12月30日晚間消息，中國國家發改委、財政部印發《關於2026年實施大規模裝置更新和消費品以舊換新政策的通知》，明確2026年“兩新”政策的支援範圍、補貼標準和工作要求。2026年，將繼續實施汽車報廢更新和汽車置換更新補貼；繼續實施家電以舊換新補貼，支援範圍聚焦冰箱、洗衣機、電視、空調、電腦、熱水器等6類產品；同時，將數位產品購新補貼拓展為數位和智能產品購新補貼，支援範圍包括手機、平板、智能手錶（手環）、智能眼鏡和智能家居產品。另據新華社報導，近日，中國國家發改委會同財政部，已向地方提前下達2026年第一批625億元超長期特別國債支援消費品以舊換新資金計畫。兩部門重磅發佈12月30日，中國國家發展改革委、財政部印發的《關於2026年實施大規模裝置更新和消費品以舊換新政策的通知》（以下簡稱“通知”）對外發佈。據悉，2026年“兩新”政策主要做了3個方面最佳化：一是最佳化支援範圍。裝置更新方面，總體延續2025年支援範圍，在民生領域增加老舊小區加裝電梯、養老機構裝置更新，在安全領域增加消防救援、檢驗檢測裝置更新，在消費基礎設施領域增加商業綜合體、購物中心、百貨店、大型超市等線下消費商業設施的裝置更新。消費品以舊換新方面，進一步集中資源，著力提升覆蓋人群廣、帶動效應強的重點消費品“得補率”。繼續實施汽車報廢更新和汽車置換更新補貼；繼續實施家電以舊換新補貼，支援範圍聚焦冰箱、洗衣機、電視、空調、電腦、熱水器等6類產品；同時，將數位產品購新補貼拓展為數位和智能產品購新補貼，支援範圍包括手機、平板、智能手錶（手環）、智能眼鏡和智能家居產品（含適老化家居產品）。二是最佳化補貼標準。裝置更新方面，將住宅老舊電梯更新由定額補貼調整為按電梯層（站）數分檔差異化補貼；在老舊營運貨車報廢更新補貼中，優先支援更新為電動貨車。消費品以舊換新方面，在保持汽車補貼上限不變的基礎上，將定額補貼調整為按車價比例進行補貼；家電以舊換新調整為補貼1級能效或水效產品，補貼產品售價的15%，單件補貼上限為1500元；數位和智能產品的補貼標準保持此前數位產品標準不變。三是最佳化實施機制。裝置更新方面，最佳化項目申報機制和稽核流程，進一步降低申報項目的投資額門檻，加大對中小企業的支援力度，擴大政策惠及面。消費品以舊換新方面，最佳化資金分配方式，完善全鏈條實施細則，嚴厲打擊騙補套補和“先漲後補”等違法違規行為。同時，落實全國統一大市場建設要求，對汽車報廢更新、汽車置換更新、6類家電以舊換新、4類數位和智能產品購新，明確在全國範圍內執行統一的補貼標準。具體政策方面，通知提到，支援裝置更新項目。在繼續支援工業、電子資訊、能源電力、交通運輸、物流、教育、文旅、醫療、設施農業、糧油加工、安全生產、海關查驗、住宅老舊電梯、節能降碳環保等領域裝置更新項目的基礎上，將老舊小區加裝電梯、養老機構、消防救援設施、檢驗檢測等領域裝置更新納入支援範圍，更好滿足民生和安全需要。支援商業綜合體、購物中心、百貨店、大型超市等線下消費商業設施裝置更新。最佳化申報條件和稽核流程，進一步降低申報裝置更新項目的投資額門檻，加大對中小企業裝置更新的支援力度，擴大政策惠及面。支援新能源城市公車更新。推動城市公車電動化替代，繼續支援新能源城市公車及動力電池更新，補貼標準按照《2025年新能源城市公車及動力電池更新補貼實施細則》（交辦運〔2025〕4號）執行。支援汽車報廢更新。個人消費者報廢登記在本人名下的乘用車，並購買納入《減免車輛購置稅的新能源汽車車型目錄》的新能源乘用車或2.0升及以下排量燃油乘用車的，給予汽車報廢更新補貼支援，購買新能源乘用車補貼車價的12%（最高不超過2萬元）、購買2.0升及以下排量燃油乘用車補貼車價的10%（最高不超過1.5萬元）。支援汽車置換更新。個人消費者轉讓登記在本人名下的乘用車，並購買納入《減免車輛購置稅的新能源汽車車型目錄》的新能源乘用車或2.0升及以下排量燃油乘用車的，給予汽車置換更新補貼支援，購買新能源乘用車補貼車價的8%（最高不超過1.5萬元）、購買2.0升及以下排量燃油乘用車補貼車價的6%（最高不超過1.3萬元）。支援家電以舊換新。個人消費者購買冰箱、洗衣機、電視、空調、電腦、熱水器等6類家電中1級能效或水效標準的產品，按產品銷售價格的15%給予補貼，每位消費者每類產品可補貼1件，每件補貼不超過1500元。智能產品納入補貼範圍據央視新聞報導，明年“兩新”政策在支援範圍上進行了最佳化。消費品以舊換新政策重在提升覆蓋人群廣、帶動效應強的重點消費品“得補率”，繼續支援汽車、家電、數位產品的補貼，並且增加了智能眼鏡和智能家居產品（含適老化家居產品）的購新補貼。上述通知提到，支援數位和智能產品購新。個人消費者購買手機、平板、智能手錶手環、智能眼鏡等4類產品（單件銷售價格不超過6000元），按產品銷售價格的15%給予補貼，每位消費者每類產品可補貼1件，每件補貼不超過500元。支援智能家居產品（含適老化家居產品）購新補貼，具體補貼品類、補貼標準由地方結合實際自主合理制定。國家資訊中心經濟預測部宏觀經濟研究室副主任鄒蘊涵介紹，2026年的消費品以舊換新政策重在產品向新，新增了智能產品的補貼，消費者在購買比如AR眼鏡之類的智能化產品時，也可以享受消費品以舊換新的補貼，這是將人工智慧等新的產品進一步加快推向普通群眾生活，讓高品質智能化的產品更好地走進日常生活。在補貼標準方面，消費品以舊換新的補貼標準則是在保持汽車補貼上限不變的基礎上，將定額補貼調整為按車價比例進行補貼；家電以舊換新調整為補貼1級能效或水效產品售價的15%，單件補貼上限為1500元；數位和智能產品的補貼標準保持不變。鄒蘊涵進一步介紹，政策從總體考慮到具體的細則都進行了最佳化升級，也就是要更好地結合市場的內生動力的需求，以及政策效力，為民生需求解渴，也為剛需提供更多的助力，能夠更好地推動明年的消費平穩向好。(券商中國)

