中國半導體產業在光刻裝置這一最核心環節的追趕進度,可能遠比市場預期的更為漫長。瑞銀集團(UBS)分析師弗朗索瓦-澤維爾·布維尼(François-Xavier Bouvignies)在最新一份客戶報告中指出,中國光刻技術的整體水平大致相當於行業龍頭ASML在2004年所處的階段。這一評估為近期圍繞國產光刻機“突破”的熱烈討論潑了一盆冷水。
▍光刻:半導體製造中最複雜的一環
光刻被廣泛認為是先進半導體製造中技術最複雜、要求最嚴苛的單項工藝。一台現代光刻掃描器需要同時滿足解析度、套刻精度、聚焦控制、機台匹配、CD均勻性和線邊緣粗糙度等一系列苛刻指標。更重要的是,所有這些指標必須在保證高產出率的前提下同時實現——一台解析度極高但每小時只能處理一片晶圓的機器,無法用於大規模量產。
歷史上曾有超過十家公司生產光刻工具,但隨著技術複雜度的指數級上升,如今僅有ASML、佳能和尼康三家倖存,而ASML更是極紫外(EUV)光刻掃描器的唯一製造商。