其次是佳能在KrF和i線裝置領域實現了較高的市場份額，並且佳能還有奈米壓印這個先進節點的裝置。而尼康雖然有浸潤式光刻機，但是技術水平與ASML的差距較大，國際市場並不願意主動採購尼康的浸潤式。現在尼康的光刻機業務萎靡嚴重，半年僅僅賣出9台裝置，而且還都是製造成熟節點的產品，浸潤式沒有出貨，虧損嚴重。據王陽元、陳南翔、趙晉榮等人在科技導報上面發佈的產業建議指出，中國的中國國產28nm浸潤式光刻機已經進入了測試階段，中微半導體的先進刻蝕機裝置也已經進入了台積電7nm和5nm生產線，其他企業製造的中國國產裝置均在生產線上實現了對部分海外裝置的中國國產化替代。目前中國國產光刻機已經推進到了浸潤式技術的測試階段，測試階段需要做的事情就是提升其規模化製造的能力，在穩定性和經濟性上面進行重點最佳化，將裝置從能用階段，轉變為好用、穩用階段。在穩定中國國產浸潤式光刻機的同時，還要聚集中國的尖端力量，推動中國國產極紫外光刻機的發展情況。多年前，海外媒體並不認為中國企業能在被美國封鎖下的前提下，製造出7nm晶片，也並不認為中國團隊可以完成光刻機的整機製造。但事實證明，這些技術中國企業都已經完成了，正在對更加困難的技術發起挑戰。 (逍遙漠)