日前，美國拉攏日本、韓國，加上歐洲幾個核心盟友，共8個國家，簽署了一份“對抗中國AI聯合聲明”。這事的性質極為惡劣。如果說以前是美國一家“單挑”，現在則是直接拉起了群架。然而，就在這道鐵幕落下的同時，美國卻反常地批准輝達向中國出售H200晶片。不少人的第一反應是：“美國是不是因為輝達業績壓力大，所以認慫了？”錯了。在“8國聯合圍堵”的大背景下，H200的放行絕非美國的仁慈，而是一套精心設計的“組合拳”：妄圖一邊用“八國聯盟”斬斷你的造血能力（生產），一邊用“H200”鎖死你的依賴習慣（生態）。01 從“技術封鎖”到“全產業鏈絞殺”這次8國《聯合聲明》最狠毒的地方，不在於美國，而在於日韓和澳大利亞、新加坡、荷蘭、英國、以色列和阿聯等八個國家的深度介入。這次不僅僅是稀土聯合抵抗中國，還是一個分工明確的AI科技“全產業鏈絞殺局”：日本（材料端）： 半導體材料之王。高端光刻膠、電子級清洗液，全球市場佔比極高。韓國（儲存端）： HBM（高頻寬記憶體）的霸主。現在的AI晶片，算力再強，沒有HBM配合就是廢鐵一塊。荷蘭及歐洲（裝置端）： 掌握著光刻機這一“工業皇冠上的明珠”。以前，我們還能利用這些國家與美國的利益分歧，搞搞平衡，買點裝置。現在8國抱團，意味著中國試圖從外部獲取先進製造能力的路徑，可能基本被堵死了。他們的目標很清晰：在物理層面，把中國本土的晶片製造能力，永久鎖定在落後兩代的水平。02 H200是一顆“劇毒糖果”既然要圍堵，為什麼還要賣H200？這半年的教訓讓美國人看懂了一件事：全面封鎖，只會倒逼中國成功。此前中國大廠買不到輝達，只能硬著頭皮買華為昇騰，買國產卡。結果呢？逼著中國廠商把那套原本很難用的國產軟體生態，硬生生地給磨合出來了。美國人一看，壞了！原本想餓死中國AI，結果反而逼出了一個能打的對手。所以，現在的策略變了，這是一招“抽梯子”的損招：斷你生產：我聯合8國，把造晶片的裝置和材料斷了，把中國自主製造的難度拉到滿級；毀你生態： 我把目前最好用的H200送還給你，雖然貴點，但比你自己造的好用。一旦你吃下了這顆毒糖果，中國本土晶片尚在襁褓中的生態，就可能會受到沉重打擊。03 爭奪科技發展的“定義權”現在的世界地緣格局，是從“全球化分工”變成了“陣營化切割”。美國拉著日韓搞8國聯盟，妄圖在AI算力、半導體裝置、高端材料這三個核心維度，對中國實施徹底的“物理隔絕”。其本質，是要把全球科技市場切割成兩半：“美國+盟友圈” 和 “中國圈”。在這個邏輯下，H200的出售，並不是美國想和你做生意，而是它試圖用技術優勢，繼續在這個分裂的世界裡，保留對中國科技發展的“定義權”。他們希望看到的局面是：中國負責： 出資料、出應用場景、出電費、做低端應用。西方負責： 掌握底層的硬科技、控制算力霸權、收取高額“技術租金”。這就像當年的殖民經濟：宗主國傾銷工業品，殖民地只負責提供原材料。如果你接受了H200，你就接受了成為“AI時代的殖民地”。更致命的是供應鏈安全。在8國對抗中國的背景下，把國家的AI基礎設施建立在輝達的晶片上，無異於沙灘築樓。川普或者下一任總統，心情不好隨時可以斷供，甚至利用晶片裡的後門遠端鎖死算力。到時候，咱們的資料中心就是一堆廢銅爛鐵。04 大廠的艱難選擇和考驗黃仁勳相信：只要美國稍微鬆開一點口子，大量中國的訂單就會瞬間流回輝達。因為作為商業公司，追求利潤最大化和效率極致化是其生存的本能，這無可厚非。但這也正是我們最擔憂的軟肋：特別是對於字節、阿里、騰訊這些商業大廠來說，這不僅是一道選擇題，更是一場“長考”：選國產卡：這意味著巨大的沉沒成本，算力暫時只有H200的60%。選H200：簡直太誘人了。插上就能用，CUDA生態無縫銜接，業務效率立馬起飛，競爭優勢瞬間拉滿。但這正是對手最陰險的“陽謀”。我們一旦動搖而拋棄國產，將面臨可怕的後果：國產晶片廠商剛拿到的訂單可能會枯竭，資金鏈斷裂；剛建立的使用者反饋機制可能會中斷，工程師不再為國產架構找Bug，晶片迭代失去方向；剛聚起來的開發者生態會可能後續無力，由於缺乏應用場景，人才將再次流失。結論很殘酷，但我們必須看清：晶片不僅是造出來的，更是“用”出來的，這是我們的優勢。所以，我們不能退步，不能拋棄國產，否則國產晶片好不容易燃起的星星之火，將被我們自己親手掐滅。寫在最後：面對H200技術性能的“誘惑”和所謂8國聯盟的“圍剿”，我們需要做的不是恐慌，當然也不能抱有任何僥倖的幻想。中方目前對解禁H200的“冷處理”，以及監管層對相關產業鏈的審慎佈局，恰恰是一種極度清醒的戰略定力。我們必須參透一個殘酷的底層邏輯：買來的現代化，是守不住的空中樓閣；跪著求來的繁榮，是必然帶毒的慢性藥。在8國“鐵幕”已然落下的今天，我們早已沒有退路。我們要珍惜每一塊艱難生產出來的國產晶片：那怕它現在算力還不夠強、發熱還比較大、適配還需改程式碼，但它不僅僅是工業品，更是屬於我們自己的“爭氣芯”。使用它、打磨它、迭代它，是我們這一代人的責任。我們早就看到了這一天，科技自立就是：一場不得不走的“新長征”，也是我們維護國家尊嚴與發展權利的護城河。唯有把關鍵技術掌握在自己手中，我們才能在談判桌上挺直腰桿，才能把“卡脖子”的清單，變成激勵我們前行的“軍令狀”。 (金百臨財富通)

