12月23日消息,隨著美國大力發展本土晶片製造業,英特爾、台積電、三星都在積極擴大在美國的產能。其中,作為“主場作戰”的英特爾,其目前在美國本土所擁有的產能無疑是最多的。特別是英特爾位於亞利桑那州錢德勒的Fab 52 晶圓廠,無論是在製程節點的先處理程序度、技術複雜度,還是規劃產能上,都已顯著超越台積電目前在亞利桑那州的佈局。據Tom′s Hardware 援引CNBC報導,英特爾Fab 52 是一座專為未來而生的頂級晶圓廠,其核心使命是生產Intel 18A及更先進製程。為了達成這一目標,英特爾匯入兩大革命性技術:RibbonFET 全環繞閘極(GAA)電晶體:這是英特爾在電晶體架構上的重大升級,目的在提升性能並降低功耗。PowerVia 背面供電網路:通過將供電線路移至晶圓背面,解決了傳統正面供電導致的布線擁擠與壓降問題。Intel 18A 的複雜度與精細度,遠遠超過台積電亞利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 製程。即使與台積電 N4P 或 第二期工程的 N3 製程相比,Intel 18A 規格依然更具領先性。已安裝4台ASML EUV光刻機,未來整個園區將擴增至15台以上對於一座先進製程晶圓廠的實力來說,往往取決於極紫外光(EUV)光刻裝置。 英特爾Fab 52 安裝了四台ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑EUV 系統。其中至少包括一台NXE:3800E,這是ASML 目前最先進標準數值孔徑的EUV 系統。△英特爾 Fab 52 晶圓廠內的ASML EUV光刻機據瞭解,NXE:3800E 包括更快的晶圓傳輸系統、更高效的晶圓台以及更強大的光源。在30mJ/cm² 的曝光劑量下,NXE:3800E 每小時可處理高達220 片晶圓。相較之下,廠內另外三台NXE:3600D 系統在同樣曝光劑量下的產能僅為每小時160 片。英特爾計畫在亞利桑那州的Silicon Desert 園區總共部署至少15 台EUV 光刻裝置。雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是新一代的High-NA EUV裝置,也不清楚會有多少會被分配到即將建設的Fab 62。但至少15 台EUV光刻裝置這個數字,表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。月產能4萬片生產規模方面,英特爾Fab 52 擁有強大的產能。滿負載運轉時,產能可達每周10,000 片晶圓的,換算後約為每月40,000 片晶圓。以當今產業標準來看,這是一座規模極其龐大的超大型晶圓廠。相比之下,台積電亞利桑那州Fab 21晶圓廠已經量產的一期工程只有每月20,000片晶圓的產能,因為台積電通常以約每月20,000 片為一個生產產線。這代表著,英特爾Fab 52 的單廠產能,相當於台積電Fab 21 第一期與第二期兩個產線的產能總和。產能利用率及良率挑戰儘管技術與裝置處於領先地位,但英特爾與台積電在美國的佈局策略存在顯著差異,這也帶來了不同的營運挑戰。對於英特爾來說,其高風險高回報的模式正利用Fab 52 生產Panther Lake和Clearwater Forest處理器。目前的Intel 18A 技術仍處於良率曲線的早期階段。英特爾預計要到2027 年初,Intel 18A 的良率才能達到最高水準。在此之前,英特爾可能會刻意控制CPU 的產量,這代表著Fab 52 的產能利用率在短期內將維持在較低水平,部分時間可能會處於閒置狀態。△由英特爾Fab 52製造的基於Intel 18A製程的Clearwater Forest至於台積電,通過穩紮穩打模式在美國採用的是已經過驗證的較成熟製程(如N5/N4)。這種策略使其能夠快速提升產量,並讓工廠的產能利用率迅速接近100%。因此,兩這兩種不同的佈局,顯示出英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者的角色,試圖在美國本土直接建立最尖端的技術標竿。而台積電則傾向於將已經成熟的產線轉移至美國,以確保商業運行的穩定與效率。總結來說,英特爾在亞利桑那州的Fab 52 代表了美國本土製造的最先進佈局。它擁有更先進的Intel 18A 製程、更強大的EUV 裝置群,以及兩倍於台積電一期項目的產能潛力。雖然在2027 年良率成熟之前,英特爾在產能利用率上可能無法與台積電匹敵,但Fab 52 的存在確實鞏固了英特爾做為美國晶片之王的地位。這場對決最終的勝負,將取決於英特爾能否在2027 年如期達成Intel 14A 製程獲得頭部的外部客戶的訂單。 (芯智訊)