2012 年，Google 推出了「Project Glass」智能眼鏡原型機，可以錄影，支援語音互動，鏡片上一吋不到的 LED 螢幕還能顯示一些應用的介面，完全如同科幻電影走進現實。最終，這款超前的裝置由於隱私爭議和技術限制等原因，只度過了短暫的一生，但也讓世人瞥見了一種全新的智能裝置形態。13 年後的 2025 年，智能眼鏡成為新興的硬體浪潮，Google 作為這個品類曾經的先行者，帶著 Android XR 和 Gemini 又殺了回來。剛剛的 Android Show 活動只有半個小時，內容卻乾貨滿滿，Google 正式披露了他們眼中四種 XR 裝置路線：XR 頭顯裝置有線 XR 眼鏡無線 XR 眼鏡AI 眼鏡Android XR：把蛋糕做大Android XR 這個系統於去年年底首次正式公佈，顧名思義就是一個為 XR 裝置開發的 Android 系統。Google 強調，為 Android 開發，就是在為 Android XR 開發，後者可以直接相容使用 Google PlayStore 上的大部分手機和平板應用。跟手機上的 Android 一致，Android XR 為行業裡的廠商，提供了一個相當完善的系統和生態平台，能直接利用現成的 Android 應用生態，呼叫 Google 服務和 Gemini AI；而專門開發 XR 應用的開發者，也得到了一個分發應用的平台。對於新型的 XR 初創公司，Android XR 就是他們等待已久的平台，XREAL CEO 徐馳告訴 The Verge：目前世界上只有兩家公司能夠真正建構起一個生態系統：蘋果和 Google 。蘋果不會與其他公司合作，Google 是我們唯一的選擇。The Verge 提前體驗了一款 Android XR 原型機，當編輯使用 Uber 打車時，眼鏡的螢幕彈出一個 Uber 的小部件，顯示預計接客時間、車牌號等資訊，以及前往上車點的地圖路線指引，這些功能都直接來自 Uber 原本的 Android 應用。Android XR 的號召力比 Meta Horizon 平台更強，也比蘋果更開放，這意味著未來將有更多第三方廠商開發 Android XR 裝置，蛋糕越做越大，XR 應用和內容的生產者更願意加入生態。我們最熟悉的 Android XR 裝置，自然是十月底發佈的三星 Galaxy XR 頭顯，愛范兒此前已經進行過詳細報導，這次活動中 Google 也推出了三個更新：PC 連接，懸浮查看 Windows 窗口Likeness 功能，建立一個自己的數字分身自動空間化功能，能夠將一些傳統 2D 內容轉化成沉浸式的 3D 內容。這次 Android XR 的重頭戲，當然是三款不一樣的眼鏡。Project Aura：小巧如眼鏡，強大如頭顯在今年 5 月的 I/O 大會上，Google 首次公佈了與國內 AR 眼鏡廠商 XREAL 合作的 Project Aura 產品，今天的活動則帶來了更多體驗和使用上的細節。Project Aura 是一款「有線 XR 眼鏡」，這款裝置的理念很簡單，就是以眼鏡這種輕巧方便的形式，實現類似頭顯的雙目 XR 效果，適合出門使用。當然，比起傳統的眼鏡，Aura 要更大更重，硬體形態與 XREAL 其他產品很類似： 一個 AR 投屏眼鏡，以有線的形式連接一個 Android XR 計算終端——終端還能充當一個觸控板。不同的是，Aura 支援和頭顯一樣的手勢互動，並帶有透視效果，使用者能夠看到周圍環境，應用介面投射其上。Google 選擇 XREAL 這家初創公司的原因，大機率是看中了 XREAL 做 AR 眼鏡硬體的強大實力：Aura 實現了 70° FOV，為消費級 AR 的最大實用視場，能夠讓 Gemini 助手更好地與真實世界進行互動，也能獲得沉浸式的觀影體驗；性能方面則採用了 Galaxy XR 同款高通驍龍 XR2 Plus Gen 2 晶片組。得益於 Android XR 系統，Aura 能夠直接使用那些專門為 Galaxy XR 頭顯裝置開發的 XR 應用，只要有對應的 SDK，應用的功能和體驗就能自動調整到適合 XR 眼鏡的狀態。比起又大又重的頭顯，Project Aura 更適合「PC 連接」功能，使用者在工作時可以將 Aura 當成一個外接大屏， Windows 應用可以以大窗口形式在 Aura 中顯示，工作中不會的操作甚至可以讓 Gemini 教你。根據多家外媒，Project Aura 的使用體驗確實非常接近 Galaxy XR 頭顯，重量卻要輕上不少，不過考慮到小巧的體積和強大的性能，Aura 的發熱和續航將成為一個問題。不過，Project Aura 在這次活動上依舊未能正式推出，Google 承諾將於明年發佈。智能眼鏡，首先要讓人願意戴另外兩款眼鏡，則是完全無線的產品，更適合日常佩戴，因此也更需要強調時尚屬性，因此除了三星，Google 也宣佈了這類產品將與 Warby Parker 以及 Gentle Monster 兩個傳統眼鏡潮牌合作。第一款眼鏡，是類似 Ray-Ban Meta 的最基礎形態，我們稱之為「AI 眼鏡」不帶任何螢幕，使用者可以用眼鏡和 Gemini 溝通、拍照、聽歌。這種產品雖然不是真的「XR」眼鏡，卻是大眾接受度最高的品類。Google 更看重的是第二款，其實就是在第一款的基礎上增加單目 AR 螢幕，用來顯示一些簡單的卡片和元件，類似 Meta Ray-Ban Display，這也是今年 I/O 大會上進行過演示的品類。▲ 活動上出現的原型機操控這個 XR 眼鏡的方法有兩種，第一種就是利用眼鏡柄上的觸控板，第二種當然就是 Gemini 語音輸入了。Gemini Live 能夠基於當前看到的視覺環境上下文，以及使用者的自然語音控制，去完成多步驟、複雜的任務。這次演示的內容和 I/O 類似，同樣展現了智能眼鏡語音指令識別、識物、記憶、導航、即時翻譯等等能力。重點是，Google 單目 XR 眼鏡是一款「手機配件」，它大部分的運算都在手機，並且直接使用 Android 手機上的應用——作為對比，Meta 只能用自家幾個社交媒體應用。Aura 的介面簡潔乾淨，沒有應用列表，只提示最重要的資訊，來自手機 App 即時通知，給人感覺更像是智能手錶。▲ 圖源：Android Authority即使智能眼鏡正在井噴式發展，但未來的十年裡，人人兜裡依舊會有智慧型手機，Google 深知這個道理，於是他們的目標，只是想通過這種單目式的 XR 智能眼鏡，慢慢減少你掏出手機的次數。同樣是單目 XR 眼鏡，Google 的產品也比 Meta 要小巧很多。並且，Google 還告訴 The Verge，為了更多人使用眼鏡的多模態能力，明年 Android XR 眼鏡還會支援 iOS。當年導致 Google Glass 折戟的另一個導火索——隱私問題，Google 也專門進行了說明，這些 Android XR 眼鏡在錄製時都會發出明亮的脈衝光，並用紅綠光區分錄製和 Gemini 攝影機使用。和 Project Aura 一樣，這兩款 AI 眼鏡產品也將於明年推出，目前 Google 正在和三星、Warby Parker 以及 Gentle Monster 這些合作夥伴不斷調整產品。▲ 用語音讓 Gemini 拍攝、呼叫 Nano Banana 創作復活 Google Glass，Google 這次有備而來作為曾經領先過時代的先行者，面對這兩年智能眼鏡的浪潮，Google 的整個步調，卻走得比想像中慢不少，來得甚至比擅長「後發制人」的蘋果還要更晚。Android XR 於去年年底正式官宣，這期間，Google 找了不少廠商合作，有老搭檔三星高通，有新朋友 Xreal，還有跨界的夥伴 Warby Parker 和 Gentle Monster。▲ Android XR 由 Google、三星、高通合作開發目前這四種不同的產品形態，其實都有不同程度妥協，明顯都不是最終形態。實際上，Google 給 Android Authority「劇透」了一款沒有在活動上公開的新產品，實際演示效果給媒體留下深刻印象：無線雙目 XR 眼鏡，視野廣闊，畫面效果更好，目前公佈的四款產品身上的優點集其一。但 Google 表示，無線雙目 XR 眼鏡短期內不會對外銷售，最早也要等到 2027 年。很明顯，這款有點小彩蛋性質的神秘產品，才是 Google 心目中的「Google Glass」升級版，但他們並沒有選擇直接發佈這款產品，甚至沒有放到發佈會上談。Google 其實不必擔心會在這場新興硬體的激烈競爭中落後，他們已經吸收了 Google Glass 當年的教訓，手握 Android XR 和 Gemini 兩大王牌回歸。不僅是 Google Glass，即使對於現在的 XR 眼鏡，應用和內容生態不足，殺手級場景的缺乏，還是難以突破的困局。Android XR 不僅能利用現成的 App 生態，這個平台本身也能吸引大量的裝置廠商和開發者，大大降低了門檻，成長速度值得期待。更重要的是，作為目前最出色的 AI，Gemini 填補了殺手級 App 的空缺。借助智能眼鏡的攝影機、麥克風和 XR 螢幕，Gemini 強大的上下文理解與多模態能力得以充分發揮，創造出智慧型手機和其他硬體難以觸及、專屬於智能眼鏡的獨特場景。對 Google 來說，接下來就是按部就班把畫的餅一一填上的過程，比當年激進和實驗的 Google Glass 更有章法。接下來幾年我們都能看到這些產品逐步迭代，漸漸朝最理想的形態靠攏。遺憾的是，這次發佈會並沒有公佈這些新品的具體發售日期，它們究竟是不是一個良好的重新出發，還需要等產品實際問世，由時間驗證。但至少，不管是 Google 還是整個智能眼鏡行業，接下來都相當值得期待。 (APPSO)

據《南華早報》最新報導，美國眾議院外交事務委員會近日就“出口管制體系中的戰略漏洞”舉行高規格聽證會。會上，多位議員對中國半導體產業的迅猛發展表達高度警覺，並呼籲立即收緊對華技術出口政策，防止所謂“合法手段”被用於突破美方技術封鎖。眾議院外交事務委員會首席共和黨議員邁克爾·麥考爾（Michael McCaul）在發言中指出：“儘管我們實施了層層限制，但中國企業早已預判政策走向，在管制全面收緊前大量採購符合當時法規的高端製造裝置。如今，他們不僅實現了7奈米先進晶片的自主量產，更憑藉成本與產能優勢，在成熟製程領域全面壓制美國本土產品。”合規採購成突破口，先進晶片實現“彎道超車”聽證會披露，早在2021至2023年間，面對日益緊張的地緣政治環境，中國多家晶圓廠加速下單採購來自荷蘭ASML、日本東京電子等企業的半導體裝置。這些交易在當時均未違反美荷日三方出口管制規定，屬於“合法合規”範疇。然而，正是這批提前部署的裝置，為中國晶片產業爭取了關鍵窗口期。2023年，搭載國產7奈米晶片的智慧型手機橫空出世，震驚全球科技界。美國政府這才意識到，其出口管制政策存在嚴重滯後性——當禁令真正落地時，中國企業已完成裝置部署並啟動量產。ASML首席財務官羅傑·達森（Roger Dassen）在2023年財報會議上證實，公司當年向中國客戶交付了大量此前已簽約的DUV光刻機，“所有交付均嚴格遵守出口許可要求，且接收方均為成熟製程工廠。”但這一“合規交付”恰恰成為美方政界人士口中的“戰略失誤”。成熟晶片產能激增250%，衝擊美國基礎市場更令美國擔憂的是，中國在先進製程取得突破的同時，並未忽視對成熟晶片（28奈米及以上）的大規模投入。根據美中經濟與安全審查委員會（USCC）最新資料，中國晶圓月產能從2015年的120萬片飆升至2023年的逾300萬片，增幅高達250%。“這不僅是數量的增長，更是全球市場份額的重構，”一位國會幕僚在聽證會上強調，“中國正以極具競爭力的價格向汽車、家電、工業控制等領域供應成熟晶片，直接擠壓美國中小晶片企業的生存空間。”有分析指出，美國在高端晶片領域尚保有技術代差，但在佔全球晶片需求70%以上的成熟製程市場，已逐漸喪失主導權。而這一領域的失守，或將動搖其整個半導體產業鏈的根基。美擬擴大“外國直接產品規則”，欲切斷盟友對華裝置供應為堵住所謂“漏洞”，美國國會正推動將出口管制範圍從本國企業擴展至使用美國技術或軟體的外國公司。這意味著，即便裝置由荷蘭ASML或日本東京電子製造，只要其設計或生產環節涉及美國技術，就可能被納入對華禁售清單。“我們必須強化《外國直接產品規則》（FDPR），”特別競爭委員會主席約翰·穆勒納（John Moolenaar）表示，“不能允許我們的盟友一邊享受美國技術紅利，一邊將關鍵裝置賣給我們的戰略對手。這無異於用美國的技術武裝中國的未來。”據悉，2023年，中國從ASML、應用材料、泛林集團、東京電子及科磊等五家美及其盟友企業採購了價值380億美元的半導體裝置，佔這些公司總營收的39%，較2022年增長66%。儘管交易表面合規，但美方認為，這種“灰色地帶”的存在正在加速中國技術自主處理程序。技術溯源成新武器：最小比例原則或將全面啟用值得注意的是，美國在半導體裝置領域仍掌握底層話語權。無論是ASML的EUV光刻機，還是日本企業的刻蝕與沉積裝置，其核心元件——如光源、精密感測器、控制軟體——多依賴美國技術。例如，ASML在2001年收購美國矽谷集團（SVG），並在後續整合中獲得深紫外光刻關鍵技術；其EUV系統所用的雷射電漿體光源，則獨家來自美國西盟公司（Cymer）。基於此，美國正考慮啟用“最小比例原則”（de minimis rule），即只要產品中含有超過特定閾值（如10%）的美國原產技術成分，即禁止對華出口。此舉若實施，將使全球絕大多數高端半導體裝置自動落入管制範圍。然而，這一策略亦引發業界廣泛憂慮。有專家警告，過度擴大管制不僅將重創ASML、東京電子等盟友企業營收，更可能導致全球晶片供應鏈進一步割裂，最終反噬美國自身在AI、資料中心和國防等關鍵領域的晶片供應安全。結語在這場沒有硝煙的科技博弈中，中國通過前瞻性佈局與合規採購贏得寶貴時間窗口，而美國則試圖以更嚴苛的“長臂管轄”奪回主動權。但歷史經驗表明，技術封鎖往往催生自主創新。當圍堵成為常態，突圍便成為必然。 (晶片研究室)

二維材料+ 拓撲半金屬。隨著世界快速邁向小型化和高效率的電子裝置，半導體行業正處於一個關鍵的轉折點。值得注意的是，小型化趨勢給互連技術領域帶來了前所未有的挑戰。這些負責在裝置元件之間傳遞訊號的系統，由於材料限制和架構效率低下，正面臨著嚴重的瓶頸。這些挑戰的影響深遠，最終導致能源消耗激增，這不僅推高了營運成本，而且在可持續發展至關重要的時代，也威脅著裝置的整體性能。深入探究，問題的核心在於互連系統中訊號延遲過長。隨著尺寸縮小，元件之間的距離也隨之縮短，但現有材料往往難以高效地實現快速訊號傳輸。這不僅會導致通訊速度下降，還會嚴重影響電源效率，最終危及半導體技術的可持續發展。多年來一直為行業提供可靠服務的傳統金屬材料，如今在現代應用的巨大壓力下開始出現問題，這凸顯了互連材料創新的迫切性。為了應對這些挑戰，全面瞭解互連系統的關鍵元件至關重要。銅等金屬因其優異的導電性能一直是互連的標準材料。然而，隨著器件尺寸縮小到奈米級，這些金屬的有效性顯著降低，這通常是由於尺寸縮小後電阻率增加以及電子散射的出現。鑑於此，研究人員正在探索能夠在保持高導電性的同時緩解這些尺寸縮小問題的替代材料。磷化鉬（MoP）等拓撲半金屬是下一代互連材料的潛在候選者之一。這些材料具有獨特的電子特性，能夠實現更高的載流子遷移率，從而促進更快的訊號傳輸。MoP 最引人注目之處在於，即使尺寸進一步縮小，它也能保持優異的性能。對這類材料的研究標誌著互連技術向新範式邁出了關鍵一步，有望緩解目前該行業面臨的諸多挑戰。在先進互連技術的探索中，二維材料也備受關注，尤其是石墨烯和非晶氮化硼（a-BN）。石墨烯憑藉其無與倫比的導電性和機械強度，為開發下一代互連技術提供了絕佳的機會。其原子級厚度有助於提高空間效率，這對於現代半導體器件日益緊湊的架構至關重要。另一方面，非晶氮化硼（a-BN）可作為絕緣層發揮關鍵作用，對於隔離金屬互連線、防止串擾和訊號完整性方面的不利影響至關重要。將這些先進材料整合到半導體製造工藝中並非一帆風順。目前積體電路製造的主流技術——大馬士革工藝，也面臨著一些特殊的挑戰。例如，新材料與現有生產方法的相容性至關重要。研究人員正積極致力於開發新的合成技術，以便在不犧牲半導體行業所要求的可靠性和性能的前提下，將這些現代材料融入現有工藝中。向這些新一代材料過渡，需要我們在材料選擇和互連設計方面轉變思維方式。這不僅僅是用一種金屬替代另一種金屬；它需要全面重新思考如何利用這些材料來提升性能，同時最大限度地減少能量損失。當我們探索拓撲半金屬和二維材料的獨特屬性時，我們便會意識到，我們正站在互連架構技術革命的風口浪尖。採用這些先進材料的意義深遠。互連性能的提升有望帶來更快的計算速度、更低的功耗，並最終建構一個更可持續的電子生態系統。在電子裝置日益滲透到我們日常生活的時代，從智慧型手機到電動汽車，乃至支撐現代基礎設施的智能電網系統，這一進步尤為重要。行業領軍企業正日益重視研發項目，旨在將這些前景廣闊的材料應用於實際應用。跨學科合作正在營造一個有利於創新的環境，學術研究人員與行業專家攜手合作，探索如何在實際環境中有效部署這些新一代材料。新型互連技術的開發不僅對提升半導體性能至關重要，而且對重塑電子技術的能源格局也具有舉足輕重的意義。此外，這些材料的合成和表徵將為最佳化架構鋪平道路，使其能夠在更低的能量閾值下高效運行。通往成功的路線圖不僅包括材料創新，還包括對現有製造和設計工藝的調整，以遵循互連性能的基本物理規律。這種綜合方法對於克服器件尺寸不斷縮小帶來的複雜挑戰至關重要。總之，半導體行業正處於一個關鍵時刻，它面臨著傳統互連材料和架構固有的侷限性。對創新的追求不僅源於性能需求，更源於對可持續發展和能源效率的更廣泛承諾，而這個世界正日益依賴先進的電子技術。展望未來，拓撲半金屬與二維材料的融合有望開啟新的可能性，重新定義下一代半導體器件，並鞏固其在可持續技術未來中的地位。本次探索中概述的挑戰和解決方案不僅凸顯了當前互連系統面臨的障礙，也展現了新興材料在重塑半導體格局方面令人振奮的巨大潛力。隨著行業朝著這一充滿希望的未來邁進，持續投入研發和合作無疑對於應對現代電子技術的複雜性並確保其長期可持續發展至關重要。 (半導體產業縱橫)

據路透社鳳凰城報導，美國眾議院一個由兩黨議員組成的小組提出一項法案，擬在未來十年內禁止《晶片法案》（CHIPS Act）的撥款受益者購買中國晶片製造裝置。該法案針對一系列晶片製造工具，從荷蘭製造商ASML 生產的複雜光刻裝置，到切割晶片印刷所使用的矽晶圓的機器，均包含在內。該法案由共和黨眾議員Jay Obernolte和民主黨眾議員Zoe Lofgren在眾議院提出。在參議院，民主黨眾議員Mark Kelly和共和黨眾議員Marsha Blackburn計畫於12月提出該法案。據議員提供的背景資料顯示，中國已在晶片產業投資超過400億美元，重點在於製造裝置，此類裝置的市場份額也大幅成長。美國晶片裝置製造商越來越擔心，對中國出口裝置的限制會降低其銷售額，並損害其研發投資能力。利用《晶片法案》的撥款購買中國晶片裝置將會加劇這個問題。雖然中國晶片裝置是該法案的主要目標，但該法案也禁止來自其他受關注被禁國家的裝置。該法案中包含一些例外條款，例如，如果特定工具並非由美國或其盟國生產，美國可以授予豁免權。該法案僅禁止進口到美國，不會影響《晶片法案》受助機構的海外業務。該法案的推進已引發美國本土晶片裝置製造商的擔憂。他們普遍認為，先前對中國出口裝置的限制已導致銷售額下滑，進而損害了企業的研發投資能力；而若進一步限制受補貼企業採購中國晶片裝置，將加劇這一困境。當前美國最大的晶片製造裝置公司包括應用材料、泛林集團和科磊（KLA）等。目前，法案尚未進入投票程序，但兩黨的跨黨派支援意味著其推進阻力相對較小。若最終落地，將進一步收緊美國對中國晶片產業鏈的限制，同時可能引發全球晶片裝置供應鏈的重新調整。 （半導體技術天地）

11月16日消息，據路透社報導，荷蘭光刻機大廠ASML首席執行官Christophe Fouquet 近日在接受荷蘭電視台採訪時表示，荷蘭半導體裝置製造商尚未受到安世半導體控制權之爭導致的中荷之間關係緊張的影響。Christophe Fouquet 表示：“短期內不會對我們的業務造成影響”，他還補充說他認為危機最糟糕的時期已經過去。Christophe Fouquet認為，在這類問題上，最重要的是在事情升級之前，就先坐下來好好談，但這次的情況卻反了過來，即各方並沒有先溝通好，而是先發生了升級，導致現在的衝突與緊張。今年9月30日，荷蘭經濟事務部以“公司存在嚴重的治理缺陷”為由，強行接管聞泰科技旗下全資子公司安世半導體。此舉迅速引發了中國方面的反對，隨後雙方對抗持續升級，導致全球汽車晶片緊缺。直至近期中方才放鬆對安世半導體的出口管制，但是荷蘭方面卻一直未有解決問題的實際行動。針對荷蘭方面的強搶中國全資子公司控制權的行為，有一些中國的網友呼籲對等對待荷蘭在華大型企業，這也引發了荷蘭業界對於安世半導體爭端持續升級會導致影響自身在華業務的擔憂。從Christophe Fouquet的最新表態來看，目前安世半導體事件並未對ASML的業務造成影響，同時他對於該事件的解決保持樂觀。 (芯智訊)

近日中微公司的財報，反映出半導體裝置市場的焦點在光刻機之外，進一步向刻蝕、薄膜沉積等其他核心裝置領域拓展。2025 年前三季度，中微公司營收 80.63 億元，年增 46.40%。其中刻蝕裝置收入 61.01 億元，較去年成長 38.26%；LPCVD、ALD 等薄膜裝置收入 4.03 億元，較去年成長 1332.69%。伴隨半導體產業的發展，刻蝕、薄膜沉積正成為市場關注的核心領域。半導體裝置，最新焦點半導體製造核心器件涵蓋前道晶圓製造與後道封測兩大類，前道器件技術壁壘最高，主導市場份額。其中，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置是三大主要的裝置，根據SEMI測算資料，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積裝置分別約佔半導體裝置市場的24%、20%和20%。具體到作用：光刻機如同「投影儀」，透過光源將電路圖形轉移到晶圓，決定晶片最小線寬。刻蝕機是「雕刻刀」，選擇性去除多餘材料，精確復刻圖形。薄膜沉積裝置負責沉積導體、絕緣體等膜層，建構晶片基礎結構，主要分為物理氣相沉積（PVD​​）、化學氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）三類。在這一系列裝置中，刻蝕與薄膜沉積之所以成為當前產業關注的新焦點，背後是半導體工藝演進至先進過程所帶來的必然邏輯變遷。第一點，目前EUV光刻機的波長限制在13.5nm，它做出來的線條只能做到14nm，10nm、7nm、5nm晶片要通過多重範本的方法，把20nm光刻機線條翻版成兩個10nm線條，再翻版成5nm的線條。SEMI資料顯示，在晶片製造流程裡，從65nm 製程演進至 7nm 流程，光刻步驟數量僅增加了約 30%，但刻蝕步驟數量卻激增了超過 300%。與此同時，薄膜沉積工序數量和複雜度也在大幅增加。當線寬向7nm及以下製程發展，需採用多重曝光工藝，薄膜沉積次數顯著增加，90nm CMOS工藝大約需要40道薄膜沉積工序，在3nm FinFET工藝產線則需要100道薄膜沉積工序。第二點，隨著3D 堆疊儲存的發展，3D NAND 為提升儲存密度，將儲存單元垂直堆疊，層數​​不斷增加，目前主流產品已超過 200 層，未來還將向 1000 層邁進。DRAM未來也有類似的3D堆疊層數的技術路線圖。這使得對刻蝕裝置的需求量和性能要求呈指數級增長，例如從 32 層提高到 128 層時，刻蝕裝置用量佔比從 35% 提升至 48%。此外，近存計算方案的發展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充裝置佔比接近 70%，進一步增加了刻蝕裝置的需求。同時，3D NAND 堆疊層數不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴苛，ALD 與 CVD 協同工藝成為主流，這都對薄膜沉積裝置提出了更高要求。第三點，GAAFET 是接替 FinFET 的下一代電晶體技術。GAAFET 相比於 FinFET 的刻蝕工藝用量顯著增加，FinFET 有 5 道步驟涉及刻蝕工藝，而 GAAFET 晶體管有 9 道步驟涉及刻蝕工藝。根據IMM資訊的資料，刻蝕裝置在先進製程的用量佔比將從傳統FinFET時代的20%上升至GAA架構下的35%，單台裝置價值量年增12%。薄膜沉積裝置則需要在復雜三維結構上原子級均勻地沉積多層薄膜。例如：GAA奈米片電晶體需在原子尺度控制多層堆疊（如Si/SiGe超晶格），要求PECVD沉積的介電薄膜（如柵極側牆隔離層）厚度偏差控制在±0.5Å以內，且需實現高深寬比結構的保形覆蓋（覆蓋率>95%）因此，半導體製造未來的重點可能從單純依賴光刻機縮小特徵尺寸，轉向更複雜、更關鍵的刻蝕及薄膜沉積工藝。Q3裝置進口資料，透露那些資訊根據海關總署資料，2025年Q3前道裝置進口總額為101.87億美元，年增15.28%，環比增長33.15%，創歷史新高。核心器件進口資料的變化，既是國內半導體產能佈局的「晴雨表」，也折射出全球半導體裝置產業的競爭格局。其中CVD裝置、乾式蝕刻裝置等核心工藝裝置進口數量及單價均處於歷史高點。具體來看：光刻裝置方面，「其他光刻裝置」進口數量下降，但來自荷蘭的同類裝置單價卻飆升至歷史最高。這可能意味著中低階光刻裝置的進口已在縮減，聚焦引進相對高端光刻裝置，為先進工藝擴產突破技術瓶頸。薄膜沉積裝置方面，CVD裝置量價齊升且數量創歷史最高，反映國內在先進邏輯晶片、高端儲存領域的產能擴張需求強烈，對 CVD 這類核心沉積裝置依賴度仍較高。PVD 裝置已在中低階領域實現突破，同時國內對高階 PVD 裝置的採購標準提升。薄膜沉積裝置下一步的看點在於CVD、ALD等高階薄膜沉積裝置的國產化處理程序。刻蝕裝置方面，乾法刻蝕量價雙增且增速顯著，可能意味著國內產能擴張正在向先進製程傾斜，隨著晶片結構從2D向3D演進，對高性能乾法刻蝕裝置需求激增。其他刻蝕及剝離裝置進口量及進口單價均較去年同期下滑，這可能意味著國產裝置廠商在成熟製程刻蝕方面取得一定的成果。離子注入裝置方面，目前國內市場被美國，全球競爭正在加劇。氧化擴散裝置方面，自2024年下半年起氧化擴散等熱處理裝置進口數量整體呈下滑趨勢，但進口單價半導體裝置，多點開花根據國際半導體產業協會SEMI預測，2025年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,100億美元，較2024年年增約2%。在資料中心和邊緣兩端晶片需求走高背景下，預計2026年全球半導體晶圓廠前端裝置支出將達1,298億美元，年增速高達18%。刻蝕裝置從技術路徑來看，刻蝕工藝主要分為濕法刻蝕與乾法刻蝕兩大路線。隨著半導體製造向7nm及更先進節點發展，晶片整合度不斷提高，裝置結構日益複雜，對刻蝕工藝的精度、選擇性和一致性提出了前所未有的要求。在這一趨勢下，乾法刻蝕憑藉其卓越的技術適配性和工藝控制能力，已在邏輯晶片、存儲晶片等高端過程中佔據絕對主導地位，成為推動半導體技術迭代的關鍵工藝。在全球競爭格局方面，半導體刻蝕裝置主要被泛林、應用材料和東京電子三家廠商所壟斷，合計佔據近90%的市場份額。其中，應用材料在CCP與ICP兩大技術路線上均展現出強勁實力，產品線覆蓋全面，尤其在導體刻蝕與介質刻蝕領域保持領先；而泛林集團則在CCP技術領域，特別是高深寬比刻蝕方面具有絕對統治力，其裝置已成為3D NAND製造過程中不可或缺的核心環節。日本東京電子作為全球第三大刻蝕裝置供應商，在CCP和ICP領域都展現出強大的競爭力，特別是在介質刻蝕領域與美系企業並駕齊驅。相較之下，國內廠商起步較晚，如中微公司、北方華創、屹唐半導體等企業仍處於追趕階段，全球市場佔有率較低。國內積體電路製造廠商及國產蝕刻裝置仍有較大的發展空間。中微公司是刻蝕裝置的領導企業，其CCP裝置已實現對28奈米以上絕大部分應用的全面覆蓋，並在28奈米及以下節點取得重要進展。在3D NAND晶片的高深寬比刻蝕和邏輯晶片的前端刻蝕方面，中微的技術已達到部分先進節點，並被全球頂級晶片製造商改採用。不過，其平台化能力相對較弱，尚無法提供全流程解決方案。在ICP裝置方面，中微的產品已進入邏輯、DRAM、3D NAND等50條客戶生產線，在MEMS和先進封裝的深矽刻蝕領域表現優異，但要進入最複雜的關鍵工藝步驟，仍需經歷更嚴苛的驗證周期。北方華創作，其半導體裝置品類數量在國內同類廠商中位居前列，覆蓋光膠處理、刻蝕、清洗、熱處理、化學氣相沉積、物理氣相沉積等多個積體電路生產環節。在技​​術層面，北方華創的CCP裝置在8吋產線的矽刻蝕、介質刻蝕應用中已佔據主導地位，在12吋產線也成功應用於硬掩模刻蝕、鋁墊刻蝕等關鍵非核心步驟。值得注意的是，其ICP裝置的發展勢頭更為強勁，市場認可度持續提升。不過在最先進的邏輯晶片製造和128層以上3D NAND晶片的極高深寬比接觸孔刻蝕等尖端應用領域，北方華創裝置的技術成熟度、工藝均勻性和穩定性仍有提升空間，尚未進入全球頂級晶片製造商的最先進量產線。屹唐半導體前身為美國應用材料公司旗下的半導體濕法裝置業務部門，2015年透過國產化收購重組成立，目前已形成刻蝕、薄膜沉積、快速熱處理等三大類核心裝置產品線。根據Gartner 2023年的資料，在乾法去膠裝置領域，屹唐股份2023年憑藉34.6%的市場佔有率位居全球第二；在快速熱處理裝置領域，屹唐股份2023年憑藉13.05%的市場佔有率位居全球第二；同時，也是國內社會法位可大規模蝕量單晶圓法裝置的全球數位法位積壓板。薄膜沉積裝置半導體薄膜沉積裝置主要分為化學氣相沉積（CVD）、物理氣相沉積（PVD​​）和原子層沉積（ALD）三大類。目前，全球薄膜沉積裝置市場基本上由AMAT、LAM、TEL等美、日廠商壟斷：在PVD裝置領域，AMAT處於領先地位，份額佔比達85%左右；在CVD領域，AMAT、LAM、TELCR3佔比合計超80%；在ALD裝置領域，TEL和A60%合計。近年來，國內企業不斷加強技術研發，湧現了北方華創、拓荊科技、中微公司、微導奈米等一批薄膜沉積裝置製造商。但整體來看，薄膜沉積裝置國產化實力相對較弱，尤其是技術門檻較高的ALD裝置。拓荊科技深耕薄膜沉積裝置領域PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及Flowable CVD等薄膜裝置系列產品，在積體電路邏輯晶片、儲存晶片製造等領域廣泛應用，客戶覆蓋中芯國際、華虹集團等廠商。PECVD裝置作為拓荊科技的核心產品，已實現全系列PECVD介質薄膜材料的覆蓋，通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK-I、LoK-II、ADCI、Ha-Si等）皆已實現產業化應用，廣泛應用於國內積體電路製造產線。ALD裝置方面，拓荊科技為國產ALD裝置薄膜工藝覆蓋率頭部的裝置廠商，推出ALD SiCO、SiN、AlN等工藝裝置已實現大量出貨。SACVD系列產品持續維持產品競爭優勢，進一步擴大量產應用規模。其推出的等離子體增強SAF薄膜工藝裝置在客戶端驗證進展順利。截至2024年，SACVD系列產品反應腔累計出貨超100個。截至2024年，拓荊科技HDPCVDUSG、FSG、STI薄膜工藝裝置均已實現產業化，並持續擴大量產規模，HDPCVD系列產品反應腔累計出貨量達到100個。截至2024年，與FlowableCVD裝置相關的反應腔累計出貨超過15個。中微公司早在2023年就有薄膜裝置運抵客戶，主要為CVD/HAR/ALD W鎢裝置，TiN/TiAI/TaN ALD裝置。2025年Q3財報顯示，中微公司為先進儲存元件和邏輯元件開發的LPCVD、ALD等多款薄膜裝置已經順利進入市場， 並且裝置性能完全達到國際領先水平， 薄膜裝置的覆蓋率不斷增加。北方華創是國內PVD龍頭，稀缺性較強，且在LPCVD、APCVD、ALD領域也有所佈局，產品已批次應用到半導體產線。微導奈米依靠ALD裝置起家，在太陽能、半導體中均有應用，且公司是國內首家成功將量產型High-k ALD應用於28nm節點積體電路製造前道生產線的國產裝置公司，在ALD領域頗具競爭優勢。盛美上海以清洗裝置起家，正逐漸往平台型裝置公司拓展，目前在清洗、電鍍、Track、拋光、薄膜沉積等領域均有產品推出。在今年106屆中國電子展上，有業內人士向半導體產業縱橫表示，2010-2024 年國內半導體裝置銷售額復合年增長率達 30.2%，這一增速顯著高於全球市場同期水準。成長呈現明顯的階段性特徵：2017-2018 年因頭部晶圓廠集中啟動 12 吋產線建設，裝置採購需求集中釋放；2023-2024 年受惠於成熟過程（28nm 及以上）擴產及特色工藝（如 SiC、GaN勢 ）產能，預計 將 持續 約然而要注意的是，儘管刻蝕、薄膜沉積裝置本體國產化進展加速，但關鍵零件環節已成為自主可控的瓶頸之一。當前兩類裝置通用標準件的供應鏈高度依賴進口：日本企業（如 NSK、Fujikin）佔據大部分的市場份額，主要提供高精度傳動部件與特種氣體控制元件；歐洲供應商（如 Pfeiffer、Leybold）在真空系統領域佔比過半。美國零件公司仍掌握著部分核心訂製零件市場。不過，這項制約格局正迎來政策引導與市場驅動的雙重破局契機：總規模達 3,440 億元的國家積體電路產業投資基金三期（大基金三期）已明確將上游關鍵零組件列為核心投資方向之一。後續透過推動相關措施降低海外供應鏈依賴，將為刻蝕、薄膜沉積裝置的國產化築牢上游根基。 （環球老虎財經app)